TY - JOUR AU - Buchanan, D. A. PY - 1999 DA - 1999// TI - Scaling the gate dielectric: materials, integration, and reliability JO - IBM J Res Dev VL - 43 UR - https://doi.org/10.1147/rd.433.0245 DO - 10.1147/rd.433.0245 ID - Buchanan1999 ER - TY - JOUR AU - Green, M. L. AU - Gusev, E. P. AU - Degraeve, R. AU - Garfunkel, E. L. PY - 2001 DA - 2001// TI - Ultrathin (< 4 nm) SiO2 and Si-O-N gate dielectric layers for silicon microelectronics: understanding the processing, structure, and physical and electrical limits JO - J Appl Phys VL - 90 UR - https://doi.org/10.1063/1.1385803 DO - 10.1063/1.1385803 ID - Green2001 ER - TY - JOUR AU - Rebib, F. AU - Tomasella, E. AU - dubois, A. i. d. a. M. AU - Bêche, E. AU - Cellier, J. AU - Jacquet, M. PY - 2007 DA - 2007// TI - Influence of the structure of a-SiOxNy thin films on their electrical properties JO - Plasma Process Polym VL - 4 UR - https://doi.org/10.1002/ppap.200730403 DO - 10.1002/ppap.200730403 ID - Rebib2007 ER - TY - JOUR AU - Martinez-Limia, A. AU - Plänitz, P. AU - Radehaus, C. PY - 2006 DA - 2006// TI - Ab initio structural and electronic properties of dangling-bond-free SiOxNy JO - Phys Rev B VL - 73 UR - https://doi.org/10.1103/PhysRevB.73.165213 DO - 10.1103/PhysRevB.73.165213 ID - Martinez-Limia2006 ER - TY - JOUR AU - Guo, X. AU - Ma, T. P. PY - 1998 DA - 1998// TI - Tunneling leakage current in oxynitride: dependence on oxygen/nitrogen content JO - IEEE Electron Device Lett VL - 19 UR - https://doi.org/10.1109/55.678546 DO - 10.1109/55.678546 ID - Guo1998 ER - TY - JOUR AU - Germann, R. AU - Salemink, H. W. M. AU - Beyeler, R. AU - Bona, G. L. AU - Horst, F. AU - Massarek, I. AU - Offrein, B. J. PY - 2000 DA - 2000// TI - Silicon oxynitride layers for optical waveguide applications JO - J Electrochem Soc VL - 147 UR - https://doi.org/10.1149/1.1393513 DO - 10.1149/1.1393513 ID - Germann2000 ER - TY - JOUR AU - Wörhoff, K. AU - Hilderink, L. T. H. AU - Driessen, A. AU - Lambeck, P. V. PY - 2002 DA - 2002// TI - Silicon oxynitride: a versatile material for integrated optics applications JO - J Electrochem Soc VL - 149 UR - https://doi.org/10.1149/1.1486240 DO - 10.1149/1.1486240 ID - Wörhoff2002 ER - TY - JOUR AU - Wunderlich, S. AU - Schmidt, J. P. AU - Muller, J. PY - 1992 DA - 1992// TI - Integration of SiON waveguides and photodiodes on silicon substrates JO - Appl Opt VL - 31 UR - https://doi.org/10.1364/AO.31.004186 DO - 10.1364/AO.31.004186 ID - Wunderlich1992 ER - TY - JOUR AU - Larsen, T. S. AU - Leistiko, O. PY - 1997 DA - 1997// TI - Plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon oxynitrode films for optical waveguide bridges for use in mechanical sensors JO - J Electrochem Soc VL - 144 UR - https://doi.org/10.1149/1.1837619 DO - 10.1149/1.1837619 ID - Larsen1997 ER - TY - JOUR AU - Rebib, F. AU - Tomasella, E. AU - Micheli, V. AU - Eypert, C. AU - Cellier, J. AU - Laidani, N. PY - 2009 DA - 2009// TI - Effect of composition inhomogeneity in a-SiOxNy thin films on their optical properties JO - Opt Mater VL - 31 UR - https://doi.org/10.1016/j.optmat.2007.10.025 DO - 10.1016/j.optmat.2007.10.025 ID - Rebib2009 ER - TY - JOUR AU - Xia, Y. N. AU - Yang, P. D. AU - Sun, Y. G. AU - Wu, Y. Y. AU - Mayers, B. AU - Gates, B. AU - Yin, Y. D. AU - Kim, F. AU - Yan, H. Q. PY - 2003 DA - 2003// TI - One-dimensional nanostructures: synthesis, characterization, and application JO - Adv Mater VL - 15 UR - https://doi.org/10.1002/adma.200390087 DO - 10.1002/adma.200390087 ID - Xia2003 ER - TY - JOUR AU - Xu, C. K. AU - Kim, M. AU - Chung, S. Y. AU - Chun, J. AU - Kim, D. PY - 2004 DA - 2004// TI - The formation of SiGaN/SiOxNy nanocables and SiOxNy-based nanostructures using GaN as a resource of Ga JO - Chem Phys Lett VL - 398 UR - https://doi.org/10.1016/j.cplett.2004.09.066 DO - 10.1016/j.cplett.2004.09.066 ID - Xu2004 ER - TY - JOUR AU - Zhang, X. T. AU - Liu, Z. AU - Zheng, Z. AU - Hark, S. K. AU - Fu, Y. B. AU - Zhang, G. B. PY - 2007 DA - 2007// TI - Synthesis and photoluminescence properties of well-aligned Ga-doped N-rich SiOxNy nanowire bundles JO - Appl Phys Lett VL - 90 UR - https://doi.org/10.1063/1.2734373 DO - 10.1063/1.2734373 ID - Zhang2007 ER - TY - JOUR AU - Zheng, J. AU - Song, X. B. AU - Li, X. G. AU - Pu, Y. K. PY - 2008 DA - 2008// TI - Large-scale production of amorphous silicon oxynitride nanowires by nickel-catalyzed transformation of silicon wafers in NH3 plasma JO - J Phys Chem C VL - 112 UR - https://doi.org/10.1021/jp075313w DO - 10.1021/jp075313w ID - Zheng2008 ER - TY - JOUR AU - Gu, L. AU - Yu, Y. AU - Penmatsa, V. AU - Wang, C. L. AU - Maier, J. AU - van Aken, P. e. t. e. r. A. PY - 2009 DA - 2009// TI - Synthesis and characterization of N-rich single crystalline SiOxNy nanowires with three-dimensional branches JO - Appl Phys Lett VL - 94 UR - https://doi.org/10.1063/1.3151954 DO - 10.1063/1.3151954 ID - Gu2009 ER - TY - JOUR AU - Qiu, T. AU - Wu, X. L. AU - Wan, G. J. AU - Mei, Y. F. AU - Siu, G. G. AU - Chu, P. K. PY - 2005 DA - 2005// TI - Self-assembled growth and enhanced blue emission of SiOxNy-capped silicon nanowire arrays JO - Appl Phys Lett VL - 86 UR - https://doi.org/10.1063/1.1929069 DO - 10.1063/1.1929069 ID - Qiu2005 ER - TY - JOUR AU - Meng, G. W. AU - Jung, Y. J. AU - Cao, A. Y. AU - Vajtai, R. AU - Ajayan, P. M. PY - 2005 DA - 2005// TI - Controlled fabrication of hierarchically branched nanopores, nanotubes, and nanowires JO - Proc Natl Acad Sci USA VL - 102 UR - https://doi.org/10.1073/pnas.0502098102 DO - 10.1073/pnas.0502098102 ID - Meng2005 ER - TY - JOUR AU - Criado, D. AU - Zúňiga, A. AU - Pereyra, I. PY - 2008 DA - 2008// TI - Structural and morphological studies on SiOxNy thin films JO - J Non-Cryst Solids VL - 354 UR - https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2007.09.063 DO - 10.1016/j.jnoncrysol.2007.09.063 ID - Criado2008 ER - TY - JOUR AU - Shimpi, P. AU - Gao, P. X. PY - 2010 DA - 2010// TI - Carbon-assisted lateral self-assembly of amorphous silica nanowires JO - Crystengcomm VL - 12 UR - https://doi.org/10.1039/c000516a DO - 10.1039/c000516a ID - Shimpi2010 ER - TY - JOUR AU - Vukusic, P. AU - Hallam, B. AU - Noyes, J. PY - 2007 DA - 2007// TI - Brilliant whiteness in ultrathin beetle scales JO - Science VL - 315 UR - https://doi.org/10.1126/science.1134666 DO - 10.1126/science.1134666 ID - Vukusic2007 ER - TY - JOUR AU - Yang, W. AU - Zhang, L. AU - Xie, Z. AU - Li, J. AU - Miao, H. AU - An, L. PY - 2005 DA - 2005// TI - Properties of ultra-long single-crystalline alpha-Si3N4 nanobelts JO - Appl Phys A VL - 80 UR - https://doi.org/10.1007/s00339-004-3040-0 DO - 10.1007/s00339-004-3040-0 ID - Yang2005 ER - TY - JOUR AU - Takashi, N. AU - Seol, K. S. AU - Kato, H. AU - Fujimaki, M. AU - Ohki, Y. PY - 2001 DA - 2001// TI - Origin of photoluminescence around 2.6-2.9 eV in silicon oxynitride JO - Appl Phys Lett VL - 79 UR - https://doi.org/10.1063/1.1405806 DO - 10.1063/1.1405806 ID - Takashi2001 ER - TY - JOUR AU - Yang, Z. M. AU - Zhang, Y. S. AU - Liu, D. L. AU - Nie, E. Y. AU - Jiao, Z. F. AU - Jin, Y. AU - He, Y. AU - Gong, M. AU - Sun, X. S. PY - 2010 DA - 2010// TI - Selective synthesis of SiO2 NWs on Si substrate and their adjustable photoluminescence JO - J Non-Cryst Solids VL - 356 UR - https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2010.07.020 DO - 10.1016/j.jnoncrysol.2010.07.020 ID - Yang2010 ER -