Kinetic study of H-terminated silicon nanowires oxidation in very first stages

Table 1 Intensity of the silicon suboxides for the samples annealed at 150°C and 400°C

	T = 150°C					T = 400°C
Intensity/oxidation time (min)	5	10	20	30	60	5	10	20	30	60
Si₂O	0.317	0.269	0.252	0.289	0.198	0.235	0.227	0.186	0.212	0.249
SiO	0.067	0.092	0.102	0.151	0.148	0.107	0.089	0.142	0.095	0.104
Si₂O₃	0.026	0.078	0.076	0.126	0.088	0.157	0.077	0.149	0.139	0.083
SiO₂	0.228	0.350	0.414	0.666	0.787	1.181	1.390	1.569	1.604	1.922
Total	0.640	0.790	0.845	1.234	1.223	1.680	1.785	2.047	2.052	2.360