TY - JOUR AU - Rodbell, K. P. AU - Heidel, D. F. AU - Tang, H. H. K. AU - Gordon, M. S. AU - Oldiges, P. AU - Murray, C. E. PY - 2007 DA - 2007// TI - Low-energy proton-induced single-event-upsets in 65 nm node, silicon-on-insulator, latches and memory cells JO - IEEE Trans Nucl Sci VL - 54 UR - https://doi.org/10.1109/TNS.2007.909845 DO - 10.1109/TNS.2007.909845 ID - Rodbell2007 ER - TY - JOUR AU - Xu, Z. G. AU - Huo, Z. L. AU - Zhu, C. X. AU - Cui, Y. X. AU - Wang, M. AU - Zheng, Z. W. AU - Liu, J. AU - Wang, Y. M. AU - Li, F. H. AU - Liu, M. PY - 2011 DA - 2011// TI - Performance-improved nonvolatile memory with aluminum nanocrystals embedded in Al2O3 for high temperature applications JO - J Appl Phys VL - 110 UR - https://doi.org/10.1063/1.3662944 DO - 10.1063/1.3662944 ID - Xu2011 ER - TY - JOUR AU - Jiang, D. D. AU - Zhang, M. H. AU - Huo, Z. L. AU - Wang, Q. AU - Liu, J. AU - Yu, Z. A. AU - Yang, X. N. AU - Wang, Y. AU - Zhang, B. AU - Chen, J. N. AU - Liu, M. PY - 2011 DA - 2011// TI - A study of cycling induced degradation mechanisms in Si nanocrystal memory devices JO - Nanotechnology VL - 22 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/22/25/254009 DO - 10.1088/0957-4484/22/25/254009 ID - Jiang2011 ER - TY - JOUR AU - Chang, T. C. AU - Jian, F. Y. AU - Chen, S. C. AU - Tsai, Y. T. PY - 2011 DA - 2011// TI - Developments in nanocrystal memory JO - Mater Today VL - 14 UR - https://doi.org/10.1016/S1369-7021(11)70302-9 DO - 10.1016/S1369-7021(11)70302-9 ID - Chang2011 ER - TY - JOUR AU - Liu, J. AU - Wang, Q. AU - Long, S. B. AU - Zhang, M. H. AU - Liu, M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Metal/Al2O3/ZrO2/SiO2/Si (MAZOS) structure for high-performance non-volatile memory application JO - Semicond Sci Technol VL - 25 UR - https://doi.org/10.1088/0268-1242/25/5/055013 DO - 10.1088/0268-1242/25/5/055013 ID - Liu2010 ER - TY - JOUR AU - Chen, C. H. AU - Chang, T. C. AU - Liao, I. H. AU - Xi, P. B. AU - Hsieh, J. AU - Chen, J. AU - Huang, T. AU - Sze, S. M. AU - Chen, U. S. AU - Chen, J. R. PY - 2008 DA - 2008// TI - Tungsten oxide/tungsten nanocrystals for nonvolatile memory devices JO - Appl Phys Lett VL - 92 UR - https://doi.org/10.1063/1.2822401 DO - 10.1063/1.2822401 ID - Chen2008 ER - TY - JOUR AU - Chung, W. F. AU - Chang, T. C. AU - Li, H. W. AU - Chen, S. C. AU - Chen, Y. C. AU - Tseng, T. Y. AU - Tai, Y. H. PY - 2011 DA - 2011// TI - Environment-dependent thermal instability of sol–gel derived amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin film transistors JO - Appl Phys Lett VL - 98 UR - https://doi.org/10.1063/1.3580614 DO - 10.1063/1.3580614 ID - Chung2011 ER - TY - JOUR AU - Tsao, S. W. AU - Chang, T. C. AU - Huang, S. Y. AU - Chen, M. C. AU - Chen, S. C. AU - Tsai, C. T. AU - Kuo, Y. J. AU - Chen, Y. C. AU - Wu, W. C. PY - 2010 DA - 2010// TI - Hydrogen-induced improvements in electrical characteristics of a-IGZO thin-film transistors JO - Solid State Electron VL - 54 UR - https://doi.org/10.1016/j.sse.2010.08.001 DO - 10.1016/j.sse.2010.08.001 ID - Tsao2010 ER - TY - JOUR AU - Chen, T. C. AU - Chang, T. C. AU - Hsieh, T. Y. AU - Tsai, C. T. AU - Chen, S. C. AU - Lin, C. S. AU - Hung, M. C. AU - Tu, C. H. AU - Chang, J. J. AU - Chen, P. L. PY - 2010 DA - 2010// TI - Light-induced instability of an InGaZnO thin film transistor with and without SiOx passivation layer formed by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition JO - Appl Phys Lett VL - 97 UR - https://doi.org/10.1063/1.3514251 DO - 10.1063/1.3514251 ID - Chen2010 ER - TY - JOUR AU - Chen, T. C. AU - Chang, T. C. AU - Hsieh, T. Y. AU - Lu, W. S. AU - Jian, F. Y. AU - Tsai, C. T. AU - Huang, S. Y. AU - Lin, C. S. PY - 2011 DA - 2011// TI - Investigating the degradation behavior caused by charge trapping effect under DC and AC gate-bias stress for InGaZnO thin film transistor JO - Appl Phys Lett VL - 99 UR - https://doi.org/10.1063/1.3609873 DO - 10.1063/1.3609873 ID - Chen2011 ER - TY - JOUR AU - Zhu, C. X. AU - Huo, Z. L. AU - Xu, Z. G. AU - Zhang, M. H. AU - Wang, Q. AU - Liu, J. AU - Long, S. B. AU - Liu, M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Performance enhancement of multilevel cell nonvolatile memory by using a bandgap engineered high-kappa trapping layer JO - Appl Phys Lett VL - 97 UR - https://doi.org/10.1063/1.3531559 DO - 10.1063/1.3531559 ID - Zhu2010 ER - TY - JOUR AU - Zhu, C. X. AU - Xu, Z. G. AU - Huo, Z. L. AU - Yang, R. AU - Zheng, Z. W. AU - Cui, Y. X. AU - Liu, J. AU - Wang, Y. M. AU - Shi, D. X. AU - Zhang, G. Y. AU - Li, F. H. AU - Liu, M. PY - 2011 DA - 2011// TI - Investigation on interface related charge trap and loss characteristics of high-k based trapping structures by electrostatic force microscopy JO - Appl Phys Lett VL - 99 UR - https://doi.org/10.1063/1.3664222 DO - 10.1063/1.3664222 ID - Zhu2011 ER - TY - JOUR AU - Chen, W. R. AU - Chang, T. C. AU - Yeh, J. L. AU - Sze, S. M. AU - Chang, C. Y. PY - 2008 DA - 2008// TI - Reliability characteristics of NiSi nanocrystals embedded in oxide and nitride layers for nonvolatile memory application JO - Appl Phys Lett VL - 92 UR - https://doi.org/10.1063/1.2905812 DO - 10.1063/1.2905812 ID - Chen2008 ER - TY - JOUR AU - Yeh, P. H. AU - Chen, L. J. AU - Liu, P. T. AU - Wang, D. Y. AU - Chang, T. C. PY - 2007 DA - 2007// TI - Metal nanocrystals as charge storage nodes for nonvolatile memory devices JO - Electrochim Acta VL - 52 UR - https://doi.org/10.1016/j.electacta.2006.09.006 DO - 10.1016/j.electacta.2006.09.006 ID - Yeh2007 ER - TY - JOUR AU - Yeh, P. H. AU - Yu, C. H. AU - Chen, L. J. AU - Wu, H. H. AU - Liu, P. T. AU - Chang, T. C. PY - 2005 DA - 2005// TI - Low-power memory device with NiSi2 nanocrystals embedded in silicon dioxide layer JO - Appl Phys Lett VL - 87 UR - https://doi.org/10.1063/1.2126150 DO - 10.1063/1.2126150 ID - Yeh2005 ER - TY - JOUR AU - Chen, S. C. AU - Chang, T. C. AU - Liu, P. T. AU - Wu, Y. C. AU - Lin, P. S. AU - Tseng, B. H. AU - Shy, J. H. AU - Sze, S. M. AU - Chang, C. Y. AU - Lien, C. H. PY - 2007 DA - 2007// TI - A novel nanowire channel poly-Si TFT functioning as transistor and nonvolatile SONOS memory JO - IEEE Electron Device Lett VL - 28 ID - Chen2007 ER - TY - JOUR AU - Yang, S. Q. AU - Wang, Q. AU - Zhang, M. H. AU - Long, S. B. AU - Liu, J. AU - Liu, M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Titanium tungsten nanocrystals embedded in SiO2/Al2O3 gate dielectric stack for low-voltage operation in non-volatile memory JO - Nanotechnology VL - 21 ID - Yang2010 ER - TY - JOUR AU - Zhen, L. J. AU - Guan, W. H. AU - Shang, L. W. AU - Liu, M. AU - Liu, G. PY - 2008 DA - 2008// TI - Organic thin film transistor memory with gold nanocrystals embedded in polyimide gate dielectric JO - J Phys D Appl Phys VL - 41 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3727/41/13/135111 DO - 10.1088/0022-3727/41/13/135111 ID - Zhen2008 ER - TY - JOUR AU - Tsai, T. M. AU - Chang, K. C. AU - Chang, T. C. AU - Syu, Y. E. AU - Chuang, S. L. AU - Chang, G. W. AU - Liu, G. R. AU - Chen, M. C. AU - Huang, H. C. AU - Liu, S. K. AU - Tai, Y. H. AU - Gan, D. S. AU - Yang, Y. L. AU - Young, T. F. AU - Tseng, B. H. AU - Chen, K. H. AU - Tsai, M. J. AU - Ye, C. AU - Wang, H. AU - Sze, S. M. PY - 2012 DA - 2012// TI - Bipolar resistive RAM characteristics induced by nickel incorporated into silicon oxide dielectrics for IC applications JO - IEEE Electron Device Lett VL - 33 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2012.2217933 DO - 10.1109/LED.2012.2217933 ID - Tsai2012 ER - TY - JOUR AU - Tsai, T. M. AU - Chang, K. C. AU - Chang, T. C. AU - Chang, G. W. AU - Syu, Y. E. AU - Su, Y. T. AU - Liu, G. R. AU - Liao, K. H. AU - Chen, M. C. AU - Huang, H. C. AU - Tai, Y. H. AU - Gan, D. S. AU - Sze, S. M. PY - 2012 DA - 2012// TI - Origin of hopping conduction in Sn-doped silicon oxide RRAM with supercritical CO2 fluid treatment JO - IEEE Electron Device Lett VL - 33 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2012.2217932 DO - 10.1109/LED.2012.2217932 ID - Tsai2012 ER - TY - JOUR AU - Guan, W. H. AU - Long, S. B. AU - Jia, R. AU - Liu, M. PY - 2007 DA - 2007// TI - Nonvolatile resistive switching memory utilizing gold nanocrystals embedded in zirconium oxide JO - Appl Phys Lett VL - 91 UR - https://doi.org/10.1063/1.2760156 DO - 10.1063/1.2760156 ID - Guan2007 ER - TY - JOUR AU - Guan, W. H. AU - Long, S. B. AU - Liu, Q. AU - Liu, M. AU - Wang, W. PY - 2008 DA - 2008// TI - Nonpolar nonvolatile resistive switching in Cu doped ZrO2 JO - IEEE Electron Device Lett VL - 29 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2008.919602 DO - 10.1109/LED.2008.919602 ID - Guan2008 ER - TY - JOUR AU - Liu, Q. AU - Guan, W. H. AU - Long, S. B. AU - Jia, R. AU - Liu, M. AU - Chen, J. N. PY - 2008 DA - 2008// TI - Resistive switching memory effect of ZrO2 films with Zr+ implanted JO - Appl Phys Lett VL - 92 UR - https://doi.org/10.1063/1.2832660 DO - 10.1063/1.2832660 ID - Liu2008 ER - TY - JOUR AU - Tsai, T. M. AU - Chang, K. C. AU - Zhang, R. AU - Chang, T. C. AU - Lou, J. C. AU - Chen, J. H. AU - Young, T. F. AU - Tseng, B. H. AU - Shih, C. C. AU - Pan, Y. C. AU - Chen, M. C. AU - Pan, J. H. AU - Syu, Y. E. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Performance and characteristics of double layer porous silicon oxide resistance random access memory JO - Appl Phys Lett VL - 102 UR - https://doi.org/10.1063/1.4812474 DO - 10.1063/1.4812474 ID - Tsai2013 ER - TY - JOUR AU - Chang, K. C. AU - Tsai, T. M. AU - Chang, T. C. AU - Wu, H. H. AU - Chen, J. H. AU - Syu, Y. E. AU - Chang, G. W. AU - Chu, T. J. AU - Liu, G. R. AU - Su, Y. T. AU - Chen, M. C. AU - Pan, J. H. AU - Chen, J. Y. AU - Tung, C. W. AU - Huang, H. C. AU - Tai, Y. H. AU - Gan, D. S. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Characteristics and mechanisms of silicon oxide based resistance random access memory JO - IEEE Electron Device Lett VL - 34 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2013.2241725 DO - 10.1109/LED.2013.2241725 ID - Chang2013 ER - TY - JOUR AU - Chang, K. C. AU - Tsai, T. M. AU - Chang, T. C. AU - Senior Member, I. E. E. E. AU - Wu, H. H. AU - Chen, K. H. AU - Chen, J. H. AU - Young, T. F. AU - Chu, T. J. AU - Chen, J. Y. AU - Pan, C. H. AU - Su, Y. T. AU - Syu, Y. E. AU - Tung, C. W. AU - Chang, G. W. AU - Chen, M. C. AU - Huang, H. C. AU - Tai, Y. H. AU - Gan, D. S. AU - Wu, J. J. AU - Hu, Y. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Low temperature improvement method on Zn:SiOx resistive random access memory devices JO - IEEE Electron Device Lett VL - 34 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2013.2248075 DO - 10.1109/LED.2013.2248075 ID - Chang2013 ER - TY - JOUR AU - Chang, K. C. AU - Tsai, T. M. AU - Zhang, R. AU - Chang, T. C. AU - Chen, K. H. AU - Chen, J. H. AU - Young, T. F. AU - Lou, J. C. AU - Chu, T. J. AU - Shih, C. C. AU - Pan, J. H. AU - Su, Y. T. AU - Syu, Y. E. AU - Tung, C. W. AU - Chen, M. C. AU - Wu, J. J. AU - Hu, Y. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Electrical conduction mechanism of Zn:SiOx resistance random access memory with supercritical CO2 fluid process JO - Appl Phys Lett VL - 103 UR - https://doi.org/10.1063/1.4819162 DO - 10.1063/1.4819162 ID - Chang2013 ER - TY - JOUR AU - Chang, K. C. AU - Pan, C. H. AU - Chang, T. C. AU - Tsai, T. M. AU - Zhang, R. AU - Lou, J. C. AU - Young, T. F. AU - Chen, J. H. AU - Shih, C. C. AU - Chu, T. J. AU - Chen, J. Y. AU - Su, Y. T. AU - Jiang, J. P. AU - Chen, K. H. AU - Huang, H. C. AU - Syu, Y. E. AU - Gan, D. S. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Hopping effect of hydrogen-doped silicon oxide insert RRAM by supercritical CO2 fluid treatment JO - IEEE Electron Device Lett VL - 34 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2013.2251995 DO - 10.1109/LED.2013.2251995 ID - Chang2013 ER - TY - JOUR AU - Chang, K. C. AU - Zhang, R. AU - Chang, T. C. AU - Tsai, T. M. AU - Lou, J. C. AU - Chen, J. H. AU - Young, T. F. AU - Chen, M. C. AU - Yang, Y. L. AU - Pan, Y. C. AU - Chang, G. W. AU - Chu, T. J. AU - Shih, C. C. AU - Chen, J. Y. AU - Pan, C. H. AU - Su, Y. T. AU - Syu, Y. E. AU - Tai, Y. H. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Origin of hopping conduction in graphene-oxide-doped silicon oxide resistance random access memory devices JO - IEEE Electron Device Lett VL - 34 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2013.2250899 DO - 10.1109/LED.2013.2250899 ID - Chang2013 ER - TY - JOUR AU - Tsai, T. M. AU - Chang, K. C. AU - Chang, T. C. AU - Syu, Y. E. AU - Liao, K. H. AU - Tseng, B. H. AU - Sze, S. M. PY - 2012 DA - 2012// TI - Dehydroxyl effect of Sn-doped silicon oxide resistance random access memory with supercritical CO2 fluid treatment JO - Appl Phys Lett VL - 101 UR - https://doi.org/10.1063/1.4750235 DO - 10.1063/1.4750235 ID - Tsai2012 ER - TY - JOUR AU - Chang, K. C. AU - Tsai, T. M. AU - Chang, T. C. AU - Syu, Y. E. AU - Liao, K. H. AU - Chuang, S. L. AU - Li, C. H. AU - Gan, D. S. AU - Sze, S. M. PY - 2012 DA - 2012// TI - The effect of silicon oxide based RRAM with tin doping JO - Electrochem Solid State Lett VL - 15 UR - https://doi.org/10.1149/2.013203esl DO - 10.1149/2.013203esl ID - Chang2012 ER - TY - JOUR AU - Liu, Q. AU - Long, S. B. AU - Wang, W. AU - Zuo, Q. Y. AU - Zhang, S. AU - Chen, J. N. AU - Liu, M. PY - 2009 DA - 2009// TI - Improvement of resistive switching properties in ZrO2-based ReRAM with implanted Ti ions JO - IEEE Electron Device Lett VL - 30 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2009.2032566 DO - 10.1109/LED.2009.2032566 ID - Liu2009 ER - TY - JOUR AU - Liu, M. AU - Abid, Z. AU - Wang, W. AU - He, X. L. AU - Liu, Q. AU - Guan, W. H. PY - 2009 DA - 2009// TI - Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments JO - Appl Phys Lett VL - 94 UR - https://doi.org/10.1063/1.3151822 DO - 10.1063/1.3151822 ID - Liu2009 ER - TY - JOUR AU - Syu, Y. E. AU - Chang, T. C. AU - Tsai, T. M. AU - Chang, G. W. AU - Chang, K. C. AU - Lou, J. H. AU - Tai, Y. H. AU - Tsai, M. J. AU - Wang, Y. L. AU - Sze, S. M. PY - 2012 DA - 2012// TI - Asymmetric carrier conduction mechanism by tip electric field in WSiOX resistance switching device JO - IEEE Electron Device Lett VL - 33 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2011.2182600 DO - 10.1109/LED.2011.2182600 ID - Syu2012 ER - TY - JOUR AU - Long, S. B. AU - Perniola, L. AU - Cagli, C. AU - Buckley, J. AU - Lian, X. J. AU - Miranda, E. AU - Pan, F. AU - Liu, M. AU - Sune, J. PY - 2013 DA - 2013// TI - Voltage and power-controlled regimes in the progressive unipolar RESET transition of HfO2-based RRAM JO - Sci Rep VL - 3 ID - Long2013 ER - TY - JOUR AU - Syu, Y. E. AU - Chang, T. C. AU - Lou, J. H. AU - Tsai, T. M. AU - Chang, K. C. AU - Tsai, M. J. AU - Wang, Y. L. AU - Liu, M. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Atomic-level quantized reaction of HfOx memristor JO - Appl Phys Lett VL - 102 UR - https://doi.org/10.1063/1.4802821 DO - 10.1063/1.4802821 ID - Syu2013 ER - TY - JOUR AU - Long, S. B. AU - Lian, X. J. AU - Cagli, C. AU - Perniola, L. AU - Miranda, E. AU - Liu, M. AU - Sune, J. PY - 2013 DA - 2013// TI - A model for the set statistics of RRAM inspired in the percolation model of oxide breakdown JO - IEEE Electron Device Lett VL - 34 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2013.2266332 DO - 10.1109/LED.2013.2266332 ID - Long2013 ER - TY - JOUR AU - Chu, T. J. AU - Chang, T. C. AU - Tsai, T. M. AU - Wu, H. H. AU - Chen, J. H. AU - Chang, K. C. AU - Young, T. F. AU - Chen, K. H. AU - Syu, Y. E. AU - Chang, G. W. AU - Chang, Y. F. AU - Chen, M. C. AU - Lou, J. H. AU - Pan, J. H. AU - Chen, J. Y. AU - Tai, Y. H. AU - Ye, C. AU - Wang, H. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Charge quantity influence on resistance switching characteristic during forming process JO - IEEE Electron Device Lett VL - 34 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2013.2242843 DO - 10.1109/LED.2013.2242843 ID - Chu2013 ER - TY - JOUR AU - Long, S. B. AU - Lian, X. J. AU - Cagli, C. AU - Cartoixa, X. AU - Rurali, R. AU - Miranda, E. AU - Jimenez, D. AU - Perniola, L. AU - Liu, M. AU - Sune, J. PY - 2013 DA - 2013// TI - Quantum-size effects in hafnium-oxide resistive switching JO - Appl Phys Lett VL - 102 UR - https://doi.org/10.1063/1.4802265 DO - 10.1063/1.4802265 ID - Long2013 ER - TY - JOUR AU - Su, Y. T. AU - Chang, K. C. AU - Chang, T. C. AU - Tsai, T. M. AU - Zhang, R. AU - Lou, J. C. AU - Chen, J. H. AU - Young, T. F. AU - Chen, K. H. AU - Tseng, B. H. AU - Shih, C. C. AU - Yang, Y. L. AU - Chen, M. C. AU - Chu, T. J. AU - Pan, C. H. AU - Syu, Y. E. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Characteristics of hafnium oxide resistance random access memory with different setting compliance current JO - Appl Phys Lett VL - 103 UR - https://doi.org/10.1063/1.4825104 DO - 10.1063/1.4825104 ID - Su2013 ER - TY - JOUR AU - Zhang, R. AU - Chang, K. C. AU - Chang, T. C. AU - Tsai, T. M. AU - Chen, K. H. AU - Lou, J. C. AU - Chen, J. H. AU - Young, T. F. AU - Shih, C. C. AU - Yang, Y. L. AU - Pan, Y. C. AU - Chu, T. J. AU - Huang, S. Y. AU - Pan, C. H. AU - Su, Y. T. AU - Syu, Y. E. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - High performance of graphene oxide-doped silicon oxide-based resistance random access memory JO - Nanoscale Research Letters VL - 8 UR - https://doi.org/10.1186/1556-276X-8-497 DO - 10.1186/1556-276X-8-497 ID - Zhang2013 ER - TY - JOUR AU - Zhang, R. AU - Tsai, T. M. AU - Chang, T. C. AU - Chang, K. C. AU - Chen, K. H. AU - Lou, J. C. AU - Young, T. F. AU - Chen, J. H. AU - Huang, S. Y. AU - Chen, M. C. AU - Shih, C. C. AU - Chen, H. L. AU - Pan, J. H. AU - Tung, C. W. AU - YE, S. y. u. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Mechanism of power consumption inhibitive multi-layer Zn:SiO2/SiO2 structure resistance random access memory JO - J. Appl. Phys VL - 114 UR - https://doi.org/10.1063/1.4843695 DO - 10.1063/1.4843695 ID - Zhang2013 ER - TY - JOUR AU - Huang, J. W. AU - Zhang, R. AU - Chang, T. C. AU - Tsai, T. M. AU - Chang, K. C. AU - Lou, J. C. AU - Young, T. F. AU - Chen, J. H. AU - Chen, H. L. AU - Pan, Y. C. AU - Huang, X. AU - Zhang, F. Y. AU - Syu, Y. E. AU - Sze, S. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - The effect of high/low permittivity in bilayer HfO2/BN resistance random access memory JO - Appl Phys Lett VL - 102 UR - https://doi.org/10.1063/1.4807577 DO - 10.1063/1.4807577 ID - Huang2013 ER -