TY - JOUR AU - Levy, D. H. AU - Freeman, D. AU - Nelson, S. F. AU - Cowdery-Corvan, P. J. AU - Irving, L. M. PY - 2008 DA - 2008// TI - Stable ZnO thin film transistors by fast open air atomic layer deposition JO - Appl Phys Lett VL - 92 UR - https://doi.org/10.1063/1.2924768 DO - 10.1063/1.2924768 ID - Levy2008 ER - TY - JOUR AU - Lim, S. J. AU - Kwon, S. J. AU - Kim, H. AU - Park, J. S. PY - 2007 DA - 2007// TI - High performance thin film transistor with low temperature atomic layer deposition nitrogen-doped ZnO JO - Appl Phys Lett VL - 91 ID - Lim2007 ER - TY - JOUR AU - Huby, N. AU - Ferrari, S. AU - Guziewicz, E. AU - Godlewski, M. AU - Osinniy, V. PY - 2008 DA - 2008// TI - Electrical behavior of zinc oxide layers grown by low temperature atomic layer deposition JO - Appl Phys Lett VL - 92 UR - https://doi.org/10.1063/1.2830940 DO - 10.1063/1.2830940 ID - Huby2008 ER - TY - JOUR AU - Hoffman, R. L. AU - Norris, B. J. AU - Wager, J. F. PY - 2003 DA - 2003// TI - ZnO-based transparent thin-film transistors JO - Appl Phys Lett VL - 82 UR - https://doi.org/10.1063/1.1542677 DO - 10.1063/1.1542677 ID - Hoffman2003 ER - TY - JOUR AU - Lu, A. AU - Sun, J. AU - Jiang, J. AU - Wan, Q. PY - 2010 DA - 2010// TI - Low-voltage transparent electric-double-layer ZnO-based thin-film transistors for portable transparent electronics JO - Appl Phys Lett VL - 96 UR - https://doi.org/10.1063/1.3294325 DO - 10.1063/1.3294325 ID - Lu2010 ER - TY - JOUR AU - Lee, H. Y. AU - Huang, H. L. AU - Tseng, C. Y. PY - 2014 DA - 2014// TI - Performance enhancement of multiple-gate ZnO metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated using self-aligned and laser interference photolithography techniques JO - Nanoscale Res Lett VL - 9 UR - https://doi.org/10.1186/1556-276X-9-122 DO - 10.1186/1556-276X-9-122 ID - Lee2014 ER - TY - JOUR AU - Siddiqui, J. AU - Cagin, E. AU - Chen, D. AU - Phillips, J. D. PY - 2006 DA - 2006// TI - ZnO thin-film transistors with polycrystalline (Ba, Sr)TiO3 gate insulators JO - Appl Phys Lett VL - 88 UR - https://doi.org/10.1063/1.2204574 DO - 10.1063/1.2204574 ID - Siddiqui2006 ER - TY - JOUR AU - Li, C. AU - Li, Y. AU - Wu, Y. AU - Ong, B. S. AU - Loutfy, R. O. PY - 2007 DA - 2007// TI - ZnO field-effect transistors prepared by aqueous solution-growth ZnO crystal thin film JO - J Appl Phys VL - 102 UR - https://doi.org/10.1063/1.2773683 DO - 10.1063/1.2773683 ID - Li2007 ER - TY - JOUR AU - Pung, S. Y. AU - Choy, K. L. AU - Hou, X. AU - Shan, C. PY - 2008 DA - 2008// TI - Preferential growth of ZnO thin films by the atomic layer deposition technique JO - Nanotechnology VL - 19 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/43/435609 DO - 10.1088/0957-4484/19/43/435609 ID - Pung2008 ER - TY - JOUR AU - Kwon, S. AU - Bang, S. AU - Lee, S. AU - Jeon, S. AU - Jeong, W. AU - Kim, H. AU - Gong, S. C. AU - Chang, H. J. AU - Park, H. H. AU - Jeon, H. PY - 2009 DA - 2009// TI - Characteristics of the ZnO thin film transistor by atomic layer deposition at various temperatures JO - Semicond Sci Technol VL - 24 UR - https://doi.org/10.1088/0268-1242/24/3/035015 DO - 10.1088/0268-1242/24/3/035015 ID - Kwon2009 ER - TY - JOUR AU - Mourey, D. A. AU - Zhao, D. A. AU - Sun, J. AU - Jackson, T. N. PY - 2010 DA - 2010// TI - Fast PEALD ZnO thin-film transistor Circuits JO - IEEE Trans Electron Devices VL - 57 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2009.2037178 DO - 10.1109/TED.2009.2037178 ID - Mourey2010 ER - TY - JOUR AU - Sun, J. AU - Mourey, D. A. AU - Zhao, D. AU - Park, K. AU - Nelson, S. F. AU - Levey, D. H. AU - Freeman, D. AU - Cowdery-Corvan, P. AU - Tutt, L. AU - Jackson, T. N. PY - 2008 DA - 2008// TI - ZnO thin film transistor ring oscillators with 31-ns propagation delay JO - IEEE Electron Device Lett VL - 29 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2008.923206 DO - 10.1109/LED.2008.923206 ID - Sun2008 ER - TY - JOUR AU - Jeon, S. AU - Bang, S. AU - Lee, S. AU - Kwon, S. AU - Jeong, W. AU - Jeon, H. AU - Chang, H. J. AU - Park, H. H. PY - 2008 DA - 2008// TI - Structural and electrical properties of ZnO thin films deposited by atomic layer deposition at low temperatures JO - J Electrochem Soc VL - 155 UR - https://doi.org/10.1149/1.2957915 DO - 10.1149/1.2957915 ID - Jeon2008 ER - TY - JOUR AU - King, D. AU - Liang, X. AU - Li, P. AU - Weimer, A. PY - 2008 DA - 2008// TI - Low-temperature atomic layer deposition of ZnO films on particles in a fluidized bed reactor JO - Thin Solid Films VL - 516 UR - https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.05.026 DO - 10.1016/j.tsf.2008.05.026 ID - King2008 ER - TY - JOUR AU - Guziewicz, E. AU - Kowalik, I. A. AU - Godlewski, M. AU - Kopalko, K. AU - Osinniy, V. AU - Wojcik, A. AU - Yatsunenko, S. AU - Lusakowska, E. AU - Paszkowicz, W. AU - Guziewicz, M. PY - 2008 DA - 2008// TI - Extremely low temperature growth of ZnO by atomic layer deposition JO - J Appl Phys VL - 103 UR - https://doi.org/10.1063/1.2836819 DO - 10.1063/1.2836819 ID - Guziewicz2008 ER - TY - JOUR AU - Sultan, S. M. AU - Clark, O. D. AU - Masaud, T. B. AU - Fang, Q. AU - Gunn, R. AU - Hakim, M. M. A. AU - Sun, K. AU - Ashburn, P. AU - Chong, H. M. H. PY - 2012 DA - 2012// TI - Remote plasma enhanced atomic layer deposition of ZnO for thin film electronic applications JO - Microelectron Eng VL - 97 UR - https://doi.org/10.1016/j.mee.2012.04.019 DO - 10.1016/j.mee.2012.04.019 ID - Sultan2012 ER - TY - JOUR AU - Ra, H. W. AU - Choi, K. S. AU - Kim, J. H. AU - Hahn, Y. B. AU - Im, Y. H. PY - 2008 DA - 2008// TI - Fabrication of ZnO nanowires using nanoscale spacer lithography for gas sensors JO - Small VL - 4 UR - https://doi.org/10.1002/smll.200700922 DO - 10.1002/smll.200700922 ID - Ra2008 ER - TY - JOUR AU - Sultan, S. M. AU - Sun, K. AU - Clark, O. D. AU - Masaud, T. B. AU - Fang, Q. AU - Gunn, R. AU - Partridge, J. AU - Allen, M. W. AU - Ashburn, P. AU - Chong, H. M. H. PY - 2012 DA - 2012// TI - Electrical characteristics of top-down ZnO nanowire transistors using remote plasma ALD JO - IEEE Electron Device Lett VL - 33 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2011.2174607 DO - 10.1109/LED.2011.2174607 ID - Sultan2012 ER - TY - JOUR AU - Park, S. Y. AU - Di Giacomo, S. J. AU - Anisha, R. AU - Berger, P. R. PY - 2010 DA - 2010// TI - Fabrication of nanowires with high aspect ratios utilized by dry etching with SF6:C4F8 and self-limiting thermal oxidation on Si substrate JO - J Vac Sci Technol B VL - 28 UR - https://doi.org/10.1116/1.3455498 DO - 10.1116/1.3455498 ID - Park2010 ER - TY - JOUR AU - Pearton, S. J. AU - Norton, D. P. AU - Ren, F. PY - 2007 DA - 2007// TI - The promise and perils of wide-bandgap semiconductor nanowires for sensing, electronic, and photonic applications JO - Small VL - 3 UR - https://doi.org/10.1002/smll.200700042 DO - 10.1002/smll.200700042 ID - Pearton2007 ER - TY - JOUR AU - Ozgur, U. AU - Alivov, Y. I. AU - Liu, C. AU - Teke, A. AU - Reshchikov, M. A. AU - Doan, S. AU - Avrutin, V. AU - Cho, S. J. AU - Morkoc, H. PY - 2005 DA - 2005// TI - A comprehensive review of ZnO materials and devices JO - J Appl Phys VL - 98 UR - https://doi.org/10.1063/1.1992666 DO - 10.1063/1.1992666 ID - Ozgur2005 ER - TY - JOUR AU - Ahnood, A. AU - Ghaffarzadeh, K. AU - Nathan, A. AU - Servati, P. AU - Li, F. AU - Esmaeili-Rad, M. R. AU - Sazonov, A. PY - 2008 DA - 2008// TI - Non-ohmic contact resistance and field-effect mobility in nanocrystalline silicon thin film transistors JO - Appl Phys Lett VL - 93 UR - https://doi.org/10.1063/1.2999590 DO - 10.1063/1.2999590 ID - Ahnood2008 ER - TY - JOUR AU - Hossain, F. M. AU - Nishii, J. AU - Takagi, S. AU - Ohtomo, A. AU - Fukumura, T. AU - Fujioka, H. AU - Ohno, H. AU - Koinuma, H. AU - Kawasaki, M. PY - 2003 DA - 2003// TI - Modeling and simulation of polycrystalline ZnO thin-film transistors JO - J Appl Phys VL - 94 UR - https://doi.org/10.1063/1.1628834 DO - 10.1063/1.1628834 ID - Hossain2003 ER - TY - JOUR AU - Pearton, S. J. AU - Norton, D. P. AU - Li-Chia, T. AU - Guo, J. PY - 2008 DA - 2008// TI - Modelling and fabrication of ZnO nanowire transistors JO - IEEE Trans on Electron Devices VL - 55 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2008.2005157 DO - 10.1109/TED.2008.2005157 ID - Pearton2008 ER - TY - JOUR AU - Hai-Xia, G. AU - Rong, H. AU - Yin-Tang, Y. PY - 2011 DA - 2011// TI - Modeling of polycrystalline ZnO thin-film transistors with a consideration of the deep and tail states JO - Chin Phys B VL - 20 UR - https://doi.org/10.1088/1674-1056/20/11/116803 DO - 10.1088/1674-1056/20/11/116803 ID - Hai-Xia2011 ER - TY - JOUR AU - Chang, P. C. AU - Lu, J. G. PY - 2008 DA - 2008// TI - ZnO nanowire field-effect transistors JO - IEEE Trans Electron Devices VL - 55 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2008.2005181 DO - 10.1109/TED.2008.2005181 ID - Chang2008 ER - TY - JOUR AU - Park, W. I. AU - Kim, J. S. AU - Yi, G. C. AU - Bae, M. H. AU - Lee, H. J. PY - 2004 DA - 2004// TI - Fabrication and electrical characteristics of high-performance ZnO nanorod field-effect transistors JO - Appl Phys Lett VL - 85 UR - https://doi.org/10.1063/1.1821648 DO - 10.1063/1.1821648 ID - Park2004 ER - TY - JOUR AU - Hong, W. K. AU - Jo, G. AU - Kwon, S. S. AU - Song, S. AU - Lee, T. PY - 2008 DA - 2008// TI - Electrical properties of surface-tailored ZnO nanowire field-effect transistors JO - IEEE Trans Electron Devices VL - 55 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2008.2005156 DO - 10.1109/TED.2008.2005156 ID - Hong2008 ER - TY - JOUR AU - Ng, H. T. AU - Han, J. AU - Yamada, T. AU - Nguyen, P. AU - Chen, Y. P. AU - Meyyappan, M. PY - 2005 DA - 2005// TI - Single crystal nanowire vertical surround-gate field-effect transistor JO - Nano Lett VL - 4 UR - https://doi.org/10.1021/nl049461z DO - 10.1021/nl049461z ID - Ng2005 ER - TY - JOUR AU - Goldberger, J. AU - Sirbuly, D. J. AU - Law, M. AU - Yang, P. PY - 2005 DA - 2005// TI - ZnO nanowire transistors JO - J Phys Chem B VL - 109 UR - https://doi.org/10.1021/jp0452599 DO - 10.1021/jp0452599 ID - Goldberger2005 ER - TY - JOUR AU - Fan, Z. AU - Wang, D. AU - Chang, P. C. AU - Tseng, W. Y. AU - Lu, J. G. PY - 2004 DA - 2004// TI - ZnO nanowire field-effect transistor and oxygen sensing property JO - Appl Phys Lett VL - 85 UR - https://doi.org/10.1063/1.1836870 DO - 10.1063/1.1836870 ID - Fan2004 ER - TY - JOUR AU - Ju, S. AU - Lee, K. AU - Yoon, M. H. AU - Facchetti, A. AU - Marks, T. J. AU - Janes, D. B. PY - 2007 DA - 2007// TI - High performance ZnO nanowire field effect transistors with organic gate nanodielectrics: effects of metal contacts and ozone treatment JO - Nanotechnology VL - 18 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/18/15/155201 DO - 10.1088/0957-4484/18/15/155201 ID - Ju2007 ER - TY - JOUR AU - Jeon, P. J. AU - Lee, Y. T. AU - Ha, R. AU - Choi, H. J. AU - Yoon, K. H. AU - Sung, M. M. AU - Im, S. PY - 2012 DA - 2012// TI - Annealing-induced conductivity transition in ZnO nanowires for field-effect devices JO - Appl Phys Lett VL - 101 UR - https://doi.org/10.1063/1.4739520 DO - 10.1063/1.4739520 ID - Jeon2012 ER -