TY - JOUR AU - Yang, P. C. AU - Chang, T. C. AU - Chen, S. C. AU - Lin, Y. S. AU - Huang, H. C. AU - Gan, D. S. PY - 2011 DA - 2011// TI - Influence of bias-induced copper diffusion on the resistive switching characteristics of a SiON thin film JO - Electrochem Solid State Lett VL - 14 UR - https://doi.org/10.1149/1.3518701 DO - 10.1149/1.3518701 ID - Yang2011 ER - TY - JOUR AU - Syu, Y. E. AU - Chang, T. C. AU - Tsai, T. M. AU - Hung, Y. C. AU - Chang, K. C. AU - Tsai, M. J. AU - Kao, M. J. AU - Sze, S. M. PY - 2011 DA - 2011// TI - Redox reaction switching mechanism in RRAM device with Pt/CoSiOX/TiN structure JO - IEEE Electron Device Lett VL - 32 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2011.2104936 DO - 10.1109/LED.2011.2104936 ID - Syu2011 ER - TY - JOUR AU - Yang, C. F. AU - Chen, K. H. AU - Chen, Y. C. AU - Chang, T. C. PY - 2007 DA - 2007// TI - Fabrication and study on one-transistor-capacitor structure of nonvolatile random access memory TFT devices using ferroelectric gated oxide film JO - IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control VL - 54 UR - https://doi.org/10.1109/TUFFC.2007.457 DO - 10.1109/TUFFC.2007.457 ID - Yang2007 ER - TY - JOUR AU - Chen, K. H. AU - Chang, T. C. AU - Chang, G. C. AU - Hsu, Y. E. AU - Chen, Y. C. AU - Xu, H. Q. PY - 2010 DA - 2010// TI - Low temperature improvement method on characteristics of Ba(Zr0.1Ti0.9)O-3 thin films deposited on indium tin oxide/glass substrates JO - Appl Phys A-Mater Sci Process VL - 99 UR - https://doi.org/10.1007/s00339-009-5523-5 DO - 10.1007/s00339-009-5523-5 ID - Chen2010 ER - TY - JOUR AU - Chen, K. H. AU - Liao, C. H. AU - Tsai, J. H. AU - Wu, S. PY - 2013 DA - 2013// TI - Electrical conduction and bipolar switching properties in transparent vanadium oxide resistive random access memory (RRAM) devices JO - Appl Physics A VL - 110 UR - https://doi.org/10.1007/s00339-012-7116-y DO - 10.1007/s00339-012-7116-y ID - Chen2013 ER - TY - STD TI - Chen KH, Chang KC, Chang TC, Tsai TM, Liao KH, Syu YE, Simon M. Sze (2016) Effect of different constant compliance current for hopping conduction distance properties of the Sn:SiOx thin film RRAM devices. 122:228. doi:10.1007/s00339-016-9768-5 ID - ref6 ER - TY - JOUR AU - Chang, K. C. AU - Tsai, T. M. AU - Chang, T. C. AU - Syu, Y. E. AU - Chuang, S. L. AU - Li, C. H. AU - Gan, D. S. AU - Sze, S. M. PY - 2012 DA - 2012// TI - The effect of silicon oxide based RRAM with tin doping JO - Electrochem Solid State Lett VL - 15 UR - https://doi.org/10.1149/2.013203esl DO - 10.1149/2.013203esl ID - Chang2012 ER - TY - JOUR AU - Liu, Q. AU - Long, S. B. AU - Wang, W. AU - Zuo, Q. Y. AU - Zhang, S. AU - Chen, J. N. AU - Liu, M. PY - 2009 DA - 2009// TI - Improvement of resistive switching properties in ZrO2-based ReRAM with implanted Ti ions JO - IEEE Electron Device Lett VL - 30 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2009.2032566 DO - 10.1109/LED.2009.2032566 ID - Liu2009 ER - TY - JOUR AU - Wang, Y. AU - Liu, Q. AU - Long, S. B. AU - Wang, W. AU - Wang, Q. AU - Zhang, M. H. AU - Zhang, S. AU - Li, Y. T. AU - Zuo, Q. Y. AU - Yang, J. H. AU - Liu, M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications JO - Nanotechnology VL - 21 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/4/045202 DO - 10.1088/0957-4484/21/4/045202 ID - Wang2010 ER - TY - JOUR AU - Li, Y. T. AU - Long, S. B. AU - Zhang, M. H. AU - Liu, Q. AU - Shao, L. B. AU - Zhang, S. AU - Wang, Y. AU - Zuo, Q. Y. AU - Liu, S. AU - Liu, M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Resistive switching properties of Au/ZrO2/Ag structure for low voltage nonvolatile memory applications JO - IEEE Electron Device Lett VL - 31 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2009.2036276 DO - 10.1109/LED.2009.2036276 ID - Li2010 ER - TY - JOUR AU - Feng, L. W. AU - Chang, C. Y. AU - Chang, Y. F. AU - Chen, W. R. AU - Wang, S. Y. AU - Chiang, P. W. AU - Chang, T. C. PY - 2010 DA - 2010// TI - A study of resistive switching effects on a thin FeOx transition layer produced at the oxide/iron interface of TiN/SiO2/Fe-contented electrode structures JO - Appl Phys Lett VL - 96 UR - https://doi.org/10.1063/1.3294632 DO - 10.1063/1.3294632 ID - Feng2010 ER - TY - JOUR AU - Feng, L. W. AU - Chang, C. Y. AU - Chang, Y. F. AU - Chang, T. C. AU - Wang, S. Y. AU - Chen, S. C. AU - Lin, C. C. AU - Chen, S. C. AU - Chiang, P. W. PY - 2010 DA - 2010// TI - Improvement of resistance switching characteristics in a thin FeOx transition layer of TiN/SiO2/FeOx/FePt structure by rapid annealing JO - Appl Phys Lett VL - 96 UR - https://doi.org/10.1063/1.3428777 DO - 10.1063/1.3428777 ID - Feng2010 ER -