TY - JOUR AU - Bez, R. AU - Camerlenghi, E. AU - Modelli, A. AU - Visconti, A. PY - 2003 DA - 2003// TI - Introduction to flash memory JO - Proc IEEE VL - 91 UR - https://doi.org/10.1109/JPROC.2003.811702 DO - 10.1109/JPROC.2003.811702 ID - Bez2003 ER - TY - STD TI - Tseng T-Y, Sze SM (2012) Nonvolatile memories materials, devices and applications, Vol. 1. American Scientific Publishers, CA. USA. ISBN:1-58883-250-3 ID - ref2 ER - TY - JOUR AU - Panda, D. AU - Panda, M. PY - 2016 DA - 2016// TI - Non-volatile flash memory characteristics of tetralayer nickel-germanide nanocrystals embedded structure JO - J Nanosci Nanotechnol VL - 16 UR - https://doi.org/10.1166/jnn.2016.11047 DO - 10.1166/jnn.2016.11047 ID - Panda2016 ER - TY - JOUR AU - Panda, D. AU - Dhar, A. AU - Ray, S. K. PY - 2009 DA - 2009// TI - Improved charge storage characteristics of the tetralayer non-volatile memory structure using nickel nanocrystal trapping layer JO - Semicond Sci Technol VL - 24 UR - https://doi.org/10.1088/0268-1242/24/11/115020 DO - 10.1088/0268-1242/24/11/115020 ID - Panda2009 ER - TY - JOUR AU - Panda, D. AU - Maikap, S. AU - Dhar, a. AU - Ray, S. K. PY - 2009 DA - 2009// TI - Memory characteristics of nickel nanocrystals with high-k dielectric tunneling barriers JO - Electrochem Solid-State Lett VL - 12 UR - https://doi.org/10.1149/1.3006024 DO - 10.1149/1.3006024 ID - Panda2009 ER - TY - JOUR AU - Makarov, a. AU - Sverdlov, V. AU - Selberherr, S. PY - 2012 DA - 2012// TI - Emerging memory technologies: trends, challenges, and modeling methods JO - Microelectron Reliab VL - 52 UR - https://doi.org/10.1016/j.microrel.2011.10.020 DO - 10.1016/j.microrel.2011.10.020 ID - Makarov2012 ER - TY - JOUR AU - Seo, Y. AU - Song, M. Y. AU - An, H. AU - Kim, T. G. PY - 2013 DA - 2013// TI - A CMOS-process-compatible ZnO-based charge-trap flash memory JO - IEEE Electron Device Lett VL - 34 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2012.2235059 DO - 10.1109/LED.2012.2235059 ID - Seo2013 ER - TY - JOUR AU - El-Atab, N. AU - Cimen, F. AU - Alkis, S. AU - Okyay, A. K. AU - Nayfeh, A. PY - 2014 DA - 2014// TI - Enhanced memory effect with embedded graphene nanoplatelets in ZnO charge trapping layer JO - Appl Phys Lett VL - 105 UR - https://doi.org/10.1063/1.4891050 DO - 10.1063/1.4891050 ID - El-Atab2014 ER - TY - JOUR AU - He, S. AU - Bai, H. AU - Liu, G. AU - Li, Q. AU - Yan, S. AU - Chen, Y. AU - Mei, L. AU - Liu, H. AU - Wang, S. AU - Han, X. PY - 2012 DA - 2012// TI - Enhanced tunnel magnetoresistance in fully epitaxial ZnO:Co-based magnetic tunnel junctions with Mg-doped ZnO barrier JO - Appl Phys Lett VL - 100 UR - https://doi.org/10.1063/1.3698151 DO - 10.1063/1.3698151 ID - He2012 ER - TY - JOUR AU - Yeh, M. -. S. AU - Wu, Y. -. C. AU - Hung, M. -. F. AU - Liu, K. -. C. AU - Jhan, Y. -. R. AU - Chen, L. -. C. AU - Chang, C. -. Y. PY - 2013 DA - 2013// TI - Fabrication, characterization and simulation of Ω-gate twin poly-Si FinFET nonvolatile memory JO - Nanoscale Res Lett VL - 8 UR - https://doi.org/10.1186/1556-276X-8-331 DO - 10.1186/1556-276X-8-331 ID - Yeh2013 ER - TY - JOUR AU - Avrutin, V. AU - Izyumskaya, N. AU - Ozgur, U. AU - Silversmith, D. J. AU - Morkoç, H. PY - 2010 DA - 2010// TI - Ferromagnetism in ZnO- and GaN-based diluted magnetic semiconductors: achievements and challenges JO - Proc IEEE VL - 98 UR - https://doi.org/10.1109/JPROC.2010.2044966 DO - 10.1109/JPROC.2010.2044966 ID - Avrutin2010 ER - TY - JOUR AU - Bak, J. Y. AU - Yoon, S. M. PY - 2014 DA - 2014// TI - High-performance transparent, all-oxide nonvolatile charge trap memory transistor using In-Ga-Zn-O channel and ZnO trap layer JO - J Vac Sci Technol VL - 32 UR - https://doi.org/10.1116/1.4899180 DO - 10.1116/1.4899180 ID - Bak2014 ER - TY - JOUR AU - Lee, Y. T. AU - Ali Raza, S. R. AU - Jeon, P. J. AU - Ha, R. AU - Choi, H. -. J. AU - Im, S. PY - 2013 DA - 2013// TI - Long single ZnO nanowire for logic and memory circuits: NOT, NAND, NOR gate, and SRAM JO - Nanoscale VL - 5 UR - https://doi.org/10.1039/c3nr01015e DO - 10.1039/c3nr01015e ID - Lee2013 ER - TY - JOUR AU - Jia, Z. AU - Zhang, M. -. M. AU - Ren, T. -. L. PY - 2011 DA - 2011// TI - Modulation effect of lead zirconate titanate for zinc oxide channel resistance in ferroelectric field effect transistor JO - Ferroelectrics VL - 421 UR - https://doi.org/10.1080/00150193.2011.594734 DO - 10.1080/00150193.2011.594734 ID - Jia2011 ER - TY - JOUR AU - Gupta, D. AU - Anand, M. AU - Ryu, S. W. AU - Choi, Y. K. AU - Yoo, S. PY - 2008 DA - 2008// TI - Nonvolatile memory based on sol-gel ZnO thin-film transistors with Ag nanoparticles embedded in the ZnO/gate insulator interface JO - Appl Phys Lett VL - 93 ID - Gupta2008 ER - TY - JOUR AU - Yoon, J. AU - Hong, W. -. K. AU - Jo, M. AU - Jo, G. AU - Choe, M. AU - Park, W. AU - Sohn, J. I. AU - Nedic, S. AU - Hwang, H. AU - Welland, M. E. AU - Lee, T. PY - 2011 DA - 2011// TI - Nonvolatile memory functionality of ZnO nanowire transistors controlled by mobile protons JO - ACS Nano VL - 5 UR - https://doi.org/10.1021/nn102633z DO - 10.1021/nn102633z ID - Yoon2011 ER - TY - JOUR AU - Cha, S. H. AU - Park, A. AU - Lee, K. H. AU - Im, S. AU - Lee, B. H. AU - Sung, M. M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Pentacene thin-film on organic/inorganic nanohybrid dielectrics for ZnO charge injection memory transistor JO - Org Electron VL - 11 UR - https://doi.org/10.1016/j.orgel.2009.09.021 DO - 10.1016/j.orgel.2009.09.021 ID - Cha2010 ER - TY - JOUR AU - Switzer, J. A. AU - Gudavarthy, R. V. AU - Kulp, E. A. AU - Mu, G. AU - He, Z. AU - Wessel, A. J. PY - 2010 DA - 2010// TI - Resistance switching in electrodeposited magnetite superlattices JO - J Am Chem Soc VL - 132 UR - https://doi.org/10.1021/ja909295y DO - 10.1021/ja909295y ID - Switzer2010 ER - TY - JOUR AU - Wang, G. AU - Chen, Y. AU - Shen, X. AU - Li, J. AU - Wang, R. AU - Lu, Y. AU - Dai, S. AU - Xu, T. AU - Nie, Q. PY - 2014 DA - 2014// TI - Reversibility and stability of ZnO-Sb 2 Te 3 nanocomposite films for phase change memory applications JO - ACS Appl Mater Interfaces VL - 6 UR - https://doi.org/10.1021/am501345x DO - 10.1021/am501345x ID - Wang2014 ER - TY - JOUR AU - Comesaña, E. AU - Aldegunde, M. AU - García-Loureiro, a. J. AU - Gehring, G. a. PY - 2010 DA - 2010// TI - Simulation of the tunnelling transport in ferromagnetic GaAs/ZnO heterojunctions JO - J Phys Conf Ser VL - 242 UR - https://doi.org/10.1088/1742-6596/242/1/012015 DO - 10.1088/1742-6596/242/1/012015 ID - Comesaña2010 ER - TY - JOUR AU - Kim, E. AU - Kim, Y. AU - Han Kim, D. AU - Lee, K. AU - Parsons, G. N. AU - Park, K. PY - 2011 DA - 2011// TI - SiNx charge-trap nonvolatile memory based on ZnO thin-film transistors JO - Appl Phys Lett VL - 99 ID - Kim2011 ER - TY - JOUR AU - Li, Q. AU - Shen, T. -. T. AU - Cao, Y. -. L. AU - Zhang, K. AU - Yan, S. -. S. AU - Tian, Y. -. F. AU - Kang, S. -. S. AU - Zhao, M. -. W. AU - Dai, Y. -. Y. AU - Chen, Y. -. X. AU - Liu, G. -. L. AU - Mei, L. -. M. AU - Wang, X. -. L. AU - Grünberg, P. PY - 2014 DA - 2014// TI - Spin memristive magnetic tunnel junctions with CoO-ZnO nano composite barrier JO - Sci Rep VL - 4 ID - Li2014 ER - TY - JOUR AU - Oruc, F. B. AU - Cimen, F. AU - Rizk, A. AU - Ghaffari, M. AU - Nayfeh, A. AU - Okyay, A. K. PY - 2012 DA - 2012// TI - Thin-film ZnO charge-trapping memory cell grown in a single ALD step JO - IEEE Electron Device Lett VL - 33 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2012.2219493 DO - 10.1109/LED.2012.2219493 ID - Oruc2012 ER - TY - JOUR AU - Park, C. H. AU - Im, S. AU - Yun, J. AU - Lee, G. H. AU - Lee, B. H. AU - Sung, M. M. PY - 2009 DA - 2009// TI - Transparent photostable ZnO nonvolatile memory transistor with ferroelectric polymer and sputter-deposited oxide gate JO - Appl Phys Lett VL - 95 UR - https://doi.org/10.1063/1.3269576 DO - 10.1063/1.3269576 ID - Park2009 ER - TY - JOUR AU - Tsymbal, E. Y. PY - 2006 DA - 2006// TI - Applied physics: tunneling across a ferroelectric JO - Science (80-) VL - 313 UR - https://doi.org/10.1126/science.1126230 DO - 10.1126/science.1126230 ID - Tsymbal2006 ER - TY - JOUR AU - Kahng, D. AU - Sze, S. M. PY - 1967 DA - 1967// TI - A floating gate and its application to memory devices JO - Bell Syst Tech J VL - 46 UR - https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1967.tb01738.x DO - 10.1002/j.1538-7305.1967.tb01738.x ID - Kahng1967 ER - TY - JOUR AU - Terabe, K. AU - Hasegawa, T. AU - Nakayama, T. AU - Aono, M. PY - 2005 DA - 2005// TI - Quantized conductance atomic switch JO - Nature VL - 433 UR - https://doi.org/10.1038/nature03190 DO - 10.1038/nature03190 ID - Terabe2005 ER - TY - JOUR AU - Cen, C. AU - Thiel, S. AU - Mannhart, J. AU - Levy, J. PY - 2009 DA - 2009// TI - Oxide nanoelectronics on demand JO - Science VL - 323 UR - https://doi.org/10.1126/science.1168294 DO - 10.1126/science.1168294 ID - Cen2009 ER - TY - JOUR AU - Wuttig, M. AU - Yamada, N. PY - 2007 DA - 2007// TI - Phase-change materials for rewriteable data storage JO - Nat Mater VL - 6 UR - https://doi.org/10.1038/nmat2009 DO - 10.1038/nmat2009 ID - Wuttig2007 ER - TY - JOUR AU - Panda, D. AU - Dhar, A. AU - Ray, S. K. PY - 2008 DA - 2008// TI - Schottky barrier characteristics of cobalt-nickel silicide/n-Si junctions for scaled-Si CMOS applications JO - IEEE Trans Electron Devices VL - 55 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2008.927632 DO - 10.1109/TED.2008.927632 ID - Panda2008 ER - TY - JOUR AU - Waser, R. AU - Aono, M. PY - 2007 DA - 2007// TI - Nanoionics-based resistive switching memories JO - Nat Mater VL - 6 UR - https://doi.org/10.1038/nmat2023 DO - 10.1038/nmat2023 ID - Waser2007 ER - TY - JOUR AU - Strukov, D. B. AU - Snider, G. S. AU - Stewart, D. R. AU - Williams, R. S. PY - 2008 DA - 2008// TI - The missing memristor found JO - Nature VL - 453 UR - https://doi.org/10.1038/nature06932 DO - 10.1038/nature06932 ID - Strukov2008 ER - TY - JOUR AU - Panda, D. AU - Tseng, T. -. Y. PY - 2013 DA - 2013// TI - Growth, dielectric properties, and memory device applications of ZrO2 thin films JO - Thin Solid Films VL - 531 UR - https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.01.004 DO - 10.1016/j.tsf.2013.01.004 ID - Panda2013 ER - TY - JOUR AU - Panda, D. AU - Tseng, T. -. Y. PY - 2014 DA - 2014// TI - Perovskite oxides as resistive switching memories: a review JO - Ferroelectrics VL - 471 UR - https://doi.org/10.1080/00150193.2014.922389 DO - 10.1080/00150193.2014.922389 ID - Panda2014 ER - TY - JOUR AU - Li, Y. AU - Long, S. AU - Liu, Q. AU - Lü, H. AU - Liu, S. AU - Liu, M. PY - 2011 DA - 2011// TI - An overview of resistive random access memory devices JO - Chinese Sci Bull VL - 56 UR - https://doi.org/10.1007/s11434-011-4671-0 DO - 10.1007/s11434-011-4671-0 ID - Li2011 ER - TY - JOUR AU - Lin, C. -. Y. AU - Liu, C. -. Y. AU - Lin, C. -. C. AU - Tseng, T. Y. PY - 2007 DA - 2007// TI - Current status of resistive nonvolatile memories JO - J Electroceramics VL - 21 UR - https://doi.org/10.1007/s10832-007-9081-y DO - 10.1007/s10832-007-9081-y ID - Lin2007 ER - TY - JOUR AU - Jeong, D. S. AU - Thomas, R. AU - Katiyar, R. S. AU - Scott, J. F. AU - Kohlstedt, H. AU - Petraru, a. AU - Hwang, C. S. PY - 2012 DA - 2012// TI - Emerging memories: resistive switching mechanisms and current status JO - Rep Prog Phys VL - 75 UR - https://doi.org/10.1088/0034-4885/75/7/076502 DO - 10.1088/0034-4885/75/7/076502 ID - Jeong2012 ER - TY - JOUR AU - Lee, J. AU - Jo, M. AU - Seong, D. AU - Shin, J. AU - Hwang, H. PY - 2011 DA - 2011// TI - Materials and process aspect of cross-point RRAM (invited) JO - Microelectron Eng VL - 88 UR - https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.035 DO - 10.1016/j.mee.2011.03.035 ID - Lee2011 ER - TY - JOUR AU - Yang, J. J. AU - Pickett, M. D. AU - Li, X. AU - Ohlberg, D. a. a. AU - Stewart, D. R. AU - Williams, R. S. PY - 2008 DA - 2008// TI - Memristive switching mechanism for metal/oxide/metal nanodevices JO - Nat Nanotechnol VL - 3 UR - https://doi.org/10.1038/nnano.2008.160 DO - 10.1038/nnano.2008.160 ID - Yang2008 ER - TY - JOUR AU - Yang, J. J. AU - Inoue, I. H. AU - Mikolajick, T. AU - Hwang, C. S. PY - 2012 DA - 2012// TI - Metal oxide memories based on thermochemical and valence change mechanisms JO - MRS Bull VL - 37 UR - https://doi.org/10.1557/mrs.2011.356 DO - 10.1557/mrs.2011.356 ID - Yang2012 ER - TY - JOUR AU - Yang, Y. AU - Lu, W. PY - 2013 DA - 2013// TI - Nanoscale resistive switching devices: mechanisms and modeling JO - Nanoscale VL - 5 UR - https://doi.org/10.1039/c3nr03472k DO - 10.1039/c3nr03472k ID - Yang2013 ER - TY - JOUR AU - Pan, F. AU - Chen, C. AU - Wang, Z. AU - Yang, Y. AU - Yang, J. AU - Zeng, F. PY - 2010 DA - 2010// TI - Nonvolatile resistive switching memories-characteristics, mechanisms and challenges JO - Prog Nat Sci Mater Int VL - 20 UR - https://doi.org/10.1016/S1002-0071(12)60001-X DO - 10.1016/S1002-0071(12)60001-X ID - Pan2010 ER - TY - JOUR AU - Pan, F. AU - Gao, S. AU - Chen, C. AU - Song, C. AU - Zeng, F. PY - 2014 DA - 2014// TI - Recent progress in resistive random access memories: materials, switching mechanisms, and performance JO - Mater Sci Eng R Reports VL - 83 UR - https://doi.org/10.1016/j.mser.2014.06.002 DO - 10.1016/j.mser.2014.06.002 ID - Pan2014 ER - TY - JOUR AU - Waser, R. AU - Dittmann, R. AU - Staikov, G. AU - Szot, K. PY - 2009 DA - 2009// TI - Redox-based resistive switching memories—nanoionic mechanisms, prospects, and challenges JO - Adv Mater VL - 21 UR - https://doi.org/10.1002/adma.200900375 DO - 10.1002/adma.200900375 ID - Waser2009 ER - TY - JOUR AU - Akinaga, H. AU - Shima, H. PY - 2010 DA - 2010// TI - Resistive random access memory (ReRAM) based on metal oxides JO - Proc IEEE VL - 98 UR - https://doi.org/10.1109/JPROC.2010.2070830 DO - 10.1109/JPROC.2010.2070830 ID - Akinaga2010 ER - TY - JOUR AU - Zhu, X. -. J. AU - Shang, J. AU - Li, R. -. W. PY - 2012 DA - 2012// TI - Resistive switching effects in oxide sandwiched structures JO - Front Mater Sci VL - 6 UR - https://doi.org/10.1007/s11706-012-0170-8 DO - 10.1007/s11706-012-0170-8 ID - Zhu2012 ER - TY - STD TI - Chua L. Memristor-The missing circuit element. IEEE Trans Circuit Theory. doi: 10.1109/TCT.1971.1083337 ID - ref47 ER - TY - JOUR AU - Tour, J. M. AU - He, T. PY - 2008 DA - 2008// TI - Electronics: the fourth element JO - Nature VL - 453 UR - https://doi.org/10.1038/453042a DO - 10.1038/453042a ID - Tour2008 ER - TY - JOUR AU - Hickmott, T. W. PY - 1962 DA - 1962// TI - Low-frequency negative resistance in thin anodic oxide films JO - J Appl Phys VL - 33 UR - https://doi.org/10.1063/1.1702530 DO - 10.1063/1.1702530 ID - Hickmott1962 ER - TY - STD TI - Gibbons JF, Beadle WE (1964) Switching properties of thin NiO films. Solid State Electronics 7:785–90. doi:10.1016/0038-1101(64)90131-5 ID - ref50 ER - TY - JOUR AU - Simmons, J. G. AU - Verderber, R. R. PY - 1967 DA - 1967// TI - New conduction and reversible memory phenomena in thin insulating films JO - Proc R Soc A Math Phys Eng Sci VL - 301 UR - https://doi.org/10.1098/rspa.1967.0191 DO - 10.1098/rspa.1967.0191 ID - Simmons1967 ER - TY - JOUR AU - Huang, H. -. W. AU - Kang, C. -. F. AU - Lai, F. -. I. AU - He, J. -. H. AU - Lin, S. -. J. AU - Chueh, Y. -. L. PY - 2013 DA - 2013// TI - Stability scheme of ZnO-thin film resistive switching memory: influence of defects by controllable oxygen pressure ratio JO - Nanoscale Res Lett VL - 8 UR - https://doi.org/10.1186/1556-276X-8-483 DO - 10.1186/1556-276X-8-483 ID - Huang2013 ER - TY - JOUR AU - Wang, Z. Q. AU - Xu, H. Y. AU - Zhang, L. AU - Li, X. H. AU - Ma, J. G. AU - Zhang, X. T. AU - Liu, Y. C. PY - 2013 DA - 2013// TI - Performance improvement of resistive switching memory achieved by enhancing local-electric-field near electromigrated Ag-nanoclusters JO - Nanoscale VL - 5 UR - https://doi.org/10.1039/c3nr33692a DO - 10.1039/c3nr33692a ID - Wang2013 ER - TY - JOUR AU - Simanjuntak, F. M. AU - Panda, D. AU - Tsai, T. -. L. AU - Lin, C. -. A. AU - Wei, K. -. H. AU - Tseng, T. -. Y. PY - 2015 DA - 2015// TI - Enhanced switching uniformity in AZO/ZnO1−x/ITO transparent resistive memory devices by bipolar double forming JO - Appl Phys Lett VL - 107 UR - https://doi.org/10.1063/1.4927284 DO - 10.1063/1.4927284 ID - Simanjuntak2015 ER - TY - JOUR AU - Chen, X. AU - Hu, W. AU - Wu, S. AU - Bao, D. PY - 2014 DA - 2014// TI - Stabilizing resistive switching performances of TiN/MgZnO/ZnO/Pt heterostructure memory devices by programming the proper compliance current JO - Appl Phys Lett VL - 104 UR - https://doi.org/10.1063/1.4863744 DO - 10.1063/1.4863744 ID - Chen2014 ER - TY - JOUR AU - Zhuge, F. AU - Peng, S. AU - He, C. AU - Zhu, X. AU - Chen, X. AU - Liu, Y. AU - Li, R. -. W. PY - 2011 DA - 2011// TI - Improvement of resistive switching in Cu/ZnO/Pt sandwiches by weakening the randomicity of the formation/rupture of Cu filaments JO - Nanotechnology VL - 22 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/22/27/275204 DO - 10.1088/0957-4484/22/27/275204 ID - Zhuge2011 ER - TY - JOUR AU - Shih, A. AU - Zhou, W. AU - Qiu, J. AU - Yang, H. -. J. AU - Chen, S. AU - Mi, Z. AU - Shih, I. PY - 2010 DA - 2010// TI - Highly stable resistive switching on monocrystalline ZnO JO - Nanotechnology VL - 21 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/12/125201 DO - 10.1088/0957-4484/21/12/125201 ID - Shih2010 ER - TY - JOUR AU - Kathalingam, A. AU - Kim, H. S. AU - Kim, S. D. AU - Park, H. C. PY - 2015 DA - 2015// TI - Light induced resistive switching property of solution synthesized ZnO nanorod JO - Opt Mater (Amst) VL - 48 UR - https://doi.org/10.1016/j.optmat.2015.08.001 DO - 10.1016/j.optmat.2015.08.001 ID - Kathalingam2015 ER - TY - JOUR AU - Chuang, M. -. Y. AU - Chen, Y. -. C. AU - Su, Y. -. K. AU - Hsiao, C. -. H. AU - Huang, C. -. S. AU - Tsai, J. -. J. AU - Yu, H. -. C. PY - 2014 DA - 2014// TI - Negative differential resistance behavior and memory effect in laterally bridged ZnO nanorods grown by hydrothermal method JO - ACS Appl Mater Interfaces VL - 6 UR - https://doi.org/10.1021/am404875s DO - 10.1021/am404875s ID - Chuang2014 ER - TY - JOUR AU - Lai, Y. AU - Qiu, W. AU - Zeng, Z. AU - Cheng, S. AU - Yu, J. AU - Zheng, Q. PY - 2016 DA - 2016// TI - Resistive switching of plasma-treated zinc oxide nanowires for resistive random access memory JO - Nanomaterials VL - 6 UR - https://doi.org/10.3390/nano6010016 DO - 10.3390/nano6010016 ID - Lai2016 ER - TY - JOUR AU - Lai, Y. AU - Xin, P. AU - Cheng, S. AU - Yu, J. AU - Zheng, Q. PY - 2015 DA - 2015// TI - Plasma enhanced multistate storage capability of single ZnO nanowire based memory JO - Appl Phys Lett VL - 106 UR - https://doi.org/10.1063/1.4906416 DO - 10.1063/1.4906416 ID - Lai2015 ER - TY - JOUR AU - Wang, B. AU - Ren, T. AU - Chen, S. AU - Zhang, B. AU - Zhang, R. AU - Qi, J. AU - Chu, S. AU - Huang, J. AU - Liu, J. PY - 2015 DA - 2015// TI - Resistive switching in Ga- and Sb-doped ZnO single nanowire devices JO - J Mater Chem C VL - 3 UR - https://doi.org/10.1039/C5TC02102B DO - 10.1039/C5TC02102B ID - Wang2015 ER - TY - JOUR AU - Zhao, J. AU - Cheng, B. AU - Xiao, Y. AU - Guo, R. AU - Lei, S. PY - 2015 DA - 2015// TI - Ultrahigh performance negative thermal-resistance switching based on individual ZnO:K, Cl micro/nanowires for multibit nonvolatile resistance random access memory dual-written/erased repeatedly by temperature or bias JO - J Mater Chem C VL - 3 UR - https://doi.org/10.1039/C5TC02824H DO - 10.1039/C5TC02824H ID - Zhao2015 ER - TY - JOUR AU - Huang, C. -. W. AU - Chen, J. -. Y. AU - Chiu, C. -. H. AU - Wu, W. -. W. PY - 2014 DA - 2014// TI - Revealing controllable nanowire transformation through cationic exchange for RRAM application JO - Nano Lett VL - 14 UR - https://doi.org/10.1021/nl500749q DO - 10.1021/nl500749q ID - Huang2014 ER - TY - STD TI - Huang Y, Luo Y, Shen Z, Yuan G, Zeng H (2014) Unipolar resistive switching of ZnO-single-wire memristors. Nanoscale Res Lett Springer :1-5. doi: 10.1186/1556-276X-9-381 ID - ref65 ER - TY - JOUR AU - Lai, Y. AU - Wang, Y. AU - Cheng, S. AU - Yu, J. PY - 2014 DA - 2014// TI - Defects and resistive switching of zinc oxide nanorods with copper addition grown by hydrothermal method JO - J Electron Mater VL - 43 UR - https://doi.org/10.1007/s11664-014-3116-3 DO - 10.1007/s11664-014-3116-3 ID - Lai2014 ER - TY - JOUR AU - Cheng, B. AU - Ouyang, Z. AU - Chen, C. AU - Xiao, Y. AU - Lei, S. PY - 2013 DA - 2013// TI - Individual Zn2SnO4-sheathed ZnO heterostructure nanowires for efficient resistive switching memory controlled by interface states JO - Sci Rep VL - 3 ID - Cheng2013 ER - TY - JOUR AU - Dugaiczyk, L. AU - Ngo-Duc, T. -. T. AU - Gacusan, J. AU - Singh, K. AU - Yang, J. AU - Santhanam, S. AU - Han, J. -. W. AU - Koehne, J. E. AU - Kobayashi, N. P. AU - Meyyappan, M. AU - Oye, M. M. PY - 2013 DA - 2013// TI - Resistive switching in single vertically-aligned ZnO nanowire grown directly on Cu substrate JO - Chem Phys Lett VL - 575 UR - https://doi.org/10.1016/j.cplett.2013.05.005 DO - 10.1016/j.cplett.2013.05.005 ID - Dugaiczyk2013 ER - TY - JOUR AU - Huang, Y. -. T. AU - Yu, S. -. Y. AU - Hsin, C. -. L. AU - Huang, C. -. W. AU - Kang, C. -. F. AU - Chu, F. -. H. AU - Chen, J. -. Y. AU - Hu, J. -. C. AU - Chen, L. -. T. AU - He, J. -. H. AU - Wu, W. -. W. PY - 2013 DA - 2013// TI - In situ TEM and energy dispersion spectrometer analysis of chemical composition change in ZnO nanowire resistive memories JO - Anal Chem VL - 85 UR - https://doi.org/10.1021/ac303528m DO - 10.1021/ac303528m ID - Huang2013 ER - TY - JOUR AU - Qi, J. AU - Huang, J. AU - Paul, D. AU - Ren, J. AU - Chu, S. AU - Liu, J. PY - 2013 DA - 2013// TI - Current self-complianced and self-rectifying resistive switching in Ag-electroded single Na-doped ZnO nanowires JO - Nanoscale VL - 5 UR - https://doi.org/10.1039/c3nr00027c DO - 10.1039/c3nr00027c ID - Qi2013 ER - TY - JOUR AU - Chiang, Y. AU - Chang, W. AU - Ho, C. AU - Chen, C. AU - Ho, C. PY - 2011 DA - 2011// TI - Single-ZnO-nanowire memory JO - IEEE Trans Electron Devices VL - 58 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2011.2121914 DO - 10.1109/TED.2011.2121914 ID - Chiang2011 ER - TY - JOUR AU - Mohan, R. AU - Kim, S. J. PY - 2011 DA - 2011// TI - Current biased resistive switching in ZnO whiskers JO - Jpn J Appl Phys VL - 50 UR - https://doi.org/10.1143/JJAP.50.04DJ01 DO - 10.1143/JJAP.50.04DJ01 ID - Mohan2011 ER - TY - JOUR AU - Yang, Y. AU - Zhang, X. AU - Gao, M. AU - Zeng, F. AU - Zhou, W. AU - Xie, S. AU - Pan, F. PY - 2011 DA - 2011// TI - Nonvolatile resistive switching in single crystalline ZnO nanowires JO - Nanoscale VL - 3 UR - https://doi.org/10.1039/c1nr10096c DO - 10.1039/c1nr10096c ID - Yang2011 ER - TY - JOUR AU - Dong, H. AU - Zhang, X. AU - Zhao, D. AU - Niu, Z. AU - Zeng, Q. AU - Li, J. AU - Cai, L. AU - Wang, Y. AU - Zhou, W. AU - Gao, M. AU - Xie, S. PY - 2012 DA - 2012// TI - High performance bipolar resistive switching memory devices based on Zn2SnO4 nanowires JO - Nanoscale VL - 4 UR - https://doi.org/10.1039/c2nr30133d DO - 10.1039/c2nr30133d ID - Dong2012 ER - TY - JOUR AU - Lin, D. D. AU - Wu, H. AU - Pan, W. PY - 2007 DA - 2007// TI - Photoswitches and memories assembled by electrospinning aluminum-doped zinc oxide single nanowires JO - Adv Mater VL - 19 UR - https://doi.org/10.1002/adma.200602802 DO - 10.1002/adma.200602802 ID - Lin2007 ER - TY - JOUR AU - Yang, Y. AU - Qi, J. AU - Guo, W. AU - Qin, Z. AU - Zhang, Y. PY - 2010 DA - 2010// TI - Electrical bistability and negative differential resistance in single Sb-doped ZnO nanobelts/SiOx/p-Si heterostructured devices JO - Appl Phys Lett VL - 96 ID - Yang2010 ER - TY - JOUR AU - Qi, J. AU - Olmedo, M. AU - Ren, J. AU - Zhan, N. AU - Zhao, J. AU - Zheng, J. AU - Liu, J. PY - 2012 DA - 2012// TI - Resistive switching in single epitaxial ZnO nanoislands JO - ACS Nano VL - 6 UR - https://doi.org/10.1021/nn204809a DO - 10.1021/nn204809a ID - Qi2012 ER - TY - JOUR AU - Qi, J. AU - Olmedo, M. AU - Zheng, J. -. G. AU - Liu, J. PY - 2013 DA - 2013// TI - Multimode resistive switching in single ZnO nanoisland system JO - Sci Rep VL - 3 ID - Qi2013 ER - TY - JOUR AU - Cho, B. AU - Song, S. AU - Ji, Y. AU - Kim, T. W. AU - Lee, T. PY - 2011 DA - 2011// TI - Organic resistive memory devices: performance enhancement, integration, and advanced architectures JO - Adv Funct Mater VL - 21 UR - https://doi.org/10.1002/adfm.201100686 DO - 10.1002/adfm.201100686 ID - Cho2011 ER - TY - STD TI - Yoo EJ, Lyu M, Yun J-H, Kang CJ, Choi YJ, Wang L (2015) Resistive Switching Behavior in Organic-Inorganic Hybrid CH 3 NH 3 PbI 3 −x Cl x Perovskite for Resistive Random Access Memory Devices. Adv Mater :n/a–n/a. doi: 10.1002/adma.201502889 ID - ref80 ER - TY - JOUR AU - Djurisić, A. B. AU - Leung, Y. H. PY - 2006 DA - 2006// TI - Optical properties of ZnO nanostructures JO - Small VL - 2 UR - https://doi.org/10.1002/smll.200600134 DO - 10.1002/smll.200600134 ID - Djurisić2006 ER - TY - JOUR AU - Panda, D. AU - Tseng, T. -. Y. PY - 2013 DA - 2013// TI - One-dimensional ZnO nanostructures: fabrication, optoelectronic properties, and device applications JO - J Mater Sci VL - 48 UR - https://doi.org/10.1007/s10853-013-7541-0 DO - 10.1007/s10853-013-7541-0 ID - Panda2013 ER - TY - JOUR AU - Xu, Z. AU - Yu, L. AU - Xu, X. AU - Miao, J. AU - Jiang, Y. PY - 2014 DA - 2014// TI - Effect of oxide/oxide interface on polarity dependent resistive switching behavior in ZnO/ZrO2 heterostructures JO - Appl Phys Lett VL - 104 UR - https://doi.org/10.1063/1.4878402 DO - 10.1063/1.4878402 ID - Xu2014 ER - TY - JOUR AU - Huang, C. -. H. AU - Huang, J. -. S. AU - Lai, C. -. C. AU - Huang, H. -. W. AU - Lin, S. -. J. AU - Chueh, Y. -. L. PY - 2013 DA - 2013// TI - Manipulated transformation of filamentary and homogeneous resistive switching on ZnO thin film memristor with controllable multistate JO - ACS Appl Mater Interfaces VL - 5 UR - https://doi.org/10.1021/am4007287 DO - 10.1021/am4007287 ID - Huang2013 ER - TY - JOUR AU - Xu, D. AU - Xiong, Y. AU - Tang, M. AU - Zeng, B. PY - 2014 DA - 2014// TI - Coexistence of the bipolar and unipolar resistive switching behaviors in vanadium doped ZnO films JO - J Alloys Compd VL - 584 UR - https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.09.073 DO - 10.1016/j.jallcom.2013.09.073 ID - Xu2014 ER - TY - JOUR AU - Xu, D. L. AU - Xiong, Y. AU - Tang, M. H. AU - Zeng, B. W. AU - Xiao, Y. G. PY - 2014 DA - 2014// TI - Bipolar and unipolar resistive switching modes in Pt/Zn0.99Zr0.01O/Pt structure for multi-bit resistance random access memory JO - Appl Phys Lett VL - 104 UR - https://doi.org/10.1063/1.4875383 DO - 10.1063/1.4875383 ID - Xu2014 ER - TY - JOUR AU - Xu, Q. AU - Wen, Z. AU - Wu, D. PY - 2011 DA - 2011// TI - Bipolar and unipolar resistive switching in Zn 0.98 Cu 0.02 O films JO - J Phys D Appl Phys VL - 44 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3727/44/33/335104 DO - 10.1088/0022-3727/44/33/335104 ID - Xu2011 ER - TY - JOUR AU - Lee, S. AU - Kim, H. AU - Park, J. AU - Yong, K. PY - 2010 DA - 2010// TI - Coexistence of unipolar and bipolar resistive switching characteristics in ZnO thin films JO - J Appl Phys VL - 108 ID - Lee2010 ER - TY - JOUR AU - Chen, J. -. Y. AU - Hsin, C. -. L. AU - Huang, C. -. W. AU - Chiu, C. -. H. AU - Huang, Y. -. T. AU - Lin, S. -. J. AU - Wu, W. -. W. AU - Chen, L. -. J. PY - 2013 DA - 2013// TI - Dynamic evolution of conducting nanofilament in resistive switching memories JO - Nano Lett VL - 13 UR - https://doi.org/10.1021/nl4015638 DO - 10.1021/nl4015638 ID - Chen2013 ER - TY - JOUR AU - Murali, S. AU - Rajachidambaram, J. S. AU - Han, S. -. Y. AU - Chang, C. -. H. AU - Herman, G. S. AU - Conley, J. F. PY - 2013 DA - 2013// TI - Resistive switching in zinc–tin-oxide JO - Solid State Electron VL - 79 UR - https://doi.org/10.1016/j.sse.2012.06.016 DO - 10.1016/j.sse.2012.06.016 ID - Murali2013 ER - TY - JOUR AU - Peng, H. Y. AU - Li, G. P. AU - Ye, J. Y. AU - Wei, Z. P. AU - Zhang, Z. AU - Wang, D. D. AU - Xing, G. Z. AU - Wu, T. PY - 2010 DA - 2010// TI - Electrode dependence of resistive switching in Mn-doped ZnO: filamentary versus interfacial mechanisms JO - Appl Phys Lett VL - 96 UR - https://doi.org/10.1063/1.3428365 DO - 10.1063/1.3428365 ID - Peng2010 ER - TY - JOUR AU - Hsu, C. H. AU - Fan, Y. S. AU - Liu, P. T. PY - 2013 DA - 2013// TI - Multilevel resistive switching memory with amorphous InGaZnO-based thin film JO - Appl Phys Lett VL - 102 ID - Hsu2013 ER - TY - JOUR AU - Yang, Y. AU - Gao, P. AU - Gaba, S. AU - Chang, T. AU - Pan, X. AU - Lu, W. PY - 2012 DA - 2012// TI - Observation of conducting filament growth in nanoscale resistive memories JO - Nat Commun VL - 3 UR - https://doi.org/10.1038/ncomms1737 DO - 10.1038/ncomms1737 ID - Yang2012 ER - TY - JOUR AU - Tian, X. AU - Wang, L. AU - Wei, J. AU - Yang, S. AU - Wang, W. AU - Xu, Z. AU - Bai, X. PY - 2014 DA - 2014// TI - Filament growth dynamics in solid electrolyte-based resistive memories revealed by in situ TEM JO - Nano Res VL - 7 UR - https://doi.org/10.1007/s12274-014-0469-0 DO - 10.1007/s12274-014-0469-0 ID - Tian2014 ER - TY - JOUR AU - Peng, S. AU - Zhuge, F. AU - Chen, X. AU - Zhu, X. AU - Hu, B. AU - Pan, L. AU - Chen, B. AU - Li, R. -. W. PY - 2012 DA - 2012// TI - Mechanism for resistive switching in an oxide-based electrochemical metallization memory JO - Appl Phys Lett VL - 100 UR - https://doi.org/10.1063/1.3683523 DO - 10.1063/1.3683523 ID - Peng2012 ER - TY - JOUR AU - Kwon, D. -. H. AU - Kim, K. M. AU - Jang, J. H. AU - Jeon, J. M. AU - Lee, M. H. AU - Kim, G. H. AU - Li, X. -. S. AU - Park, G. -. S. AU - Lee, B. AU - Han, S. AU - Kim, M. AU - Hwang, C. S. PY - 2010 DA - 2010// TI - Atomic structure of conducting nanofilaments in TiO2 resistive switching memory JO - Nat Nanotechnol VL - 5 UR - https://doi.org/10.1038/nnano.2009.456 DO - 10.1038/nnano.2009.456 ID - Kwon2010 ER - TY - JOUR AU - Inglis, A. D. AU - Page, Y. AU - Strobel, P. AU - Hurd, C. M. AU - Search, H. AU - Journals, C. AU - Contact, A. AU - Iopscience, M. AU - Phys, S. S. AU - Address, I. P. PY - 1983 DA - 1983// TI - Electrical conductance of crystalline Ti, Oz, for JO - J Phys C VL - 16 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3719/16/2/015 DO - 10.1088/0022-3719/16/2/015 ID - Inglis1983 ER - TY - STD TI - Kwon J, Picard YN, Skowronski M, Sharma AA, Bain JA (2014) In situ biasing TEM investigation of resistive switching events in TiO2-based RRAM. IEEE Int. Reliab. Phys. Symp. pp 5E.5.1–5E.5.5. doi:10.1109/IRPS.2014.6860680 ID - ref98 ER - TY - JOUR AU - Yoon, K. J. AU - Lee, M. H. AU - Kim, G. H. AU - Song, S. J. AU - Seok, J. Y. AU - Han, S. AU - Yoon, J. H. AU - Kim, K. M. AU - Hwang, C. S. PY - 2012 DA - 2012// TI - Memristive tri-stable resistive switching at ruptured conducting filaments of a Pt/TiO2/Pt cell JO - Nanotechnology VL - 23 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/23/18/185202 DO - 10.1088/0957-4484/23/18/185202 ID - Yoon2012 ER - TY - JOUR AU - Yoon, K. J. AU - Song, S. J. AU - Seok, J. Y. AU - Yoon, J. H. AU - Park, T. H. AU - Kwon, D. E. AU - Hwang, C. S. PY - 2014 DA - 2014// TI - Evolution of the shape of the conducting channel in complementary resistive switching transition metal oxides JO - Nanoscale VL - 6 UR - https://doi.org/10.1039/C3NR05426H DO - 10.1039/C3NR05426H ID - Yoon2014 ER - TY - JOUR AU - Wriedt, H. A. PY - 1987 DA - 1987// TI - The O−Zn (oxygen-zinc) system JO - J Phase Equilibria VL - 8 UR - https://doi.org/10.1007/BF02873202 DO - 10.1007/BF02873202 ID - Wriedt1987 ER - TY - STD TI - Gu T. Metallic filament formation by aligned oxygen vacancies in ZnO-based resistive switches. J Appl Phys. doi: 10.1063/1.4879677 ID - ref102 ER - TY - JOUR AU - Zhao, J. AU - Dong, J. -. Y. AU - Zhao, X. AU - Chen, W. PY - 2014 DA - 2014// TI - Role of oxygen vacancy arrangement on the formation of a conductive filament in a ZnO thin film JO - Chinese Phys Lett VL - 31 UR - https://doi.org/10.1088/0256-307X/31/5/057307 DO - 10.1088/0256-307X/31/5/057307 ID - Zhao2014 ER - TY - JOUR AU - Strachan, J. P. AU - Pickett, M. D. AU - Yang, J. J. AU - Aloni, S. AU - Kilcoyne, A. L. D. AU - Medeiros-Ribeiro, G. AU - Williams, R. S. PY - 2010 DA - 2010// TI - Direct identification of the conducting channels in a functioning memristive device JO - Adv Mater VL - 22 UR - https://doi.org/10.1002/adma.201000186 DO - 10.1002/adma.201000186 ID - Strachan2010 ER - TY - JOUR AU - Strachan, J. P. AU - Yang, J. J. AU - Montoro, L. a. AU - Ospina, C. a. AU - Ramirez, a. J. AU - Kilcoyne, a. L. D. AU - Medeiros-Ribeiro, G. AU - Williams, R. S. PY - 2013 DA - 2013// TI - Characterization of electroforming-free titanium dioxide memristors JO - Beilstein J Nanotechnol VL - 4 UR - https://doi.org/10.3762/bjnano.4.55 DO - 10.3762/bjnano.4.55 ID - Strachan2013 ER - TY - JOUR AU - Strachan, J. P. AU - Strukov, D. B. AU - Borghetti, J. AU - Yang, J. J. AU - Medeiros-Ribeiro, G. AU - Williams, R. S. PY - 2011 DA - 2011// TI - The switching location of a bipolar memristor: chemical, thermal and structural mapping JO - Nanotechnology VL - 22 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/22/25/254015 DO - 10.1088/0957-4484/22/25/254015 ID - Strachan2011 ER - TY - JOUR AU - Yao, J. AU - Zhong, L. AU - Natelson, D. AU - Tour, J. M. PY - 2012 DA - 2012// TI - In situ imaging of the conducting filament in a silicon oxide resistive switch JO - Sci Rep VL - 2 UR - https://doi.org/10.1038/srep00242 DO - 10.1038/srep00242 ID - Yao2012 ER - TY - JOUR AU - Peng, C. -. N. AU - Wang, C. -. W. AU - Chan, T. -. C. AU - Chang, W. -. Y. AU - Wang, Y. -. C. AU - Tsai, H. -. W. AU - Wu, W. -. W. AU - Chen, L. -. J. AU - Chueh, Y. -. L. PY - 2012 DA - 2012// TI - Resistive switching of Au/ZnO/Au resistive memory: an in situ observation of conductive bridge formation JO - Nanoscale Res Lett VL - 7 UR - https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-559 DO - 10.1186/1556-276X-7-559 ID - Peng2012 ER - TY - JOUR AU - Shi, L. AU - Shang, D. S. AU - Chen, Y. S. AU - Wang, J. AU - Sun, J. R. AU - Shen, B. G. PY - 2011 DA - 2011// TI - Improved resistance switching in ZnO-based devices decorated with Ag nanoparticles JO - J Phys D Appl Phys VL - 44 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3727/44/45/455305 DO - 10.1088/0022-3727/44/45/455305 ID - Shi2011 ER - TY - JOUR AU - Xu, D. L. AU - Xiong, Y. AU - Tang, M. H. AU - Zeng, B. W. AU - Li, J. Q. AU - Liu, L. AU - Li, L. Q. AU - Yan, S. A. AU - Tang, Z. H. PY - 2014 DA - 2014// TI - Bipolar resistive switching behaviors in Cr-doped ZnO films JO - Microelectron Eng VL - 116 UR - https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.11.007 DO - 10.1016/j.mee.2013.11.007 ID - Xu2014 ER - TY - JOUR AU - Li, C. AU - Ding, X. AU - Deng, C. AU - Bao, D. PY - 2013 DA - 2013// TI - Observing the resistive switching of MgZnO thin film via conducting atomic force microscopy JO - J Nanosci Nanotechnol VL - 13 UR - https://doi.org/10.1166/jnn.2013.6096 DO - 10.1166/jnn.2013.6096 ID - Li2013 ER - TY - JOUR AU - Kinoshtia, K. AU - Hinoki, T. AU - Yazawa, K. AU - Ohmi, K. AU - Kishida, S. PY - 2010 DA - 2010// TI - Mechanism of resistive memory effect in Ga doped ZnO thin films JO - Phys Status Solidi VL - 7 UR - https://doi.org/10.1002/pssc.200983253 DO - 10.1002/pssc.200983253 ID - Kinoshtia2010 ER - TY - JOUR AU - Kinoshita, K. AU - Okutani, T. AU - Tanaka, H. AU - Hinoki, T. AU - Agura, H. AU - Yazawa, K. AU - Ohmi, K. AU - Kishida, S. PY - 2011 DA - 2011// TI - Flexible and transparent ReRAM with GZO memory layer and GZO-electrodes on large PEN sheet JO - Solid State Electron VL - 58 UR - https://doi.org/10.1016/j.sse.2010.11.026 DO - 10.1016/j.sse.2010.11.026 ID - Kinoshita2011 ER - TY - JOUR AU - Moreno, C. AU - Munuera, C. AU - Obradors, X. AU - Ocal, C. PY - 2012 DA - 2012// TI - The memory effect of nanoscale memristors investigated by conducting scanning probe microscopy methods JO - Beilstein J Nanotechnol VL - 3 UR - https://doi.org/10.3762/bjnano.3.82 DO - 10.3762/bjnano.3.82 ID - Moreno2012 ER - TY - JOUR AU - Janotti, A. AU - Walle, C. G. PY - 2007 DA - 2007// TI - Native point defects in ZnO JO - Phys Rev B VL - 76 UR - https://doi.org/10.1103/PhysRevB.76.165202 DO - 10.1103/PhysRevB.76.165202 ID - Janotti2007 ER - TY - JOUR AU - Jeong, S. H. AU - Boo, J. H. PY - 2004 DA - 2004// TI - Influence of target-to-substrate distance on the properties of AZO films grown by RF magnetron sputtering JO - Thin Solid Films VL - 447-448 UR - https://doi.org/10.1016/j.tsf.2003.09.031 DO - 10.1016/j.tsf.2003.09.031 ID - Jeong2004 ER - TY - JOUR AU - Lin, C. -. L. AU - Tang, C. -. C. AU - Wu, S. -. C. AU - Juan, P. -. C. AU - Kang, T. -. K. PY - 2015 DA - 2015// TI - Impact of oxygen composition of ZnO metal-oxide on unipolar resistive switching characteristics of Al/ZnO/Al resistive RAM (RRAM) JO - Microelectron Eng VL - 136 UR - https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.03.027 DO - 10.1016/j.mee.2015.03.027 ID - Lin2015 ER - TY - JOUR AU - Chang, W. -. Y. AU - Lai, Y. -. C. AU - Wu, T. -. B. AU - Wang, S. -. F. AU - Chen, F. AU - Tsai, M. -. J. PY - 2008 DA - 2008// TI - Unipolar resistive switching characteristics of ZnO thin films for nonvolatile memory applications JO - Appl Phys Lett VL - 92 UR - https://doi.org/10.1063/1.2834852 DO - 10.1063/1.2834852 ID - Chang2008 ER - TY - JOUR AU - Xu, N. AU - Liu, L. F. AU - Sun, X. AU - Chen, C. AU - Wang, Y. AU - Han, D. D. AU - Liu, X. Y. AU - Han, R. Q. AU - Kang, J. F. AU - Yu, B. PY - 2008 DA - 2008// TI - Bipolar switching behavior in TiN/ZnO/Pt resistive nonvolatile memory with fast switching and long retention JO - Semicond Sci Technol VL - 23 UR - https://doi.org/10.1088/0268-1242/23/7/075019 DO - 10.1088/0268-1242/23/7/075019 ID - Xu2008 ER - TY - JOUR AU - Han, Y. AU - Cho, K. AU - Kim, S. PY - 2011 DA - 2011// TI - Characteristics of multilevel bipolar resistive switching in Au/ZnO/ITO devices on glass JO - Microelectron Eng VL - 88 UR - https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.02.058 DO - 10.1016/j.mee.2011.02.058 ID - Han2011 ER - TY - STD TI - Lin C-L, Tang C-C, Wu S-C, Yang S-R, Lai Y-H, Wu S-C (2011) Resistive switching characteristics of zinc oxide (ZnO) resistive RAM with Al metal electrode. IEEE 4th International Nanoelectronics Conference (INEC). pp 1–2. doi:10.1109/INEC.2011.5991798 ID - ref121 ER - TY - JOUR AU - Chiu, F. -. C. AU - Li, P. -. W. AU - Chang, W. -. Y. PY - 2012 DA - 2012// TI - Reliability characteristics and conduction mechanisms in resistive switching memory devices using ZnO thin films JO - Nanoscale Res Lett VL - 7 UR - https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-178 DO - 10.1186/1556-276X-7-178 ID - Chiu2012 ER - TY - JOUR AU - Shi, W. AU - Tai, Q. AU - Xia, X. -. H. AU - Yi, M. -. D. AU - Xie, L. -. H. AU - Fan, Q. -. L. AU - Wang, L. -. H. AU - Wei, A. AU - Huang, W. PY - 2012 DA - 2012// TI - Unipolar resistive switching effects based on Al/ZnO/P ++ -Si diodes for nonvolatile memory applications JO - Chinese Phys Lett VL - 29 UR - https://doi.org/10.1088/0256-307X/29/8/087201 DO - 10.1088/0256-307X/29/8/087201 ID - Shi2012 ER - TY - JOUR AU - Jianwei Zhao, J. Z. AU - Fengjuan Liu, F. L. AU - Jian Sun, J. S. AU - Haiqin Huang, H. H. AU - Zuofu Hu, Z. H. AU - Xiqing Zhang, X. Z. PY - 2012 DA - 2012// TI - Low power consumption bipolar resistive switching characteristics of ZnO-based memory devices JO - Chinese Opt Lett VL - 10 UR - https://doi.org/10.3788/COL201210.013102 DO - 10.3788/COL201210.013102 ID - Jianwei Zhao2012 ER - TY - JOUR AU - Muhammad, N. M. AU - Duraisamy, N. AU - Rahman, K. AU - Dang, H. W. AU - Jo, J. AU - Choi, K. H. PY - 2013 DA - 2013// TI - Fabrication of printed memory device having zinc-oxide active nano-layer and investigation of resistive switching JO - Curr Appl Phys VL - 13 UR - https://doi.org/10.1016/j.cap.2012.06.017 DO - 10.1016/j.cap.2012.06.017 ID - Muhammad2013 ER - TY - JOUR AU - Wang, J. AU - Song, Z. AU - Xu, K. AU - Liu, M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Rectifying switching characteristics of Pt/ZnO/Pt structure based resistive memory JO - J Nanosci Nanotechnol VL - 10 UR - https://doi.org/10.1166/jnn.2010.2758 DO - 10.1166/jnn.2010.2758 ID - Wang2010 ER - TY - JOUR AU - Liu, Z. -. J. AU - Chou, J. -. C. AU - Wei, S. -. Y. AU - Gan, J. -. Y. AU - Yew, T. -. R. PY - 2011 DA - 2011// TI - Improved resistive switching of textured ZnO thin films grown on Ru electrodes JO - IEEE Electron Device Lett VL - 32 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2011.2167710 DO - 10.1109/LED.2011.2167710 ID - Liu2011 ER - TY - JOUR AU - Li, H. X. AU - Shen, D. D. AU - Ke, W. Q. AU - Xi, J. H. AU - Kong, Z. AU - Ji, Z. G. PY - 2014 DA - 2014// TI - Fabrication and characterization of transparent ZnO film based resistive switching devices JO - Key Eng Mater VL - 609-610 UR - https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.609-610.565 DO - 10.4028/www.scientific.net/KEM.609-610.565 ID - Li2014 ER - TY - JOUR AU - Ji, Z. AU - Mao, Q. AU - Ke, W. PY - 2010 DA - 2010// TI - Effects of oxygen partial pressure on resistive switching characteristics of ZnO thin films by DC reactive magnetron sputtering JO - Solid State Commun VL - 150 UR - https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.07.032 DO - 10.1016/j.ssc.2010.07.032 ID - Ji2010 ER - TY - JOUR AU - Kang, Y. H. AU - Choi, J. -. H. AU - Lee, T. I. AU - Lee, W. AU - Myoung, J. -. M. PY - 2011 DA - 2011// TI - Thickness dependence of the resistive switching behavior of nonvolatile memory device structures based on undoped ZnO films JO - Solid State Commun VL - 151 UR - https://doi.org/10.1016/j.ssc.2011.08.036 DO - 10.1016/j.ssc.2011.08.036 ID - Kang2011 ER - TY - JOUR AU - Mao, Q. AU - Ji, Z. AU - Xi, J. PY - 2010 DA - 2010// TI - Realization of forming-free ZnO-based resistive switching memory by controlling film thickness JO - J Phys D Appl Phys VL - 43 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/39/395104 DO - 10.1088/0022-3727/43/39/395104 ID - Mao2010 ER - TY - JOUR AU - Huang, Y. AU - Shen, Z. AU - Wu, Y. AU - Wang, X. AU - Zhang, S. AU - Shi, X. AU - Zeng, H. PY - 2016 DA - 2016// TI - Amorphous ZnO based resistive random access memory JO - RSC Adv VL - 6 UR - https://doi.org/10.1039/C5RA22728C DO - 10.1039/C5RA22728C ID - Huang2016 ER - TY - JOUR AU - Huang, R. AU - Sun, K. AU - Kiang, K. S. AU - Morgan, K. A. AU - Groot, C. H. PY - 2016 DA - 2016// TI - Forming-free resistive switching of tunable ZnO films grown by atomic layer deposition JO - Microelectron Eng VL - 161 UR - https://doi.org/10.1016/j.mee.2016.03.038 DO - 10.1016/j.mee.2016.03.038 ID - Huang2016 ER - TY - JOUR AU - Li, H. AU - Niu, B. AU - Mao, Q. AU - Xi, J. AU - Ke, W. AU - Ji, Z. PY - 2012 DA - 2012// TI - Resistive switching characteristics of ZnO based ReRAMs with different annealing temperatures JO - Solid State Electron VL - 75 UR - https://doi.org/10.1016/j.sse.2012.04.032 DO - 10.1016/j.sse.2012.04.032 ID - Li2012 ER - TY - JOUR AU - Zhang, F. AU - Li, X. AU - Gao, X. AU - Wu, L. AU - Zhuge, F. AU - Wang, Q. AU - Liu, X. AU - Yang, R. AU - He, Y. PY - 2012 DA - 2012// TI - Effect of defect content on the unipolar resistive switching characteristics of ZnO thin film memory devices JO - Solid State Commun VL - 152 UR - https://doi.org/10.1016/j.ssc.2012.04.073 DO - 10.1016/j.ssc.2012.04.073 ID - Zhang2012 ER - TY - JOUR AU - Fan, Y. -. S. AU - Liu, P. -. T. AU - Teng, L. -. F. AU - Hsu, C. -. H. PY - 2012 DA - 2012// TI - Bipolar resistive switching characteristics of Al-doped zinc tin oxide for nonvolatile memory applications JO - Appl Phys Lett VL - 101 UR - https://doi.org/10.1063/1.4742737 DO - 10.1063/1.4742737 ID - Fan2012 ER - TY - JOUR AU - Shirolkar, M. M. AU - Hao, C. AU - Yin, S. AU - Li, M. AU - Wang, H. PY - 2013 DA - 2013// TI - Influence of surface null potential on nonvolatile bistable resistive switching memory behavior of dilutely aluminum doped ZnO thin film JO - Appl Phys Lett VL - 102 UR - https://doi.org/10.1063/1.4811256 DO - 10.1063/1.4811256 ID - Shirolkar2013 ER - TY - JOUR AU - Chu, D. AU - Younis, A. AU - Li, S. PY - 2012 DA - 2012// TI - Enhancement of resistance switching in electrodeposited Co-ZnO films JO - ISRN Nanotechnol VL - 2012 UR - https://doi.org/10.5402/2012/705803 DO - 10.5402/2012/705803 ID - Chu2012 ER - TY - JOUR AU - Chen, G. AU - Song, C. AU - Chen, C. AU - Gao, S. AU - Zeng, F. AU - Pan, F. PY - 2012 DA - 2012// TI - Resistive switching and magnetic modulation in cobalt-doped ZnO JO - Adv Mater VL - 24 UR - https://doi.org/10.1002/adma.201201595 DO - 10.1002/adma.201201595 ID - Chen2012 ER - TY - JOUR AU - Min, C. K. AU - Keun, Y. L. AU - Chang, O. K. AU - Suk-Ho, C. PY - 2011 DA - 2011// TI - Effect of doping concentration on resistive switching behaviors of Cu-doped ZnO films JO - J Korean Phys Soc VL - 59 UR - https://doi.org/10.3938/jkps.59.304 DO - 10.3938/jkps.59.304 ID - Min2011 ER - TY - JOUR AU - Fan, Y. -. S. AU - Liu, P. -. T. AU - Hsu, C. -. H. PY - 2013 DA - 2013// TI - Investigation on amorphous InGaZnO based resistive switching memory with low-power, high-speed, high reliability JO - Thin Solid Films VL - 549 UR - https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.09.033 DO - 10.1016/j.tsf.2013.09.033 ID - Fan2013 ER - TY - JOUR AU - Hu, W. AU - Zou, L. AU - Chen, X. AU - Qin, N. AU - Li, S. AU - Bao, D. PY - 2014 DA - 2014// TI - Highly uniform resistive switching properties of amorphous InGaZnO thin films prepared by a low temperature photochemical solution deposition method JO - ACS Appl Mater Interfaces VL - 6 UR - https://doi.org/10.1021/am500048y DO - 10.1021/am500048y ID - Hu2014 ER - TY - JOUR AU - Kim, M. -. S. AU - Hwan Hwang, Y. AU - Kim, S. AU - Guo, Z. AU - Moon, D. -. I. AU - Choi, J. -. M. AU - Seol, M. -. L. AU - Bae, B. -. S. AU - Choi, Y. -. K. PY - 2012 DA - 2012// TI - Effects of the oxygen vacancy concentration in InGaZnO-based resistance random access memory JO - Appl Phys Lett VL - 101 UR - https://doi.org/10.1063/1.4770073 DO - 10.1063/1.4770073 ID - Kim2012 ER - TY - JOUR AU - Tang, M. H. AU - Zeng, Z. Q. AU - Li, J. C. AU - Wang, Z. P. AU - Xu, X. L. AU - Wang, G. Y. AU - Zhang, L. B. AU - Yang, S. B. AU - Xiao, Y. G. AU - Jiang, B. PY - 2011 DA - 2011// TI - Resistive switching behavior of La-doped ZnO films for nonvolatile memory applications JO - Solid State Electron VL - 63 UR - https://doi.org/10.1016/j.sse.2011.05.023 DO - 10.1016/j.sse.2011.05.023 ID - Tang2011 ER - TY - JOUR AU - Cheng, H. -. C. AU - Chen, S. -. W. AU - Wu, J. -. M. PY - 2011 DA - 2011// TI - Resistive switching behavior of (Zn1−xMgx)O films prepared by sol–gel processes JO - Thin Solid Films VL - 519 UR - https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.04.013 DO - 10.1016/j.tsf.2011.04.013 ID - Cheng2011 ER - TY - JOUR AU - Chao Yang, Y. AU - Pan, F. AU - Zeng, F. PY - 2010 DA - 2010// TI - Bipolar resistance switching in high-performance Cu/ZnO:Mn/Pt nonvolatile memories: active region and influence of Joule heating JO - New J Phys VL - 12 UR - https://doi.org/10.1088/1367-2630/12/2/023008 DO - 10.1088/1367-2630/12/2/023008 ID - Chao Yang2010 ER - TY - JOUR AU - Peng, H. AU - Wu, T. PY - 2009 DA - 2009// TI - Nonvolatile resistive switching in spinel ZnMn[sub 2]O[sub 4] and ilmenite ZnMnO[sub 3] JO - Appl Phys Lett VL - 95 UR - https://doi.org/10.1063/1.3249630 DO - 10.1063/1.3249630 ID - Peng2009 ER - TY - JOUR AU - Han, Y. AU - Cho, K. AU - Park, S. AU - Kim, S. PY - 2014 DA - 2014// TI - The effects of Mn-doping and electrode material on the resistive switching characteristics of ZnO x S 1-x thin films on plastic JO - Trans Electr Electron Mater VL - 15 UR - https://doi.org/10.4313/TEEM.2014.15.1.24 DO - 10.4313/TEEM.2014.15.1.24 ID - Han2014 ER - TY - JOUR AU - Huang, T. -. H. AU - Yang, P. -. K. AU - Chang, W. -. Y. AU - Chien, J. -. F. AU - Kang, C. -. F. AU - Chen, M. -. J. AU - He, J. -. H. PY - 2013 DA - 2013// TI - Eliminating surface effects via employing nitrogen doping to significantly improve the stability and reliability of ZnO resistive memory JO - J Mater Chem C VL - 1 UR - https://doi.org/10.1039/c3tc31542h DO - 10.1039/c3tc31542h ID - Huang2013 ER - TY - JOUR AU - Younis, A. AU - Chu, D. AU - Li, S. PY - 2013 DA - 2013// TI - Bi-stable resistive switching characteristics in Ti-doped ZnO thin films JO - Nanoscale Res Lett VL - 8 UR - https://doi.org/10.1186/1556-276X-8-154 DO - 10.1186/1556-276X-8-154 ID - Younis2013 ER - TY - JOUR AU - Li, H. AU - Chen, Q. AU - Chen, X. AU - Mao, Q. AU - Xi, J. AU - Ji, Z. PY - 2013 DA - 2013// TI - Improvement of resistive switching in ZnO film by Ti doping JO - Thin Solid Films VL - 537 UR - https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.028 DO - 10.1016/j.tsf.2013.04.028 ID - Li2013 ER - TY - JOUR AU - Yang, Y. C. AU - Pan, F. AU - Liu, Q. AU - Liu, M. AU - Zeng, F. PY - 2009 DA - 2009// TI - Fully room-temperature-fabricated nonvolatile resistive memory for ultrafast and high-density memory application JO - Nano Lett VL - 9 UR - https://doi.org/10.1021/nl900006g DO - 10.1021/nl900006g ID - Yang2009 ER - TY - JOUR AU - Chen, X. AU - Hu, W. AU - Wu, S. AU - Bao, D. PY - 2014 DA - 2014// TI - Complementary switching on TiN/MgZnO/ZnO/Pt bipolar memory devices for nanocrossbar arrays JO - J Alloys Compd VL - 615 UR - https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2014.06.200 DO - 10.1016/j.jallcom.2014.06.200 ID - Chen2014 ER - TY - JOUR AU - Lin, S. -. M. AU - Huang, J. -. S. AU - Chang, W. -. C. AU - Hou, T. -. C. AU - Huang, H. -. W. AU - Huang, C. -. H. AU - Lin, S. -. J. AU - Chueh, Y. -. L. PY - 2013 DA - 2013// TI - Single-step formation of ZnO/ZnWO(x) bilayer structure via interfacial engineering for high performance and low energy consumption resistive memory with controllable high resistance states JO - ACS Appl Mater Interfaces VL - 5 UR - https://doi.org/10.1021/am4016928 DO - 10.1021/am4016928 ID - Lin2013 ER - TY - JOUR AU - Chen, G. AU - Song, C. AU - Pan, F. PY - 2013 DA - 2013// TI - Improved resistive switching stability of Pt/ZnO/CoO x/ZnO/Pt structure for nonvolatile memory devices JO - Rare Met VL - 32 UR - https://doi.org/10.1007/s12598-013-0080-7 DO - 10.1007/s12598-013-0080-7 ID - Chen2013 ER - TY - JOUR AU - Xu, D. AU - Xiong, Y. AU - Tang, M. AU - Zeng, B. AU - Xiao, Y. AU - Li, J. AU - Liu, L. AU - Yan, S. AU - Tang, Z. AU - Wang, L. AU - Zhu, X. AU - Li, R. PY - 2013 DA - 2013// TI - Improvement of resistive switching performances in ZnLaO film by embedding a thin ZnO buffer layer JO - ECS Solid State Lett VL - 2 UR - https://doi.org/10.1149/2.002309ssl DO - 10.1149/2.002309ssl ID - Xu2013 ER - TY - JOUR AU - Zhu, Y. AU - Li, M. AU - Zhou, H. AU - Hu, Z. AU - Liu, X. AU - Liao, H. PY - 2013 DA - 2013// TI - Improved bipolar resistive switching properties in CeO 2/ZnO stacked heterostructures JO - Semicond Sci Technol VL - 28 UR - https://doi.org/10.1088/0268-1242/28/1/015023 DO - 10.1088/0268-1242/28/1/015023 ID - Zhu2013 ER - TY - JOUR AU - Chang, L. -. C. AU - Kao, H. -. L. AU - Liu, K. -. H. PY - 2014 DA - 2014// TI - Effect of annealing treatment on the electrical characteristics of Pt/Cr-embedded ZnO/Pt resistance random access memory devices JO - J Vac Sci Technol A Vacuum, Surfaces, Film VL - 32 UR - https://doi.org/10.1116/1.4865551 DO - 10.1116/1.4865551 ID - Chang2014 ER - TY - JOUR AU - Qin, S. -. C. AU - Dong, R. -. X. AU - Yan, X. -. L. PY - 2014 DA - 2014// TI - Memristive behavior of ZnO film with embedded Ti nano-layers JO - Appl Phys A VL - 116 UR - https://doi.org/10.1007/s00339-014-8450-z DO - 10.1007/s00339-014-8450-z ID - Qin2014 ER - TY - JOUR AU - Baghini, M. S. AU - Kumar, A. PY - 2014 DA - 2014// TI - Experimental study for selection of electrode material for ZnO-based memristors JO - Electron Lett VL - 50 UR - https://doi.org/10.1049/el.2014.1491 DO - 10.1049/el.2014.1491 ID - Baghini2014 ER - TY - JOUR AU - Xue, W. H. AU - Xiao, W. AU - Shang, J. AU - Chen, X. X. AU - Zhu, X. J. AU - Pan, L. AU - Tan, H. W. AU - Zhang, W. B. AU - Ji, Z. H. AU - Liu, G. AU - Xu, X. -. H. AU - Ding, J. AU - Li, R. -. W. PY - 2014 DA - 2014// TI - Intrinsic and interfacial effect of electrode metals on the resistive switching behaviors of zinc oxide films JO - Nanotechnology VL - 25 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/25/42/425204 DO - 10.1088/0957-4484/25/42/425204 ID - Xue2014 ER - TY - JOUR AU - Chang, W. -. Y. AU - Peng, C. -. S. AU - Lin, C. -. H. AU - Tsai, J. -. M. AU - Chiu, F. -. C. AU - Chueh, Y. -. L. PY - 2011 DA - 2011// TI - Polarity of bipolar resistive switching characteristics in ZnO memory films JO - J Electrochem Soc VL - 158 UR - https://doi.org/10.1149/1.3603989 DO - 10.1149/1.3603989 ID - Chang2011 ER - TY - JOUR AU - Chang, W. -. Y. AU - Huang, H. -. W. AU - Wang, W. -. T. AU - Hou, C. -. H. AU - Chueh, Y. -. L. AU - He, J. -. H. PY - 2012 DA - 2012// TI - High uniformity of resistive switching characteristics in a Cr/ZnO/Pt device JO - J Electrochem Soc VL - 159 UR - https://doi.org/10.1149/2.092203jes DO - 10.1149/2.092203jes ID - Chang2012 ER - TY - JOUR AU - Xu, N. AU - Liu, L. AU - Sun, X. AU - Liu, X. AU - Han, D. AU - Wang, Y. AU - Han, R. AU - Kang, J. AU - Yu, B. PY - 2008 DA - 2008// TI - Characteristics and mechanism of conduction/set process in TiN∕ZnO∕Pt resistance switching random-access memories JO - Appl Phys Lett VL - 92 UR - https://doi.org/10.1063/1.2945278 DO - 10.1063/1.2945278 ID - Xu2008 ER - TY - JOUR AU - Liu, K. -. C. AU - Tzeng, W. -. H. AU - Chang, K. -. M. AU - Wu, C. -. H. PY - 2010 DA - 2010// TI - The effect of plasma deposition on the electrical characteristics of Pt/HfOx/TiN RRAM device JO - Surf Coatings Technol VL - 205 UR - https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.08.043 DO - 10.1016/j.surfcoat.2010.08.043 ID - Liu2010 ER - TY - JOUR AU - Hsieh, W. K. AU - Lam, K. T. AU - Chang, S. J. PY - 2015 DA - 2015// TI - Bipolar Ni/ZnO/HfO2/Ni RRAM with multilevel characteristic by different reset bias JO - Mater Sci Semicond Process VL - 35 UR - https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.02.073 DO - 10.1016/j.mssp.2015.02.073 ID - Hsieh2015 ER - TY - JOUR AU - Zoolfakar, A. S. AU - Ab Kadir, R. AU - Rani, R. A. AU - Balendhran, S. AU - Liu, X. AU - Kats, E. AU - Bhargava, S. K. AU - Bhaskaran, M. AU - Sriram, S. AU - Zhuiykov, S. AU - O’Mullane, A. P. AU - Kalantar-zadeh, K. PY - 2013 DA - 2013// TI - Engineering electrodeposited ZnO films and their memristive switching performance JO - Phys Chem Chem Phys VL - 15 UR - https://doi.org/10.1039/c3cp44451a DO - 10.1039/c3cp44451a ID - Zoolfakar2013 ER - TY - JOUR AU - Wang, Y. -. P. AU - Lee, W. -. I. AU - Tseng, T. -. Y. PY - 1996 DA - 1996// TI - Degradation phenomena of multilayer ZnO–glass varistors studied by deep level transient spectroscopy JO - Appl Phys Lett VL - 69 UR - https://doi.org/10.1063/1.117493 DO - 10.1063/1.117493 ID - Wang1996 ER - TY - JOUR AU - Simanjuntak, F. M. AU - Prasad, O. K. AU - Panda, D. AU - Lin, C. -. A. AU - Tsai, T. -. L. AU - Wei, K. -. H. AU - Tseng, T. -. Y. PY - 2016 DA - 2016// TI - Impacts of Co doping on ZnO transparent switching memory device characteristics JO - Appl Phys Lett VL - 108 UR - https://doi.org/10.1063/1.4948598 DO - 10.1063/1.4948598 ID - Simanjuntak2016 ER - TY - JOUR AU - Zhang, J. AU - Yang, H. AU - Zhang, Q. AU - Dong, S. AU - Luo, J. K. PY - 2013 DA - 2013// TI - Structural, optical, electrical and resistive switching properties of ZnO thin films deposited by thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition JO - Appl Surf Sci VL - 282 UR - https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.05.141 DO - 10.1016/j.apsusc.2013.05.141 ID - Zhang2013 ER - TY - STD TI - Zhang J, Yang H, Zhang Q, Jiang H, Luo J, Zhou J, Dong S (2014) Resistive switching of in situ and ex situ oxygen plasma treated ZnO thin film deposited by atomic layer deposition. Appl Phys A 663–669. doi: 10.1007/s00339-014-8324-4 ID - ref171 ER - TY - JOUR AU - Zhang, J. AU - Yang, H. AU - Zhang, Q. AU - Dong, S. AU - Luo, J. K. PY - 2013 DA - 2013// TI - Bipolar resistive switching characteristics of low temperature grown ZnO thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition JO - Appl Phys Lett VL - 102 UR - https://doi.org/10.1063/1.4774400 DO - 10.1063/1.4774400 ID - Zhang2013 ER - TY - JOUR AU - Bae, S. AU - Kim, D. -. S. AU - Jung, S. AU - Jeong, W. AU - Lee, J. AU - Cho, S. AU - Park, J. AU - Byun, D. PY - 2015 DA - 2015// TI - Bipolar switching behavior of ZnO x thin films deposited by metalorganic chemical vapor deposition at various growth temperatures JO - J Electron Mater VL - 44 UR - https://doi.org/10.1007/s11664-015-3935-x DO - 10.1007/s11664-015-3935-x ID - Bae2015 ER - TY - JOUR AU - Deshpande, S. AU - Nair, V. V. PY - 2009 DA - 2009// TI - Resistive switching of Al/Sol-Gel ZnO/Al devices for resistive random access memory applications JO - Int Conf Adv Comput Control Telecommun Technol VL - 2009 ID - Deshpande2009 ER - TY - JOUR AU - Lee, W. -. H. AU - Kim, E. -. J. AU - Yoon, S. -. M. PY - 2015 DA - 2015// TI - Effect of Al incorporation amount upon the resistive-switching characteristics for nonvolatile memory devices using Al-doped ZnO semiconductors JO - J Vac Sci Technol B, Nanotechnol Microelectron Mater Process Meas Phenom VL - 33 ID - Lee2015 ER - TY - JOUR AU - Yu, H. AU - Kim, M. AU - Kim, Y. AU - Lee, J. AU - Kim, K. AU - Choi, S. AU - Cho, S. PY - 2014 DA - 2014// TI - Al-doped ZnO as a switching layer for transparent bipolar resistive switching memory JO - Electron Mater Lett VL - 10 UR - https://doi.org/10.1007/s13391-013-3225-9 DO - 10.1007/s13391-013-3225-9 ID - Yu2014 ER - TY - JOUR AU - Chiu, F. -. C. PY - 2014 DA - 2014// TI - Conduction mechanisms in resistance switching memory devices using transparent boron doped zinc oxide films JO - Materials (Basel) VL - 7 UR - https://doi.org/10.3390/ma7117339 DO - 10.3390/ma7117339 ID - Chiu2014 ER - TY - JOUR AU - Xu, H. AU - Kim, D. H. AU - Xiahou, Z. AU - Li, Y. AU - Zhu, M. AU - Lee, B. AU - Liu, C. PY - 2016 DA - 2016// TI - Effect of Co doping on unipolar resistance switching in Pt/Co:ZnO/Pt structures JO - J Alloys Compd VL - 658 UR - https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.11.018 DO - 10.1016/j.jallcom.2015.11.018 ID - Xu2016 ER - TY - JOUR AU - Jia, C. H. AU - Dong, Q. C. AU - Zhang, W. F. PY - 2012 DA - 2012// TI - Effect of incorporating copper on resistive switching properties of ZnO films JO - J Alloys Compd VL - 520 UR - https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2012.01.035 DO - 10.1016/j.jallcom.2012.01.035 ID - Jia2012 ER - TY - JOUR AU - Zhang, Y. AU - Duan, Z. AU - Li, R. AU - Ku, C. -. J. AU - Reyes, P. AU - Ashrafi, A. AU - Lu, Y. PY - 2012 DA - 2012// TI - FeZnO-based resistive switching devices JO - J Electron Mater VL - 41 UR - https://doi.org/10.1007/s11664-012-2045-2 DO - 10.1007/s11664-012-2045-2 ID - Zhang2012 ER - TY - JOUR AU - Hu, W. AU - Chen, X. AU - Wu, G. AU - Lin, Y. AU - Qin, N. AU - Bao, D. PY - 2012 DA - 2012// TI - Bipolar and tri-state unipolar resistive switching behaviors in Ag/ZnFe2O4/Pt memory devices JO - Appl Phys Lett VL - 101 UR - https://doi.org/10.1063/1.4744950 DO - 10.1063/1.4744950 ID - Hu2012 ER - TY - JOUR AU - Zhao, J. -. W. AU - Sun, J. AU - Huang, H. -. Q. AU - Liu, F. -. J. AU - Hu, Z. -. F. AU - Zhang, X. -. Q. PY - 2012 DA - 2012// TI - Effects of ZnO buffer layer on GZO RRAM devices JO - Appl Surf Sci VL - 258 UR - https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.01.034 DO - 10.1016/j.apsusc.2012.01.034 ID - Zhao2012 ER - TY - JOUR AU - Park, S. P. AU - Yoon, D. H. AU - Tak, Y. J. AU - Lee, H. AU - Kim, H. J. PY - 2015 DA - 2015// TI - Highly reliable switching via phase transition using hydrogen peroxide in homogeneous and multi-layered GaZnO x-based resistive random access memory devices JO - Chem Commun VL - 51 UR - https://doi.org/10.1039/C4CC10209F DO - 10.1039/C4CC10209F ID - Park2015 ER - TY - JOUR AU - Igityan, A. AU - Kafadaryan, Y. AU - Aghamalyan, N. AU - Petrosyan, S. AU - Badalyan, G. AU - Vardanyan, V. AU - Nersisyan, M. AU - Hovsepyan, R. AU - Palagushkin, A. AU - Kryzhanovsky, B. PY - 2015 DA - 2015// TI - Resistivity switching properties of Li-doped ZnO fi lms deposited on LaB 6 electrode JO - Thin Solid Films VL - 595 UR - https://doi.org/10.1016/j.tsf.2015.10.064 DO - 10.1016/j.tsf.2015.10.064 ID - Igityan2015 ER - TY - JOUR AU - Lin, C. -. C. AU - Tseng, Z. -. L. AU - Lo, K. -. Y. AU - Huang, C. -. Y. AU - Hong, C. -. S. AU - Chu, S. -. Y. AU - Chang, C. -. C. AU - Wu, C. -. J. PY - 2012 DA - 2012// TI - Unipolar resistive switching behavior of Pt/LixZn1−xO/Pt resistive random access memory devices controlled by various defect types JO - Appl Phys Lett VL - 101 UR - https://doi.org/10.1063/1.4766725 DO - 10.1063/1.4766725 ID - Lin2012 ER - TY - JOUR AU - Cao, X. AU - Li, X. AU - Gao, X. AU - Liu, X. AU - Yang, C. AU - Chen, L. PY - 2011 DA - 2011// TI - Structural properties and resistive switching behaviour in Mg x Zn 1−x O alloy films grown by pulsed laser deposition JO - J Phys D Appl Phys VL - 44 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3727/44/1/015302 DO - 10.1088/0022-3727/44/1/015302 ID - Cao2011 ER - TY - JOUR AU - Chen, X. AU - Wu, G. AU - Bao, D. PY - 2008 DA - 2008// TI - Resistive switching behavior of Pt/Mg[sub 0.2]Zn[sub 0.8]O/Pt devices for nonvolatile memory applications JO - Appl Phys Lett VL - 93 UR - https://doi.org/10.1063/1.2978158 DO - 10.1063/1.2978158 ID - Chen2008 ER - TY - JOUR AU - Chen, X. AU - Wu, G. AU - Hu, W. AU - Zhou, H. AU - Bao, D. PY - 2012 DA - 2012// TI - Comparative investigation of unipolar resistance switching effect of Pt/Mg0.6Zn0.4O/Pt devices with different electrode patterns for nonvolatile memory application JO - Appl Phys A VL - 108 UR - https://doi.org/10.1007/s00339-012-6924-4 DO - 10.1007/s00339-012-6924-4 ID - Chen2012 ER - TY - JOUR AU - Hsieh, W. -. K. AU - Chuang, R. W. AU - Chang, S. -. J. PY - 2015 DA - 2015// TI - Two-bit-per-cell resistive switching memory device with a Ti/MgZnO/Pt structure JO - RSC Adv VL - 5 UR - https://doi.org/10.1039/C5RA15993H DO - 10.1039/C5RA15993H ID - Hsieh2015 ER - TY - JOUR AU - Wang, H. AU - Gao, S. M. AU - Xu, J. W. AU - Yang, L. AU - Qiu, W. PY - 2013 DA - 2013// TI - Effects of Mg-doping on resistance switching property of MgxZn1-xO thin films prepared by sol-gel method JO - Adv Mater Res VL - 750-752 UR - https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.750-752.1034 DO - 10.4028/www.scientific.net/AMR.750-752.1034 ID - Wang2013 ER - TY - STD TI - Ren S, Dong J, Zhang L, Huang Y, Guo J, Zhang L, Zhao J, Chen W (2015) Microstructure related quantum conductance in Mn-doped ZnO resistive switching memory. IEEE Magn. Conf. pp 1–1. doi:10.1109/INTMAG.2015.7157752 ID - ref191 ER - TY - JOUR AU - Wang, H. AU - Li, Z. AU - Xu, J. AU - Zhang, Y. AU - Yang, L. AU - Qiu, W. PY - 2015 DA - 2015// TI - Resistance switching properties of Ag/ZnMn2O4/p-Si fabricated by magnetron sputtering for resistance random access memory JO - J Wuhan Univ Technol Sci Ed VL - 30 UR - https://doi.org/10.1007/s11595-015-1288-1 DO - 10.1007/s11595-015-1288-1 ID - Wang2015 ER - TY - JOUR AU - Xu, J. AU - Yang, Z. AU - Zhang, Y. AU - Zhang, X. AU - Wang, H. U. A. PY - 2014 DA - 2014// TI - Bipolar resistive switching behaviours in ZnMn 2 O 4 film deposited on p + -Si substrate by chemical solution deposition JO - Bull Mater Sci VL - 37 UR - https://doi.org/10.1007/s12034-014-0731-9 DO - 10.1007/s12034-014-0731-9 ID - Xu2014 ER - TY - JOUR AU - Yang, Y. C. AU - Fan, B. AU - Zeng, F. AU - Pan, F. PY - 2010 DA - 2010// TI - Bipolar resistance switching characteristics in TiN/ZnO:Mn/Pt junctions developed for nonvolatile resistive memory application JO - J Nanosci Nanotechnol VL - 10 UR - https://doi.org/10.1166/jnn.2010.2762 DO - 10.1166/jnn.2010.2762 ID - Yang2010 ER - TY - JOUR AU - Zhang, Y. AU - Wang, H. AU - Xu, J. AU - Yang, L. AU - Qiu, W. AU - Li, Z. PY - 2014 DA - 2014// TI - Effect of ZnMn 2 O 4 thickness on its resistive switching characteristics JO - Indian J Eng Mater Sci VL - 21 ID - Zhang2014 ER - TY - JOUR AU - Wenxiang, S. AU - Kailiang, Z. AU - Fang, W. AU - Kuo, S. AU - Yinping, M. AU - Jinshi, Z. PY - 2013 DA - 2013// TI - Resistive switching characteristics of zinc oxide resistive RAM doped with nickel JO - ECS Trans VL - 52 UR - https://doi.org/10.1149/05201.1009ecst DO - 10.1149/05201.1009ecst ID - Wenxiang2013 ER - TY - JOUR AU - Cho, K. AU - Park, S. AU - Chung, I. AU - Kim, S. PY - 2014 DA - 2014// TI - Effect of oxidizable electrode material on resistive switching characteristics of ZnO(x)S(1-x) films JO - J Nanosci Nanotechnol VL - 14 UR - https://doi.org/10.1166/jnn.2014.9881 DO - 10.1166/jnn.2014.9881 ID - Cho2014 ER - TY - STD TI - Murali S, Rajachidambaram JS, Han SY, Chang CH, Herman GS, Conley JF (2011) Bipolar resistive switching of zinc-tin-oxide resistive random access memory. Proc IEEE Conf Nanotechnol 740–743. doi: 10.1109/NANO.2011.6144646 ID - ref198 ER - TY - JOUR AU - Zheng, K. AU - Zhao, J. L. AU - Leck, K. S. AU - Teo, K. L. AU - Yeo, E. G. AU - Sun, X. W. PY - 2014 DA - 2014// TI - A ZnTaOx based resistive switching random access memory JO - ECS Solid State Lett VL - 3 UR - https://doi.org/10.1149/2.0101407ssl DO - 10.1149/2.0101407ssl ID - Zheng2014 ER - TY - STD TI - Fan Y-S, Chan W-L, Chang C-H, Zheng G-T, Chang C-C, Liu P-T (2015) Performance and reliability of non-linear Al-Zn-Sn-O based resistive random access memory. IEEE 22nd Int. Symp Phys Fail Anal Integr Circuits. pp 381–384. doi:10.1109/IPFA.2015.7224421 ID - ref200 ER - TY - JOUR AU - Oh, D. AU - Yun, D. Y. AU - Lee, N. H. AU - Kim, T. W. PY - 2015 DA - 2015// TI - Resistive switching characteristics and conduction mechanisms of nonvolatile memory devices based on Ga and Sn co-doped ZnO films JO - Thin Solid Films VL - 587 UR - https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.12.021 DO - 10.1016/j.tsf.2014.12.021 ID - Oh2015 ER - TY - STD TI - Chen MC, Chang TC, Huang SY, Sze SM, Tsai MJ (2011) Studies on nonvolatile resistance memory switching behaviors in InGaZnO thin films. 2011 11th Annu Non-Volatile Mem Technol Symp NVMTS 2011 :96–99. doi: 10.1109/NVMTS.2011.6137093 ID - ref202 ER - TY - JOUR AU - Chen, M. -. C. AU - Chang, T. -. C. AU - Huang, S. -. Y. AU - Chang, G. -. C. AU - Chen, S. -. C. AU - Huang, H. -. C. AU - Hu, C. -. W. AU - Sze, S. M. AU - Tsai, T. -. M. AU - Gan, D. -. S. AU - Yeh (Huang), F. -. S. AU - Tsai, M. -. J. PY - 2011 DA - 2011// TI - Influence of oxygen partial pressure on resistance random access memory characteristics of indium gallium zinc oxide JO - Electrochem Solid-State Lett VL - 14 UR - https://doi.org/10.1149/2.007112esl DO - 10.1149/2.007112esl ID - Chen2011 ER - TY - JOUR AU - Chen, M. -. C. AU - Chang, T. -. C. AU - Tsai, C. -. T. AU - Huang, S. -. Y. AU - Chen, S. -. C. AU - Hu, C. -. W. AU - Sze, S. M. AU - Tsai, M. -. J. PY - 2010 DA - 2010// TI - Influence of electrode material on the resistive memory switching property of indium gallium zinc oxide thin films JO - Appl Phys Lett VL - 96 UR - https://doi.org/10.1063/1.3456379 DO - 10.1063/1.3456379 ID - Chen2010 ER - TY - JOUR AU - Hwang, Y. AU - An, H. AU - Cho, W. PY - 2014 DA - 2014// TI - Performance improvement of the resistive memory properties of InGaZnO thin films by using microwave irradiation JO - Jpn J Appl Phys VL - 53 UR - https://doi.org/10.7567/JJAP.53.04EJ04 DO - 10.7567/JJAP.53.04EJ04 ID - Hwang2014 ER - TY - JOUR AU - Kim, C. H. AU - Jang, Y. H. AU - Hwang, H. J. AU - Song, C. H. AU - Yang, Y. S. AU - Cho, J. H. PY - 2010 DA - 2010// TI - Bistable resistance memory switching effect in amorphous InGaZnO thin films JO - Appl Phys Lett VL - 97 UR - https://doi.org/10.1063/1.3479527 DO - 10.1063/1.3479527 ID - Kim2010 ER - TY - JOUR AU - Pei, Y. AU - Mai, B. AU - Zhang, X. AU - Hu, R. AU - Li, Y. AU - Chen, Z. AU - Fan, B. AU - Liang, J. AU - Wang, G. PY - 2014 DA - 2014// TI - Forming free bipolar ReRAM of Ag/a-IGZO/Pt with improved resistive switching uniformity through controlling oxygen partial pressure JO - J Electron Mater VL - 44 UR - https://doi.org/10.1007/s11664-014-3547-x DO - 10.1007/s11664-014-3547-x ID - Pei2014 ER - TY - JOUR AU - Yan, X. AU - Hao, H. AU - Chen, Y. AU - Shi, S. AU - Zhang, E. AU - Lou, J. AU - Liu, B. PY - 2014 DA - 2014// TI - Self-rectifying performance in the sandwiched structure of Ag/In-Ga-Zn-O/Pt bipolar resistive switching memory JO - Nanoscale Res Lett VL - 9 UR - https://doi.org/10.1186/1556-276X-9-548 DO - 10.1186/1556-276X-9-548 ID - Yan2014 ER - TY - STD TI - Kröger FA, Vink HJ (1956) Relations between the concentrations of imperfections in crystalline solids. Solid State Phys 3:307–435. doi:10.1016/S0081-1947(08)60135-6 ID - ref209 ER - TY - JOUR AU - Thomas, G. PY - 1997 DA - 1997// TI - Materials science: invisible circuits JO - Nature VL - 389 UR - https://doi.org/10.1038/39999 DO - 10.1038/39999 ID - Thomas1997 ER - TY - JOUR AU - Wager, J. F. PY - 2003 DA - 2003// TI - Applied physics: transparent electronics JO - Science (80-) VL - 300 UR - https://doi.org/10.1126/science.1085276 DO - 10.1126/science.1085276 ID - Wager2003 ER - TY - JOUR AU - Seo, J. W. AU - Park, J. -. W. AU - Lim, K. S. AU - Yang, J. -. H. AU - Kang, S. J. PY - 2008 DA - 2008// TI - Transparent resistive random access memory and its characteristics for nonvolatile resistive switching JO - Appl Phys Lett VL - 93 UR - https://doi.org/10.1063/1.3041643 DO - 10.1063/1.3041643 ID - Seo2008 ER - TY - JOUR AU - Shi, L. AU - Shang, D. AU - Sun, J. AU - Shen, B. PY - 2009 DA - 2009// TI - Bipolar resistance switching in fully transparent ZnO:Mg-based devices JO - Appl Phys Express VL - 2 UR - https://doi.org/10.1143/APEX.2.101602 DO - 10.1143/APEX.2.101602 ID - Shi2009 ER - TY - JOUR AU - Kim, A. AU - Song, K. AU - Kim, Y. AU - Moon, J. PY - 2011 DA - 2011// TI - All solution-processed, fully transparent resistive memory devices JO - ACS Appl Mater Interfaces VL - 3 UR - https://doi.org/10.1021/am201215e DO - 10.1021/am201215e ID - Kim2011 ER - TY - JOUR AU - Gao, S. AU - Wang, H. AU - Xu, J. AU - Yuan, C. AU - Zhang, X. PY - 2012 DA - 2012// TI - Effect of annealing temperature on resistance switching behavior of Mg0.2Zn0.8O thin films deposited on ITO glass JO - Solid State Electron VL - 76 UR - https://doi.org/10.1016/j.sse.2012.05.009 DO - 10.1016/j.sse.2012.05.009 ID - Gao2012 ER - TY - STD TI - Huang CY, Ho YT, Hung CJ, Tseng TY (2014) Compact Ga-Doped ZnO Nanorod Thin Film for Making High-Performance Transparent Resistive Switching Memory. IEEE Trans Electron Devices. 1–6. doi: 10.1109/TED.2014.2343631 ID - ref216 ER - TY - JOUR AU - Yang, P. -. K. AU - Chang, W. -. Y. AU - Teng, P. -. Y. AU - Jeng, S. -. F. AU - Lin, S. -. J. AU - Chiu, P. -. W. AU - He, J. -. H. PY - 2013 DA - 2013// TI - Fully transparent resistive memory employing graphene electrodes for eliminating undesired surface effects JO - Proc IEEE VL - 101 UR - https://doi.org/10.1109/JPROC.2013.2260112 DO - 10.1109/JPROC.2013.2260112 ID - Yang2013 ER - TY - JOUR AU - Zhang, R. AU - Miao, J. AU - Shao, F. AU - Huang, W. T. AU - Dong, C. AU - Xu, X. G. AU - Jiang, Y. PY - 2014 DA - 2014// TI - Transparent amorphous memory cell: a bipolar resistive switching in ZnO/Pr0.7Ca0.3MnO3/ITO for invisible electronics application JO - J Non Cryst Solids VL - 406 UR - https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2014.09.055 DO - 10.1016/j.jnoncrysol.2014.09.055 ID - Zhang2014 ER - TY - JOUR AU - Simanjuntak, F. M. AU - Panda, D. AU - Tsai, T. -. L. AU - Lin, C. -. A. AU - Wei, K. -. H. AU - Tseng, T. -. Y. PY - 2015 DA - 2015// TI - Enhancing the memory window of AZO/ZnO/ITO transparent resistive switching devices by modulating the oxygen vacancy concentration of the top electrode JO - J Mater Sci VL - 50 UR - https://doi.org/10.1007/s10853-015-9247-y DO - 10.1007/s10853-015-9247-y ID - Simanjuntak2015 ER - TY - JOUR AU - Wu, X. AU - Xu, Z. AU - Yu, Z. AU - Zhang, T. AU - Zhao, F. AU - Sun, T. AU - Ma, Z. AU - Li, Z. AU - Wang, S. PY - 2015 DA - 2015// TI - Resistive switching behavior of photochemical activation solution-processed thin films at low temperatures for flexible memristor applications JO - J Phys D Appl Phys VL - 48 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/11/115101 DO - 10.1088/0022-3727/48/11/115101 ID - Wu2015 ER - TY - JOUR AU - Cao, X. AU - Li, X. AU - Gao, X. AU - Liu, X. AU - Yang, C. AU - Yang, R. AU - Jin, P. PY - 2011 DA - 2011// TI - All-ZnO-based transparent resistance random access memory device fully fabricated at room temperature JO - J Phys D Appl Phys VL - 44 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3727/44/25/255104 DO - 10.1088/0022-3727/44/25/255104 ID - Cao2011 ER - TY - JOUR AU - Misra, P. AU - Das, A. K. AU - Kukreja, L. M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Switching characteristics of ZnO based transparent resistive random access memory devices grown by pulsed laser deposition JO - Phys Status Solidi VL - 7 UR - https://doi.org/10.1002/pssc.200983244 DO - 10.1002/pssc.200983244 ID - Misra2010 ER - TY - JOUR AU - Zheng, K. AU - Sun, X. W. AU - Zhao, J. L. AU - Wang, Y. AU - Yu, H. Y. AU - Demir, H. V. AU - Teo, K. L. PY - 2011 DA - 2011// TI - An indium-free transparent resistive switching random access memory JO - IEEE Electron Device Lett VL - 32 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2011.2126017 DO - 10.1109/LED.2011.2126017 ID - Zheng2011 ER - TY - JOUR AU - Wang, Y. PY - 2012 DA - 2012// TI - Resistive-switching mechanism of transparent nonvolatile memory device based on gallium zinc oxide JO - Phys Status Solidi VL - 209 UR - https://doi.org/10.1002/pssa.201127391 DO - 10.1002/pssa.201127391 ID - Wang2012 ER - TY - JOUR AU - Zhong, C. -. W. AU - Tzeng, W. -. H. AU - Liu, K. -. C. AU - Lin, H. -. C. AU - Chang, K. -. M. AU - Chan, Y. -. C. AU - Kuo, C. -. C. AU - Chen, P. -. S. AU - Lee, H. -. Y. AU - Chen, F. AU - Tsai, M. -. J. PY - 2013 DA - 2013// TI - Effect of ITO electrode with different oxygen contents on the electrical characteristics of HfOx RRAM devices JO - Surf Coatings Technol VL - 231 UR - https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2012.07.039 DO - 10.1016/j.surfcoat.2012.07.039 ID - Zhong2013 ER - TY - STD TI - Ye C, Deng T, Wu J, Zhan C, Wang H, Zhang J (2015) Role of ITO electrode in the resistive switching behavior of TiN/HfO2/ITO memory devices at different annealing temperatures. Jpn J Appl Phys 54:054201. doi:10.7567/JJAP.54.054201 ID - ref226 ER - TY - JOUR AU - Wu, X. AU - Xu, H. AU - Wang, Y. AU - Rogach, A. L. AU - Shen, Y. AU - Zhao, N. PY - 2015 DA - 2015// TI - General observation of the memory effect in metal-insulator-ITO structures due to indium diffusion JO - Semicond Sci Technol VL - 30 UR - https://doi.org/10.1088/0268-1242/30/7/074002 DO - 10.1088/0268-1242/30/7/074002 ID - Wu2015 ER - TY - STD TI - Seo JW, Baik SJ, Kang SJ, Lim KS (2011) Fabrication of Semi-transparent Resistive Random Access memory and Its Characteristics of Nonvolatile Resistive Switching. MRS Proc 1292:mrsf10–1292–k08–21. doi: 10.1557/opl.2011.152 ID - ref228 ER - TY - JOUR AU - Gergel-Hackett, N. AU - Tedesco, J. L. AU - Richter, C. a. PY - 2012 DA - 2012// TI - Memristors with flexible electronic applications JO - Proc IEEE VL - 100 UR - https://doi.org/10.1109/JPROC.2011.2158284 DO - 10.1109/JPROC.2011.2158284 ID - Gergel-Hackett2012 ER - TY - JOUR AU - Khurana, G. AU - Misra, P. AU - Kumar, N. AU - Katiyar, R. S. PY - 2014 DA - 2014// TI - Tunable power switching in nonvolatile flexible memory devices based on graphene oxide embedded with ZnO nanorods JO - J Phys Chem C VL - 118 UR - https://doi.org/10.1021/jp506856f DO - 10.1021/jp506856f ID - Khurana2014 ER - TY - JOUR AU - Shi, L. AU - Shang, D. -. S. AU - Sun, J. -. R. AU - Shen, B. -. G. PY - 2010 DA - 2010// TI - Flexible resistance memory devices based on Cu/ZnO:Mg/ITO structure JO - Phys status solidi - Rapid Res Lett VL - 4 UR - https://doi.org/10.1002/pssr.201004364 DO - 10.1002/pssr.201004364 ID - Shi2010 ER - TY - JOUR AU - Kim, S. AU - Moon, H. AU - Gupta, D. AU - Yoo, S. AU - Choi, Y. -. K. PY - 2009 DA - 2009// TI - Resistive switching characteristics of sol–gel zinc oxide films for flexible memory Applications1 JO - IEEE Trans IEEE Trans Electron Devices VL - 56 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2009.2012522 DO - 10.1109/TED.2009.2012522 ID - Kim2009 ER - TY - JOUR AU - Won Seo, J. AU - Park, J. -. W. AU - Lim, K. S. AU - Kang, S. J. AU - Hong, Y. H. AU - Yang, J. H. AU - Fang, L. AU - Sung, G. Y. AU - Kim, H. -. K. PY - 2009 DA - 2009// TI - Transparent flexible resistive random access memory fabricated at room temperature JO - Appl Phys Lett VL - 95 UR - https://doi.org/10.1063/1.3242381 DO - 10.1063/1.3242381 ID - Won Seo2009 ER - TY - JOUR AU - Park, S. AU - Lee, J. H. AU - Kim, H. -. D. AU - Hong, S. M. AU - An, H. -. M. AU - Kim, T. G. PY - 2013 DA - 2013// TI - Resistive switching characteristics of sol-gel based ZnO nanorods fabricated on flexible substrates JO - Phys status solidi - Rapid Res Lett VL - 7 UR - https://doi.org/10.1002/pssr.201307187 DO - 10.1002/pssr.201307187 ID - Park2013 ER - TY - JOUR AU - Zhou, H. AU - Fang, G. -. J. AU - Zhu, Y. AU - Liu, N. AU - Li, M. AU - Zhao, X. -. Z. PY - 2011 DA - 2011// TI - Flexible resistive switching memory based on Mn 0.20 Zn 0.80 O/HfO 2 bilayer structure JO - J Phys D Appl Phys VL - 44 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3727/44/44/445101 DO - 10.1088/0022-3727/44/44/445101 ID - Zhou2011 ER - TY - JOUR AU - Fan, Y. -. S. AU - Liu, P. -. T. AU - Hsu, C. -. H. AU - Lai, H. -. Y. PY - 2012 DA - 2012// TI - P-76: resistive switching memory device based on amorphous Al-Zn-Sn-O film for flexible electronics application JO - SID Symp Dig Tech Pap VL - 43 UR - https://doi.org/10.1002/j.2168-0159.2012.tb06051.x DO - 10.1002/j.2168-0159.2012.tb06051.x ID - Fan2012 ER - TY - JOUR AU - Lee, S. AU - Kim, H. AU - Yun, D. -. J. AU - Rhee, S. -. W. AU - Yong, K. PY - 2009 DA - 2009// TI - Resistive switching characteristics of ZnO thin film grown on stainless steel for flexible nonvolatile memory devices JO - Appl Phys Lett VL - 95 UR - https://doi.org/10.1063/1.3280864 DO - 10.1063/1.3280864 ID - Lee2009 ER - TY - JOUR AU - Han, S. -. T. AU - Zhou, Y. AU - Roy, V. a. L. PY - 2013 DA - 2013// TI - Towards the development of flexible non-volatile memories JO - Adv Mater VL - 25 UR - https://doi.org/10.1002/adma.201301361 DO - 10.1002/adma.201301361 ID - Han2013 ER - TY - JOUR AU - Wu, J. -. L. AU - Chen, Y. -. C. AU - Lin, H. -. Y. AU - Chu, S. -. Y. AU - Chang, C. -. C. AU - Wu, C. -. J. AU - Juang, Y. -. D. PY - 2013 DA - 2013// TI - Effect of ZnO buffer layer on the bending durability of ZnO:Ga films grown on flexible substrates: investigation of surface energy, electrical, optical, and structural properties JO - IEEE Trans Electron Devices VL - 60 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2013.2259491 DO - 10.1109/TED.2013.2259491 ID - Wu2013 ER - TY - JOUR AU - Wang, Z. Q. AU - Xu, H. Y. AU - Li, X. H. AU - Zhang, X. T. AU - Liu, Y. X. AU - Liu, Y. C. PY - 2011 DA - 2011// TI - Flexible resistive switching memory device based on amorphous InGaZnO film with excellent mechanical endurance JO - IEEE Electron Device Lett VL - 32 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2011.2162311 DO - 10.1109/LED.2011.2162311 ID - Wang2011 ER - TY - JOUR AU - Linn, E. AU - Rosezin, R. AU - Kügeler, C. AU - Waser, R. PY - 2010 DA - 2010// TI - Complementary resistive switches for passive nanocrossbar memories JO - Nat Mater VL - 9 UR - https://doi.org/10.1038/nmat2748 DO - 10.1038/nmat2748 ID - Linn2010 ER - TY - JOUR AU - Lee, M. J. AU - Seo, S. AU - Kim, D. C. AU - Ahn, S. E. AU - Seo, D. H. AU - Yoo, I. K. AU - Baek, I. G. AU - Kim, D. S. AU - Byun, I. S. AU - Kim, S. H. AU - Hwang, I. R. AU - Kim, J. S. AU - Jeon, S. H. AU - Park, B. H. PY - 2007 DA - 2007// TI - A low-temperature-grown oxide diode as a new switch element for high-density, nonvolatile memories JO - Adv Mater VL - 19 UR - https://doi.org/10.1002/adma.200601025 DO - 10.1002/adma.200601025 ID - Lee2007 ER - TY - JOUR AU - Shin, Y. C. AU - Song, J. AU - Kim, K. M. AU - Choi, B. J. AU - Choi, S. AU - Lee, H. J. AU - Kim, G. H. AU - Eom, T. AU - Hwang, C. S. PY - 2008 DA - 2008// TI - (In,Sn)[sub 2]O[sub 3]∕TiO[sub 2]∕Pt Schottky-type diode switch for the TiO[sub 2] resistive switching memory array JO - Appl Phys Lett VL - 92 UR - https://doi.org/10.1063/1.2912531 DO - 10.1063/1.2912531 ID - Shin2008 ER - TY - JOUR AU - Park, W. Y. AU - Kim, G. H. AU - Seok, J. Y. AU - Kim, K. M. AU - Song, S. J. AU - Lee, M. H. AU - Hwang, C. S. PY - 2010 DA - 2010// TI - A Pt/TiO 2/Ti Schottky-type selection diode for alleviating the sneak current in resistance switching memory arrays JO - Nanotechnology VL - 21 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/19/195201 DO - 10.1088/0957-4484/21/19/195201 ID - Park2010 ER - TY - JOUR AU - Lee, M. -. J. AU - Park, Y. AU - Suh, D. -. S. AU - Lee, E. -. H. AU - Seo, S. AU - Kim, D. -. C. AU - Jung, R. AU - Kang, B. -. S. AU - Ahn, S. -. E. AU - Lee, C. B. AU - Seo, D. H. AU - Cha, Y. -. K. AU - Yoo, I. -. K. AU - Kim, J. -. S. AU - Park, B. H. PY - 2007 DA - 2007// TI - Two series oxide resistors applicable to high speed and high density nonvolatile memory JO - Adv Mater VL - 19 UR - https://doi.org/10.1002/adma.200700251 DO - 10.1002/adma.200700251 ID - Lee2007 ER - TY - JOUR AU - Lee, M. -. J. AU - Kim, S. I. AU - Lee, C. B. AU - Yin, H. AU - Ahn, S. -. E. AU - Kang, B. S. AU - Kim, K. H. AU - Park, J. C. AU - Kim, C. J. AU - Song, I. AU - Kim, S. W. AU - Stefanovich, G. AU - Lee, J. H. AU - Chung, S. J. AU - Kim, Y. H. AU - Park, Y. PY - 2009 DA - 2009// TI - Low-temperature-grown transition metal oxide based storage materials and oxide transistors for high-density non-volatile memory JO - Adv Funct Mater VL - 19 UR - https://doi.org/10.1002/adfm.200801032 DO - 10.1002/adfm.200801032 ID - Lee2009 ER - TY - JOUR AU - Won Seo, J. AU - Baik, S. J. AU - Kang, S. J. AU - Hong, Y. H. AU - Yang, J. H. AU - Lim, K. S. PY - 2011 DA - 2011// TI - A ZnO cross-bar array resistive random access memory stacked with heterostructure diodes for eliminating the sneak current effect JO - Appl Phys Lett VL - 98 UR - https://doi.org/10.1063/1.3599707 DO - 10.1063/1.3599707 ID - Won Seo2011 ER - TY - JOUR AU - Zhang, Y. AU - Duan, Z. AU - Li, R. AU - Ku, C. -. J. AU - Reyes, P. I. AU - Ashrafi, A. AU - Zhong, J. AU - Lu, Y. PY - 2013 DA - 2013// TI - Vertically integrated ZnO-Based 1D1R structure for resistive switching JO - J Phys D Appl Phys VL - 46 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3727/46/14/145101 DO - 10.1088/0022-3727/46/14/145101 ID - Zhang2013 ER - TY - STD TI - Flocke A, Noll TG (2007) Fundamental analysis of resistive nano-crossbars for the use in hybrid Nano/CMOS-memory. ESSCIRC 2007 - 33rd Eur Solid-State Circuits Conf :328–331. doi: 10.1109/ESSCIRC.2007.4430310 ID - ref249 ER - TY - STD TI - Shen G-H, Tandio AR, Lin M-Y, Lin G-F, Chen K-H, Hong FC-N. Low Switching-Threshold-Voltage Zinc Oxide Nanowire Array Resistive Random Access Memory. Thin Solid Films doi: 10.1016/j.tsf.2016.04.027 ID - ref250 ER - TY - JOUR AU - Dongale, T. D. AU - Khot, K. V. AU - Mali, S. S. AU - Patil, P. S. AU - Gaikwad, P. K. AU - Kamat, R. K. AU - Bhosale, P. N. PY - 2015 DA - 2015// TI - Development of Ag/ZnO/FTO thin film memristor using aqueous chemical route JO - Mater Sci Semicond Process VL - 40 UR - https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.07.004 DO - 10.1016/j.mssp.2015.07.004 ID - Dongale2015 ER - TY - JOUR AU - Chang, W. -. Y. AU - Lin, C. -. A. AU - He, J. -. H. AU - Wu, T. -. B. PY - 2010 DA - 2010// TI - Resistive switching behaviors of ZnO nanorod layers JO - Appl Phys Lett VL - 96 UR - https://doi.org/10.1063/1.3453450 DO - 10.1063/1.3453450 ID - Chang2010 ER - TY - JOUR AU - Tseng, Z. -. L. AU - Kao, P. -. C. AU - Shih, M. -. F. AU - Huang, H. -. H. AU - Wang, J. -. Y. AU - Chu, S. -. Y. PY - 2010 DA - 2010// TI - Electrical bistability in hybrid ZnO nanorod/polymethylmethacrylate heterostructures JO - Appl Phys Lett VL - 97 UR - https://doi.org/10.1063/1.3511756 DO - 10.1063/1.3511756 ID - Tseng2010 ER - TY - JOUR AU - Yao, I. -. C. AU - Lee, D. -. Y. AU - Tseng, T. -. Y. AU - Lin, P. PY - 2012 DA - 2012// TI - Fabrication and resistive switching characteristics of high compact Ga-doped ZnO nanorod thin film devices JO - Nanotechnology VL - 23 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/23/14/145201 DO - 10.1088/0957-4484/23/14/145201 ID - Yao2012 ER - TY - JOUR AU - Park, J. AU - Lee, S. AU - Yong, K. PY - 2012 DA - 2012// TI - Photo-stimulated resistive switching of ZnO nanorods JO - Nanotechnology VL - 23 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/23/38/385707 DO - 10.1088/0957-4484/23/38/385707 ID - Park2012 ER - TY - JOUR AU - Huang, C. -. H. AU - Huang, J. -. S. AU - Lin, S. -. M. AU - Chang, W. -. Y. AU - He, J. -. H. AU - Chueh, Y. -. L. PY - 2012 DA - 2012// TI - ZnO1-x nanorod arrays/ZnO thin film bilayer structure: from homojunction diode and high-performance memristor to complementary 1D1R application JO - ACS Nano VL - 6 UR - https://doi.org/10.1021/nn303233r DO - 10.1021/nn303233r ID - Huang2012 ER - TY - JOUR AU - Chew, Z. J. AU - Li, L. PY - 2013 DA - 2013// TI - A discrete memristor made of ZnO nanowires synthesized on printed circuit board JO - Mater Lett VL - 91 UR - https://doi.org/10.1016/j.matlet.2012.10.011 DO - 10.1016/j.matlet.2012.10.011 ID - Chew2013 ER - TY - JOUR AU - Bera, A. AU - Peng, H. AU - Lourembam, J. AU - Shen, Y. AU - Sun, X. W. AU - Wu, T. PY - 2013 DA - 2013// TI - A versatile light-switchable nanorod memory: wurtzite ZnO on perovskite SrTiO 3 JO - Adv Funct Mater VL - 23 UR - https://doi.org/10.1002/adfm.201300509 DO - 10.1002/adfm.201300509 ID - Bera2013 ER - TY - JOUR AU - Yoo, E. J. AU - Shin, I. K. AU - Yoon, T. S. AU - Choi, Y. J. AU - Kang, C. J. PY - 2014 DA - 2014// TI - Resistive switching characteristics of ZnO nanowires JO - J Nanosci Nanotechnol VL - 14 UR - https://doi.org/10.1166/jnn.2014.10157 DO - 10.1166/jnn.2014.10157 ID - Yoo2014 ER - TY - STD TI - Zou C, Wang H, Liang F, Shao L. Reversible switching of ferromagnetism in ZnCuO nanorods by electric field. Appl Phys Lett. doi: 10.1063/1.4915605 ID - ref260 ER - TY - STD TI - Sun Y, Yan X, Zheng X, Liu Y, Zhao Y, Shen Y, Liao Q, Zhang Y (2015) High On–Off Ratio Improvement of ZnO-Based Forming-Free Memristor by Surface Hydrogen Annealing. ACS Appl Mater Interfaces. 150327123046007. doi: 10.1021/acsami.5b01080 ID - ref261 ER - TY - STD TI - Cheng B, Zhao J, Xiao L, Cai Q, Guo R, Xiao Y, Lei S (2015) PMMA interlayer-modulated memory effects by space charge polarization in resistive switching based on CuSCN-nanopyramids/ZnO-nanorods p-n heterojunction. Nat Publ Gr :1–9. doi: 10.1038/srep17859 ID - ref262 ER - TY - JOUR AU - Wang, H. J. AU - Zou, C. W. AU - Zhou, L. AU - Tian, C. X. AU - Lee, M. K. AU - Lee, J. C. AU - Kang, T. W. AU - Fu, D. J. PY - 2011 DA - 2011// TI - Electrical properties and carrier transport mechanisms of nonvolatile memory devices based on randomly oriented ZnO nanowire networks JO - Phys status solidi - Rapid Res Lett VL - 5 UR - https://doi.org/10.1002/pssr.201105146 DO - 10.1002/pssr.201105146 ID - Wang2011 ER - TY - JOUR AU - Li, L. AU - Zhang, Y. AU - Chew, Z. PY - 2013 DA - 2013// TI - A Cu/ZnO nanowire/Cu resistive switching device JO - Nano-Micro Lett VL - 3 UR - https://doi.org/10.1007/BF03353745 DO - 10.1007/BF03353745 ID - Li2013 ER - TY - STD TI - Zhao WX, Sun B, Liu YH, Wei LJ, Li HW, Chen P. Light-controlled resistive switching of ZnWO4 nanowires array. AIP Adv. doi: 10.1063/1.4891461 ID - ref265 ER - TY - JOUR AU - Kapitanova, O. O. AU - Panin, G. N. AU - Kononenko, O. V. AU - Baranov, a. N. AU - Kang, T. W. PY - 2014 DA - 2014// TI - Resistive switching in graphene/graphene oxide/ZnO heterostructures JO - J Korean Phys Soc VL - 64 UR - https://doi.org/10.3938/jkps.64.1399 DO - 10.3938/jkps.64.1399 ID - Kapitanova2014 ER - TY - JOUR AU - Valanarasu, S. AU - Kathalingam, A. AU - Rhee, J. -. K. AU - Chandramohan, R. AU - Vijayan, T. A. AU - Karunakaran, M. PY - 2015 DA - 2015// TI - Improved memory effect of ZnO nanorods embedded in an insulating polymethylmethacrylate layer JO - J Nanosci Nanotechnol VL - 15 UR - https://doi.org/10.1166/jnn.2015.9034 DO - 10.1166/jnn.2015.9034 ID - Valanarasu2015 ER - TY - JOUR AU - Yamamoto, H. M. PY - 2014 DA - 2014// TI - Sheathed nanowires aligned by crystallographic periodicity: a possibility of cross-bar wiring in three-dimensional space JO - CrystEngComm VL - 16 UR - https://doi.org/10.1039/c3ce41015c DO - 10.1039/c3ce41015c ID - Yamamoto2014 ER - TY - JOUR AU - Retamal, J. R. D. AU - Kang, C. -. F. AU - Ho, C. -. H. AU - Ke, J. -. J. AU - Chang, W. -. Y. AU - He, J. -. H. PY - 2014 DA - 2014// TI - Effect of ultraviolet illumination on metal oxide resistive memory JO - Appl Phys Lett VL - 105 UR - https://doi.org/10.1063/1.4904396 DO - 10.1063/1.4904396 ID - Retamal2014 ER - TY - JOUR AU - Shih, C. AU - Chang, K. AU - Chang, T. AU - Tsai, T. AU - Zhang, R. AU - Chen, J. AU - Chen, K. AU - Young, T. AU - Chen, H. AU - Lou, J. AU - Chu, T. AU - Huang, S. AU - Bao, D. AU - Sze, S. M. PY - 2014 DA - 2014// TI - Resistive switching modification by ultraviolet illumination in transparent electrode resistive random access memory JO - IEEE Electron Device Lett VL - 35 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2014.2327117 DO - 10.1109/LED.2014.2327117 ID - Shih2014 ER - TY - JOUR AU - Huang, T. -. H. AU - Yang, P. -. K. AU - Lien, D. -. H. AU - Kang, C. -. F. AU - Tsai, M. -. L. AU - Chueh, Y. -. L. AU - He, J. -. H. PY - 2014 DA - 2014// TI - Resistive memory for harsh electronics: immunity to surface effect and high corrosion resistance via surface modification JO - Sci Rep VL - 4 ID - Huang2014 ER - TY - JOUR AU - Ke, J. -. J. AU - Liu, Z. -. J. AU - Kang, C. -. F. AU - Lin, S. -. J. AU - He, J. -. H. PY - 2011 DA - 2011// TI - Surface effect on resistive switching behaviors of ZnO JO - Appl Phys Lett VL - 99 UR - https://doi.org/10.1063/1.3659296 DO - 10.1063/1.3659296 ID - Ke2011 ER - TY - JOUR AU - Lee, H. -. J. AU - Jeong, S. -. Y. AU - Cho, C. R. AU - Park, C. H. PY - 2002 DA - 2002// TI - Study of diluted magnetic semiconductor: Co-doped ZnO JO - Appl Phys Lett VL - 81 UR - https://doi.org/10.1063/1.1517405 DO - 10.1063/1.1517405 ID - Lee2002 ER - TY - JOUR AU - Naeem, M. AU - Hasanain, S. K. AU - Kobayashi, M. AU - Ishida, Y. AU - Fujimori, a. AU - Buzby, S. AU - Shah, S. I. PY - 2006 DA - 2006// TI - Effect of reducing atmosphere on the magnetism of Zn(1-x)Co(x)O (0≤x≤0.10) nanoparticles JO - Nanotechnology VL - 17 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/10/039 DO - 10.1088/0957-4484/17/10/039 ID - Naeem2006 ER - TY - JOUR AU - Wang, L. AU - Zhang, F. AU - Xu, Z. AU - Zhao, S. AU - Lu, L. PY - 2010 DA - 2010// TI - Influence of the cobalt concentration on optical and magnetic properties of zinc oxide JO - Chinese Sci Bull VL - 55 UR - https://doi.org/10.1007/s11434-009-0732-z DO - 10.1007/s11434-009-0732-z ID - Wang2010 ER - TY - JOUR AU - Wu, W. AU - Wang, Z. L. PY - 2011 DA - 2011// TI - Piezotronic nanowire-based resistive switches as programmable electromechanical memories JO - Nano Lett VL - 11 UR - https://doi.org/10.1021/nl201074a DO - 10.1021/nl201074a ID - Wu2011 ER - TY - STD TI - Lu J, Li Z, Yin G, Ge M, He D, Wang H. Lateral photovoltaic effect co-observed with unipolar resistive switching behavior in Cu-doped ZnO film. J Appl Phys. doi: 10.1063/1.4896366 ID - ref277 ER - TY - JOUR AU - Zhao, J. L. AU - Teo, K. L. AU - Zheng, K. AU - Sun, X. W. PY - 2016 DA - 2016// TI - Color tunable electroluminescence and resistance switching from a ZnO-nanorod-TaOx-p-GaN heterojunction JO - Nanotechnology VL - 27 UR - https://doi.org/10.1088/0957-4484/27/11/115204 DO - 10.1088/0957-4484/27/11/115204 ID - Zhao2016 ER - TY - JOUR AU - Lim, J. H. AU - Kong, C. K. AU - Kim, K. K. AU - Park, I. K. AU - Hwang, D. K. AU - Park, S. J. PY - 2006 DA - 2006// TI - UV electroluminescence emission from ZnO light-emitting diodes grown by high-temperature radiofrequency sputtering JO - Adv Mater VL - 18 UR - https://doi.org/10.1002/adma.200502633 DO - 10.1002/adma.200502633 ID - Lim2006 ER - TY - JOUR AU - Kou, L. Z. AU - Guo, W. L. AU - Li, C. PY - 2008 DA - 2008// TI - Piezoelectricity of ZNO and its nanostructures. 2008 Symp Piezoelectricity, Acoust Waves JO - Device Appl SPAWDA VL - 2008 ID - Kou2008 ER - TY - JOUR AU - Kumar, B. AU - Kim, S. W. PY - 2012 DA - 2012// TI - Energy harvesting based on semiconducting piezoelectric ZnO nanostructures JO - Nano Energy VL - 1 UR - https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2012.02.001 DO - 10.1016/j.nanoen.2012.02.001 ID - Kumar2012 ER - TY - JOUR AU - Look, D. C. AU - Claflin, B. AU - Alivov, Y. I. AU - Park, S. J. PY - 2004 DA - 2004// TI - The future of ZnO light emitters JO - Phys Status Solidi C Conf VL - 1 UR - https://doi.org/10.1002/pssa.200404803 DO - 10.1002/pssa.200404803 ID - Look2004 ER - TY - STD TI - Prall K, Ramaswamy N, Kinney W, Holtzclaw K, Chen X, Strand J, Bez R (2012) An update on emerging memory: Progress to 2Xnm. 4th IEEE Int. Mem. Work. pp 1–5. doi:10.1109/IMW.2012.6213635 ID - ref283 ER - TY - JOUR AU - Deng, R. AU - Yao, B. AU - Li, Y. F. AU - Zhao, Y. M. AU - Li, B. H. AU - Shan, C. X. AU - Zhang, Z. Z. AU - Zhao, D. X. AU - Zhang, J. Y. AU - Shen, D. Z. AU - Fan, X. W. PY - 2009 DA - 2009// TI - X-ray photoelectron spectroscopy measurement of n-ZnO/p-NiO heterostructure valence-band offset JO - Appl Phys Lett VL - 94 ID - Deng2009 ER - TY - STD TI - Fang L, Baik SJ, Kim JW, Kang SJ, Seo JW, Jeon JW, Kim YH, Lim KS. Tunable work function of a WOx buffer layer for enhanced photocarrier collection of pin-type amorphous silicon solar cells. J Appl Phys. doi: 10.1063/1.3583576 ID - ref285 ER - TY - JOUR AU - Li, H. AU - Lv, X. AU - Xi, J. AU - Wu, X. AU - Mao, Q. AU - Liu, Q. AU - Ji, Z. PY - 2014 DA - 2014// TI - Effects of TiOx interlayer on resistance switching of Pt/TiO x/ZnO/n+-Si structures JO - Surf Rev Lett VL - 21 UR - https://doi.org/10.1142/S0218625X14500619 DO - 10.1142/S0218625X14500619 ID - Li2014 ER - TY - JOUR AU - Sekhar, K. C. AU - Kamakshi, K. AU - Bernstorff, S. AU - Gomes, M. J. M. PY - 2015 DA - 2015// TI - Effect of annealing temperature on photoluminescence and resistive switching characteristics of ZnO/Al2O3 multilayer nanostructures JO - J Alloys Compd VL - 619 UR - https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2014.09.067 DO - 10.1016/j.jallcom.2014.09.067 ID - Sekhar2015 ER - TY - JOUR AU - Chen, M. -. C. AU - Chang, T. -. C. AU - Huang, S. -. Y. AU - Chen, S. -. C. AU - Hu, C. -. W. AU - Tsai, C. -. T. AU - Sze, S. M. PY - 2010 DA - 2010// TI - Bipolar resistive switching characteristics of transparent indium gallium zinc oxide resistive random access memory JO - Electrochem Solid-State Lett VL - 13 UR - https://doi.org/10.1149/1.3360181 DO - 10.1149/1.3360181 ID - Chen2010 ER - TY - JOUR AU - Seung-Eon, A. AU - Bo Soo, K. AU - Ki Hwan, K. AU - Myoung-Jae, L. AU - Chang Bum, L. AU - Stefanovich, G. AU - Chang Jung, K. AU - Youngsoo, P. PY - 2009 DA - 2009// TI - Stackable all-oxide-based nonvolatile memory with Al2O3 antifuse and p-CuOx/n-InZnOx diode JO - IEEE Electron Device Lett VL - 30 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2009.2016582 DO - 10.1109/LED.2009.2016582 ID - Seung-Eon2009 ER - TY - JOUR AU - Sato, Y. AU - Tsunoda, K. AU - Kinoshita, K. AU - Noshiro, H. AU - Aoki, M. AU - Sugiyama, Y. PY - 2008 DA - 2008// TI - Sub-100-μA reset current of nickel oxide resistive memory through control of filamentary conductance by current limit of MOSFET JO - IEEE Trans Electron Devices VL - 55 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2008.919385 DO - 10.1109/TED.2008.919385 ID - Sato2008 ER - TY - JOUR AU - Wei, Z. AU - Kanzawa, Y. AU - Arita, K. AU - Katoh, Y. AU - Kawai, K. AU - Muraoka, S. AU - Mitani, S. AU - Fujii, S. AU - Katayama, K. AU - Iijima, M. AU - Mikawa, T. AU - Ninomiya, T. AU - Miyanaga, R. AU - Kawashima, Y. AU - Tsuji, K. AU - Himeno, A. AU - Okada, T. AU - Azuma, R. AU - Shimakawa, K. AU - Sugaya, H. AU - Takagi, T. AU - Yasuhara, R. AU - Horiba, K. AU - Kumigashira, H. AU - Oshima, M. PY - 2008 DA - 2008// TI - Highly reliable TaOx ReRAM and direct evidence of redox reaction mechanism JO - IEEE Int Electron Devices Meet VL - 2008 ID - Wei2008 ER - TY - JOUR AU - Jeong, D. S. AU - Schroeder, H. AU - Waser, R. PY - 2007 DA - 2007// TI - Coexistence of bipolar and unipolar resistive switching behaviors in a Pt∕TiO[sub 2]∕Pt stack JO - Electrochem Solid-State Lett VL - 10 UR - https://doi.org/10.1149/1.2742989 DO - 10.1149/1.2742989 ID - Jeong2007 ER - TY - JOUR AU - Kim, S. AU - Byun, I. AU - Hwang, I. AU - Kim, J. AU - Choi, J. AU - Park, B. H. AU - Seo, S. AU - Lee, M. J. AU - Seo, D. H. AU - Suh, D. S. AU - Joung, Y. S. AU - Yoo, I. K. PY - 2005 DA - 2005// TI - Giant and stable conductivity switching behaviors in ZrO2 films deposited by pulsed laser depositions JO - Japanese J Appl Physics, Part 2 Lett VL - 44 ID - Kim2005 ER - TY - STD TI - Cao X, Li X, Gao X, Yu W, Liu X, Zhang Y, Chen L, Cheng X. Forming-free colossal resistive switching effect in rare-earth-oxide Gd2 O3 films for memristor applications. J Appl Phys. doi: 10.1063/1.3236573 ID - ref294 ER - TY - STD TI - Murugan AV, Navale SC, Ravi V (2006) Synthesis of nanocrystalline La 2 O 3 powder at 100 ° C 60:848–849. doi: 10.1016/j.matlet.2005.10.030 ID - ref295 ER - TY - JOUR AU - Yu, D. AU - Liu, L. F. AU - Chen, B. AU - Zhang, F. F. AU - Gao, B. AU - Fu, Y. H. AU - Liu, X. Y. AU - Kang, J. F. AU - Zhang, X. PY - 2011 DA - 2011// TI - Multilevel resistive switching characteristics in Ag/SiO2/Pt RRAM devices JO - IEEE Int Conf Electron Devices Solid-State Circuits VL - 2011 ID - Yu2011 ER - TY - JOUR AU - Chung, Y. L. AU - Cheng, W. H. AU - Jeng, J. S. AU - Chen, W. C. AU - Jhan, S. A. AU - Chen, J. S. PY - 2014 DA - 2014// TI - Joint contributions of Ag ions and oxygen vacancies to conducting filament evolution of Ag/TaOx/Pt memory device JO - J Appl Phys VL - 116 ID - Chung2014 ER - TY - STD TI - Lin C, Chang Y (2012) Formation and Rupture of Ag Conductive Bridge in ZrO 2 -Based Resistive Switching Memory Delivered by Ingenta to 12:2437–2441. doi: 10.1166/jnn.2012.5768 ID - ref298 ER - TY - JOUR AU - Tsunoda, K. AU - Fukuzumi, Y. AU - Jameson, J. R. AU - Wang, Z. AU - Griffin, P. B. AU - Nishi, Y. PY - 2007 DA - 2007// TI - Bipolar resistive switching in polycrystalline TiO2 films JO - Appl Phys Lett VL - 90 UR - https://doi.org/10.1063/1.2712777 DO - 10.1063/1.2712777 ID - Tsunoda2007 ER -