TY - JOUR AU - Yoon, Y. AU - Ganapathi, K. AU - Salahuddin, S. PY - 2011 DA - 2011// TI - How good can monolayer MoS2 transistors be? JO - Nano Lett VL - 11 UR - https://doi.org/10.1021/nl2018178 DO - 10.1021/nl2018178 ID - Yoon2011 ER - TY - JOUR AU - Lv, R. AU - Robinson, J. A. AU - Schaak, R. E. AU - Sun, D. AU - Sun, Y. AU - Mallouk, T. E. AU - Terrones, M. PY - 2015 DA - 2015// TI - Transition metal dichalcogenides and beyond: synthesis, properties, and applications of single- and few-layer nanosheets JO - Acc Chem Res VL - 48 UR - https://doi.org/10.1021/ar5002846 DO - 10.1021/ar5002846 ID - Lv2015 ER - TY - JOUR AU - Duan, X. AU - Wang, C. AU - Pan, A. AU - Yu, R. AU - Duan, X. PY - 2015 DA - 2015// TI - Two-dimensional transition metal dichalcogenides as atomically thin semiconductors: opportunities and challenges JO - Chem Soc Rev VL - 44 UR - https://doi.org/10.1039/C5CS00507H DO - 10.1039/C5CS00507H ID - Duan2015 ER - TY - JOUR AU - Li, H. AU - Wu, J. AU - Yin, Z. AU - Zhang, H. PY - 2014 DA - 2014// TI - Preparation and applications of mechanically exfoliated single-layer and multilayer MoS2 and WSe2 nanosheets JO - Acc Chen Res VL - 47 UR - https://doi.org/10.1021/ar4002312 DO - 10.1021/ar4002312 ID - Li2014 ER - TY - JOUR AU - Jariwala, D. AU - Sangwan, V. K. AU - Lauhon, L. J. AU - Marks, T. J. AU - Hersam, M. C. PY - 2014 DA - 2014// TI - Emerging device applications for semiconducting two-dimensional transition metal dichalcogenides JO - ACS Nano VL - 8 UR - https://doi.org/10.1021/nn500064s DO - 10.1021/nn500064s ID - Jariwala2014 ER - TY - JOUR AU - Wang, Q. H. AU - Kalantar-Zadeh, K. AU - Kis, A. AU - Coleman, J. N. AU - Strano, M. S. PY - 2012 DA - 2012// TI - Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides JO - Nature Nanotech VL - 7 UR - https://doi.org/10.1038/nnano.2012.193 DO - 10.1038/nnano.2012.193 ID - Wang2012 ER - TY - JOUR AU - Radisavljevic, B. AU - Radenovic, A. AU - Brivio, J. AU - Giacometti, V. AU - Kis, A. PY - 2011 DA - 2011// TI - Single-layer MoS2 transistors JO - Nature Nanotech VL - 6 UR - https://doi.org/10.1038/nnano.2010.279 DO - 10.1038/nnano.2010.279 ID - Radisavljevic2011 ER - TY - STD TI - Mak KF, Lee C, Hone J, Shan J, Heinz TF (2010) Atomically thin MoS2: a new direct-gap semiconductor. Phys Rev Lett:105, 136805 ID - ref8 ER - TY - JOUR AU - Kam, K. K. AU - Parkinson, B. A. PY - 1982 DA - 1982// TI - Detailed photocurrent spectroscopy of the semiconducting group VIB transition metal dichalcogenides JO - J Phys Chem VL - 86 UR - https://doi.org/10.1021/j100393a010 DO - 10.1021/j100393a010 ID - Kam1982 ER - TY - JOUR AU - Bernardi, M. AU - Palummo, M. AU - Grossman, J. C. PY - 2013 DA - 2013// TI - Extraordinary sunlight absorption and one nanometer thick photovoltaics using two-dimensional monolayer materials JO - Nano Lett VL - 13 UR - https://doi.org/10.1021/nl401544y DO - 10.1021/nl401544y ID - Bernardi2013 ER - TY - JOUR AU - Beal, A. R. AU - Hughes, H. P. PY - 1979 DA - 1979// TI - Kramers-Kronig analysis of the reflectivity spectra of 2H-MoS2, 2H-MoSe2 and 2H-MoTe2 JO - J Phys C: Solid Phys VL - 12 UR - https://doi.org/10.1088/0022-3719/12/5/017 DO - 10.1088/0022-3719/12/5/017 ID - Beal1979 ER - TY - JOUR AU - Hau, X. AU - Juanxia, W. AU - Feng, Q. AU - Mao, N. AU - Wang, C. AU - Zhang, J. PY - 2014 DA - 2014// TI - High responsivity and gate tunable graphene-MoS2 hybrid phototransistor JO - Small VL - 10 UR - https://doi.org/10.1002/smll.201303670 DO - 10.1002/smll.201303670 ID - Hau2014 ER - TY - JOUR AU - Zhang, W. AU - Chuu, C. -. P. AU - Huang, J. -. K. AU - Chen, C. -. H. AU - Tsai, M. -. L. AU - Chang, Y. -. H. AU - Liang, C. -. T. AU - Chen, Y. -. Z. AU - Chueh, Y. -. L. AU - He, J. -. H. AU - Chou, M. -. Y. AU - Li, L. -. J. PY - 2014 DA - 2014// TI - Ultrahigh-gain photodetectors based on atomically thin graphene-MoS2 heterostructures JO - Sci Rep VL - 4 UR - https://doi.org/10.1038/srep03826 DO - 10.1038/srep03826 ID - Zhang2014 ER - TY - JOUR AU - Kwak, J. Y. AU - Hwang, J. AU - Calderon, B. AU - Alsalman, H. AU - Spencer, M. G. PY - 2016 DA - 2016// TI - Long wavelength optical response of graphene-MoS2 heterojunction JO - Appl Phys Lett VL - 108 UR - https://doi.org/10.1063/1.4943169 DO - 10.1063/1.4943169 ID - Kwak2016 ER - TY - JOUR AU - Henck, H. AU - Pierucci, D. AU - Chaste, J. AU - Naylor, C. H. AU - Avila, J. AU - Balan, A. AU - Silly, M. G. AU - Asensio, M. C. AU - Sirotti, F. AU - Charlie Johnson, A. T. AU - Lhuillier, E. AU - Ouerghi, A. PY - 2016 DA - 2016// TI - Electrolytic phototransistor based on graphene-MoS2 van der waals p-n heterojunction with tunable photoresponse JO - Appl Phys Lett VL - 109 UR - https://doi.org/10.1063/1.4962551 DO - 10.1063/1.4962551 ID - Henck2016 ER - TY - JOUR AU - Kufer, D. AU - Nikitskiy, I. AU - Lasanta, T. AU - Navickaite, G. AU - Koppens, F. H. L. AU - Konstantatos, G. PY - 2015 DA - 2015// TI - Hybrid 2D-0D MoS2-PbS quantum dot photodetectors JO - Adv Mater VL - 27 UR - https://doi.org/10.1002/adma.201402471 DO - 10.1002/adma.201402471 ID - Kufer2015 ER - TY - STD TI - Caiyun Chen, Hong Qiao, Shenghuang Lin, Chi Man Luk, Yan Liu, Zaiquan Xu, Jingchao Song, Yunzhou Xue, Delong Li, Jian Yuan, Wenzhi Yu, Chunxu Pan, Shu Ping Lau, and Qiaoliang Bao. Highly responsive MoS2 photodetectors enhanced by graphene quantum dots. Sci Rep. 2015;5;11830 ID - ref17 ER - TY - JOUR AU - Schornbaum, J. AU - Winter, B. AU - Schieβl, S. P. AU - Gannott, F. AU - Katsukis, G. AU - Guldi, D. M. AU - Spiecker, E. AU - Zaumseil, J. PY - 2014 DA - 2014// TI - Epitaxial growth of PbSe quantum dots on MoS2 nanosheets and their near-infrared photoresponse JO - Adv Funct Mater VL - 24 UR - https://doi.org/10.1002/adfm.201400330 DO - 10.1002/adfm.201400330 ID - Schornbaum2014 ER - TY - JOUR AU - Seong Hun, Y. AU - Lee, Y. AU - Jang, S. K. AU - Kang, J. AU - Jeon, J. AU - Lee, C. AU - Lee, J. Y. AU - Kim, H. AU - Hwang, E. AU - Lee, S. AU - Cho, J. H. PY - 2014 DA - 2014// TI - Dye-sensitized MoS2 photodetector with enhanced spectral photoresponse JO - ACS Nano VL - 8 UR - https://doi.org/10.1021/nn502715h DO - 10.1021/nn502715h ID - Seong Hun2014 ER - TY - JOUR AU - Huo, N. AU - Kang, J. AU - Wei, Z. AU - Li, S. -. S. AU - Li, J. AU - Wei, S. -. H. PY - 2014 DA - 2014// TI - Novel and enhanced optoelectronics performances of multilayer MoS2-WS2 heterostructure transistors JO - Adv Funct Mater VL - 24 UR - https://doi.org/10.1002/adfm.201401504 DO - 10.1002/adfm.201401504 ID - Huo2014 ER - TY - JOUR AU - Xue, Y. AU - Zhang, Y. AU - Liu, Y. AU - Liu, H. AU - Song, J. AU - Sophia, J. AU - Liu, J. AU - Xu, Z. AU - Xu, Q. AU - Wang, Z. AU - Zheng, J. AU - Liu, Y. AU - Li, S. AU - Bao, Q. PY - 2016 DA - 2016// TI - Scalable production of a few-layer MoS2/WS2 vertical heterojunction array and its application for photodetectors JO - ACS Nano VL - 10 UR - https://doi.org/10.1021/acsnano.5b05596 DO - 10.1021/acsnano.5b05596 ID - Xue2016 ER - TY - JOUR AU - Yifei, Y. AU - Shi, H. AU - Liqin, S. AU - Huang, L. AU - Liu, Y. AU - Jin, Z. AU - Purezky, A. A. AU - Geohegan, D. B. AU - Kim, K. W. AU - Zhang, Y. AU - Cao, L. PY - 2015 DA - 2015// TI - Equally efficient interlayer exciton relaxation and improved absorption in epitaxial and nonepitaxial MoS2/WS2 heterostructures JO - Nano Lett VL - 15 UR - https://doi.org/10.1021/nl5038177 DO - 10.1021/nl5038177 ID - Yifei2015 ER - TY - JOUR AU - Hsiao, Y. -. J. AU - Fang, T. -. H. AU - Ji, L. -. W. AU - Yang, B. -. Y. PY - 2015 DA - 2015// TI - Red-shift effect and sensitive responsivity of MoS2/ZnO flexible photodetectors JO - Nanoscale Res Lett VL - 10 UR - https://doi.org/10.1186/s11671-015-1151-5 DO - 10.1186/s11671-015-1151-5 ID - Hsiao2015 ER - TY - JOUR AU - Ye, J. AU - Li, X. AU - Zhao, J. AU - Mei, X. AU - Li, Q. PY - 2015 DA - 2015// TI - A facile way to fabricate high-performance solution-processed n-MoS2/p-MoS2 bilayer photodetectors JO - Nanoscale Res Lett VL - 10 UR - https://doi.org/10.1186/s11671-015-1161-3 DO - 10.1186/s11671-015-1161-3 ID - Ye2015 ER - TY - JOUR AU - Kim, S. AU - Konar, A. AU - Hwang, W. -. S. AU - Lee, J. H. AU - Lee, J. AU - Yang, J. AU - Jung, C. AU - Kim, H. AU - Yoo, J. -. B. AU - Choi, J. -. Y. AU - Jin, Y. W. AU - Lee, S. Y. AU - Jena, D. AU - Choi, W. AU - Kim, K. PY - 2012 DA - 2012// TI - High-mobility and low-power thin-film transistors based on multilayer MoS2 crystals JO - Nat Commun VL - 3 UR - https://doi.org/10.1038/ncomms2018 DO - 10.1038/ncomms2018 ID - Kim2012 ER - TY - JOUR AU - Choi, W. AU - Cho, M. Y. AU - Konar, A. AU - Lee, J. H. AU - Cha, G. -. B. AU - Hong, S. C. AU - Kim, S. AU - Kim, J. AU - Jena, D. AU - Joo, J. AU - Kim, S. PY - 2012 DA - 2012// TI - High-detectivity multilayer MoS2 phototransistors with spectral response from ultraviolet to infrared JO - Adv Mater VL - 24 UR - https://doi.org/10.1002/adma.201201909 DO - 10.1002/adma.201201909 ID - Choi2012 ER - TY - JOUR AU - Novoselov, K. S. AU - Jiang, D. AU - Schedin, F. AU - Booth, T. J. AU - Khotkevich, V. V. AU - Morozov, S. V. AU - Geim, A. K. PY - 2005 DA - 2005// TI - Two-dimensional atomic crystals JO - PNAS VL - 102 UR - https://doi.org/10.1073/pnas.0502848102 DO - 10.1073/pnas.0502848102 ID - Novoselov2005 ER - TY - JOUR AU - Wakabayashi, N. AU - Smith, H. G. AU - Nicklow, R. M. PY - 1975 DA - 1975// TI - Lattice dynamics of hexagonal MoS2 studied by neutron scattering JO - Phys Rev B VL - 12 UR - https://doi.org/10.1103/PhysRevB.12.659 DO - 10.1103/PhysRevB.12.659 ID - Wakabayashi1975 ER - TY - JOUR AU - Lee, C. AU - Yan, H. AU - Brus, L. E. AU - Heinz, T. F. AU - Hone, J. AU - Ryu, S. PY - 2010 DA - 2010// TI - Anomalous lattice vibrations of single-and few-layer MoS2 JO - ACS Nano VL - 4 UR - https://doi.org/10.1021/nn1003937 DO - 10.1021/nn1003937 ID - Lee2010 ER - TY - JOUR AU - Adinolfi, V. AU - Sargent, E. H. PY - 2017 DA - 2017// TI - Photovoltage field-effect transistors JO - Nature VL - 542 UR - https://doi.org/10.1038/nature21050 DO - 10.1038/nature21050 ID - Adinolfi2017 ER - TY - JOUR AU - Liu, J. AU - Yin, Y. AU - Yu, L. AU - Shi, Y. AU - Liang, D. AU - Dai, D. PY - 2017 DA - 2017// TI - Silicon-graphene conductive photodetector with ultra-high responsivity JO - Sci Rep VL - 7 UR - https://doi.org/10.1038/srep40904 DO - 10.1038/srep40904 ID - Liu2017 ER - TY - JOUR AU - Lopez-Sanchez, O. AU - Lembke, D. AU - Kayci, M. AU - Radenovic, A. AU - Kis, A. PY - 2013 DA - 2013// TI - Ultrasensitive photodetectors based on monolayer MoS2 JO - Nature Nanotech VL - 8 UR - https://doi.org/10.1038/nnano.2013.100 DO - 10.1038/nnano.2013.100 ID - Lopez-Sanchez2013 ER - TY - JOUR AU - An, X. AU - Liu, F. AU - Jung, Y. J. AU - Kar, S. PY - 2013 DA - 2013// TI - Tunable graphene-silicon heterojunctions for ultrasensitive photodetection JO - Nano Lett VL - 13 UR - https://doi.org/10.1021/nl303682j DO - 10.1021/nl303682j ID - An2013 ER -