TY - JOUR AU - Prasai, D. AU - John, W. AU - Weixelbaum, L. AU - Krüger, O. AU - Wagner, G. AU - Sperfeld, P. AU - Nowy, S. AU - Friedrich, D. AU - Winter, S. AU - Weiss, T. PY - 2013 DA - 2013// TI - Highly reliable silicon carbide photodiodes for visible-blind ultraviolet detector applications JO - J Mater Res VL - 28 ID - Prasai2013 ER - TY - JOUR AU - Alaie, Z. AU - Mohammad Nejad, S. AU - Yousefi, M. H. PY - 2015 DA - 2015// TI - Recent advances in ultraviolet photodetectors JO - Mat Sci Semicon Proc VL - 29 UR - https://doi.org/10.1016/j.mssp.2014.02.054 DO - 10.1016/j.mssp.2014.02.054 ID - Alaie2015 ER - TY - JOUR AU - Yang, S. AU - Zhou, D. AU - Cai, X. AU - Xu, W. AU - Lu, H. AU - Chen, D. AU - Ren, F. AU - Zhang, R. AU - Zheng, Y. AU - Wang, R. PY - 2017 DA - 2017// TI - Analysis of dark count mechanisms of 4H-SiC ultraviolet avalanche photodiodes working in Geiger mode JO - IEEE T Electron Dev VL - 11 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2017.2753839 DO - 10.1109/TED.2017.2753839 ID - Yang2017 ER - TY - JOUR AU - Cai, Q. AU - Dong, K. AU - Xie, Z. AU - Tang, Y. AU - Xue, J. AU - Chen, D. PY - 2019 DA - 2019// TI - Enhanced front-illuminated p-i-p-i-n GaN/AlGaN ultraviolet avalanche photodiodes JO - Mat Sci Semicon Proc VL - 96 UR - https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.02.019 DO - 10.1016/j.mssp.2019.02.019 ID - Cai2019 ER - TY - JOUR AU - Chen, B. AU - Yang, Y. -. T. AU - Chai, C. -. C. AU - Zhang, X. -. J. PY - 2011 DA - 2011// TI - Quantitatively exploring the effect of a triangular electrode on performance enhancement in a 4H-SiC metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector JO - Chin Phys Lett VL - 6 UR - https://doi.org/10.1088/0256-307X/28/6/068501 DO - 10.1088/0256-307X/28/6/068501 ID - Chen2011 ER - TY - JOUR AU - Sciuto, A. AU - Roccaforte, F. AU - Franco, S. AU - Raineri, V. AU - Billotta, S. AU - Bonanno, G. PY - 2007 DA - 2007// TI - Photocurrent gain in 4H-SiC interdigit Schottky UV detectors with a thermally grown oxide layer JO - Appl Phys Lett VL - 22 UR - https://doi.org/10.1063/1.2745208 DO - 10.1063/1.2745208 ID - Sciuto2007 ER - TY - JOUR AU - Yang, S. e. n. AU - Zhou, D. o. n. g. AU - Lu, H. a. i. AU - Chen, D. u. n. j. u. n. AU - Ren, F. a. n. g. f. a. n. g. AU - Zhang, R. o. n. g. AU - Zheng, Y. o. u. d. o. u. PY - 2016 DA - 2016// TI - 4H-SiC p-i-n Ultraviolet Avalanche Photodiodes Obtained by Al Implantation JO - IEEE Photonics Technology Letters VL - 28 UR - https://doi.org/10.1109/LPT.2016.2535335 DO - 10.1109/LPT.2016.2535335 ID - Yang2016 ER - TY - JOUR AU - Li, L. AU - Zhou, D. AU - Lu, H. AU - Liu, W. AU - Mo, X. AU - Ren, F. AU - Chen, D. AU - Wang, R. AU - Li, G. AU - Zhang, R. AU - Zheng, Y. PY - 2017 DA - 2017// TI - 4H-SiC avalanche photodiode linear array operating in Geiger mode JO - IEEE Photonics J VL - 5 ID - Li2017 ER - TY - JOUR AU - Sciuto, A. AU - Mazzillo, M. AU - Franco, S. AU - Roccaforte, F. AU - D'Arrigo, G. PY - 2015 DA - 2015// TI - Visible blind 4H-SiC P+-N UV photodiode obtained by Al implantation JO - IEEE Photonics J VL - 3 UR - https://doi.org/10.1109/JPHOT.2015.2439955 DO - 10.1109/JPHOT.2015.2439955 ID - Sciuto2015 ER - TY - JOUR AU - Razeghi, M. PY - 2002 DA - 2002// TI - Short-wavelength solar-blind detectors-status, prospects, and markets JO - P IEEE VL - 6 UR - https://doi.org/10.1109/JPROC.2002.1021565 DO - 10.1109/JPROC.2002.1021565 ID - Razeghi2002 ER - TY - JOUR AU - Liu, T. AU - Wang, P. AU - Zhang, H. PY - 2015 DA - 2015// TI - Performance analysis of non-line-of-sight ultraviolet communication through turbulence channel JO - Chin Opt Lett VL - 13 UR - https://doi.org/10.3788/COL201513.040601 DO - 10.3788/COL201513.040601 ID - Liu2015 ER - TY - JOUR AU - Shaw, G. A. AU - Siegel, A. M. AU - Model, J. AU - Geboff, A. PY - 2009 DA - 2009// TI - Deep UV photon-counting detectors and applications JO - Proc of SPIE VL - 7320 UR - https://doi.org/10.1117/12.820825 DO - 10.1117/12.820825 ID - Shaw2009 ER - TY - JOUR AU - Cai, X. AU - Zhou, D. AU - Yang, S. AU - Lu, H. AU - Chen, D. AU - Ren, F. AU - Zhang, R. AU - Zheng, Y. PY - 2016 DA - 2016// TI - 4H-SiC SACM avalanche photodiode with low breakdown voltage and high UV detection efficiency JO - IEEE Photonics J VL - 5 ID - Cai2016 ER - TY - JOUR AU - Yang, S. AU - Zhou, D. AU - Xu, W. AU - Cai, X. AU - Lu, H. AU - Chen, D. AU - Ren, F. AU - Zhang, R. AU - Zheng, Y. PY - 2017 DA - 2017// TI - 4H-SiC ultraviolet avalanche photodiodes with small gain slope and enhanced fill factor JO - IEEE Photonics J VL - 2 ID - Yang2017 ER - TY - STD TI - H.-Y. Cha, S. Soloviev, G. Dunne, L. Rowland, S. Zelakiewicz, P. Waldrab, and P. Sandvik (2006) Comparison of 4H-SiC separate absorption and multiplication region avalanche photodiodes structures for UV detection. In Proc. IEEE Sensors, 14–17 ID - ref15 ER - TY - JOUR AU - Guo, X. AU - Beck, A. L. AU - Huang, Z. AU - Duan, N. AU - Campbell, J. C. AU - Emerson, D. AU - Sumakeris, J. J. PY - 2006 DA - 2006// TI - Performance of low-dark-current 4H-SiC avalanche photodiodes with thin multiplication layer JO - IEEE T Electron Dev VL - 9 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2006.879677 DO - 10.1109/TED.2006.879677 ID - Guo2006 ER - TY - JOUR AU - Xin, X. AU - Yan, F. AU - Koeth, T. W. AU - Joseph, C. AU - Hu, J. AU - Wu, J. AU - Zhao, J. H. PY - 2005 DA - 2005// TI - Demonstration of 4H-SiC visible-blind EUV and UV detector with large detection area JO - Electron Lett VL - 21 UR - https://doi.org/10.1049/el:20052977 DO - 10.1049/el:20052977 ID - Xin2005 ER - TY - JOUR AU - Zhou, X. AU - Han, T. AU - Lv, Y. AU - Li, J. AU - Lu, W. AU - Wang, Y. AU - Song, X. AU - Tan, X. AU - Liang, S. AU - Feng, Z. AU - Cai, S. PY - 2018 DA - 2018// TI - Large-area 4H-SiC ultraviolet avalanche photodiodes based on variable-temperature reflow technique JO - IEEE Elect Device L VL - 11 UR - https://doi.org/10.1109/LED.2018.2871798 DO - 10.1109/LED.2018.2871798 ID - Zhou2018 ER - TY - JOUR AU - Guo, J. AU - Yang, Y. AU - Wu, F. AU - Sumakeris, J. AU - Leonard, R. AU - Goue, O. AU - Raghothamachar, B. AU - Dudley, M. PY - 2016 DA - 2016// TI - Direct determination of burgers vectors of threading mixed dislocations in 4H-SiC grown by PVT method JO - J Electron Mater VL - 4 UR - https://doi.org/10.1007/s11664-015-4317-0 DO - 10.1007/s11664-015-4317-0 ID - Guo2016 ER - TY - JOUR AU - Nakamura, D. AU - Gunjishima, I. AU - Fineberg, J. PY - 2004 DA - 2004// TI - Ultrahigh-quality silicon carbide single crystals JO - Nature VL - 7003 UR - https://doi.org/10.1038/nature02810 DO - 10.1038/nature02810 ID - Nakamura2004 ER - TY - JOUR AU - Zhou, X. AU - Li, J. AU - Lu, W. AU - Wang, Y. AU - Song, X. AU - Yin, S. AU - Tan, X. AU - Lv, Y. AU - Guo, H. AU - Gu, G. AU - Feng, Z. PY - 2018 DA - 2018// TI - Large-area 4H-SiC avalanche photodiodes with high gain and low dark current for visible-blind ultraviolet detection JO - Chin Opt Lett VL - 6 UR - https://doi.org/10.3788/COL201816.060401 DO - 10.3788/COL201816.060401 ID - Zhou2018 ER - TY - JOUR AU - Chong, E. AU - Koha, Y. AU - Leeb, D. -. H. AU - Baeb, I. -. H. AU - Kima, J. -. S. AU - Jeonga, Y. -. S. AU - Ryua, J. AU - Leec, J. -. Y. AU - Kangc, M. -. J. AU - Parka, J. -. H. AU - Choi, K. -. K. PY - 2019 DA - 2019// TI - Effect of beveled mesa angle on the leakage performance of 4H-SiC avalanche photodiodes JO - Solid State Electron VL - 156 UR - https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.02.009 DO - 10.1016/j.sse.2019.02.009 ID - Chong2019 ER - TY - JOUR AU - Sung, W. AU - Jayant Baliga, B. AU - Huang, A. Q. PY - 2016 DA - 2016// TI - Area-efficient bevel-edge termination techniques for SiC high-voltage devices JO - IEEE T Electron Dev VL - 4 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2016.2532602 DO - 10.1109/TED.2016.2532602 ID - Sung2016 ER - TY - JOUR AU - Berenguier, B. AU - Palais, O. AU - Bertaina, S. AU - Ottaviani, L. AU - Lyoussi, A. PY - 2016 DA - 2016// TI - Lifetime measurement in n-type 4H-SiC by mean of the microwave phase-shift JO - Mater Sci Forum VL - 858 UR - https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.337 DO - 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.337 ID - Berenguier2016 ER - TY - JOUR AU - Ng, B. K. AU - David, J. P. R. AU - Tozer, R. C. AU - Rees, G. J. AU - Yan, F. AU - Zhao, J. H. AU - Weiner, M. PY - 2003 DA - 2003// TI - Nonlocal effects in thin 4H-SiC UV avalanche photodiodes JO - IEEE T Electron Dev VL - 8 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2003.815144 DO - 10.1109/TED.2003.815144 ID - Ng2003 ER - TY - JOUR AU - Chen, X. AU - Zhu, L. PY - 2010 DA - 2010// TI - Research and analysis on absorption coefficient of 4H-SiC at ultraviolet wavelength JO - Chin J Spec Lab VL - 27 ID - Chen2010 ER - TY - JOUR AU - Cha, H. -. Y. AU - Sandvik, P. M. PY - 2008 DA - 2008// TI - Electrical and optical modeling of 4H-SiC avalanche photodiodes JO - Jpn J Appl Phys VL - 47 UR - https://doi.org/10.1143/JJAP.47.5423 DO - 10.1143/JJAP.47.5423 ID - Cha2008 ER - TY - JOUR AU - Zhang, Z. -. H. AU - Tian, K. AU - Chu, C. AU - Fang, M. AU - Zhang, Y. AU - Bi, W. AU - Kuo, H. -. C. PY - 2018 DA - 2018// TI - Establishment of the relationship between the electron energy and the electron injection for AlGaN based ultraviolet light-emitting diodes JO - Opt Express VL - 26 UR - https://doi.org/10.1364/OE.26.017977 DO - 10.1364/OE.26.017977 ID - Zhang2018 ER - TY - BOOK AU - Jayant Baliga, B. PY - 2008 DA - 2008// TI - Fundamentals of power semiconductor devices PB - Springer CY - New York UR - https://doi.org/10.1007/978-0-387-47314-7 DO - 10.1007/978-0-387-47314-7 ID - Jayant Baliga2008 ER -