TY - JOUR AU - Sheu, J. K. AU - Chang, S. J. AU - Kuo, C. H. AU - Su, Y. K. AU - Wu, L. W. AU - Lin, Y. C. AU - Wu, R. K. PY - 2003 DA - 2003// TI - White-light emission from near UV InGaN-GaN LED chip precoated with blue/green/red phosphors JO - IEEE Photon Technol Lett VL - 15 UR - https://doi.org/10.1109/LPT.2002.805852 DO - 10.1109/LPT.2002.805852 ID - Sheu2003 ER - TY - JOUR AU - Akasaki, I. AU - Amano, H. AU - Kito, M. AU - Hiramatsu, K. PY - 1991 DA - 1991// TI - Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED JO - J Lumin VL - 48 UR - https://doi.org/10.1016/0022-2313(91)90215-H DO - 10.1016/0022-2313(91)90215-H ID - Akasaki1991 ER - TY - JOUR AU - Schuster, F. AU - Laumer, B. AU - Zamani, R. R. AU - Magén, C. AU - Morante, J. R. AU - Arbiol, J. AU - Stutzmann, M. PY - 2014 DA - 2014// TI - p-GaN/n-ZnO heterojunction nanowires: optoelectronic properties and the role of interface polarity JO - ACS Nano VL - 8 UR - https://doi.org/10.1021/nn406134e DO - 10.1021/nn406134e ID - Schuster2014 ER - TY - JOUR AU - Margalith, T. AU - Buchinsky, O. AU - Cohen, D. A. AU - Abare, A. C. AU - Hansen, M. AU - DenBaars, S. P. AU - Coldren, L. A. PY - 1999 DA - 1999// TI - Indium tin oxide contacts to gallium nitride optoelectronic devices JO - Appl Phys Lett VL - 74 UR - https://doi.org/10.1063/1.124227 DO - 10.1063/1.124227 ID - Margalith1999 ER - TY - JOUR AU - Mishra, U. K. AU - Shen, L. AU - Kazior, T. E. AU - Wu, Y. F. PY - 2008 DA - 2008// TI - GaN-based RF power devices and amplifiers JO - Proc IEEE VL - 96 UR - https://doi.org/10.1109/JPROC.2007.911060 DO - 10.1109/JPROC.2007.911060 ID - Mishra2008 ER - TY - JOUR AU - Pearton, S. J. AU - Ren, F. AU - Zhang, A. P. AU - Dang, G. AU - Cao, X. A. AU - Lee, K. P. AU - Cho, H. AU - Gilaa, B. P. AU - Johnson, J. W. AU - Monier, C. AU - Abernathy, C. R. AU - Han, J. AU - Baca, A. G. AU - Chyi, J. -. I. AU - Lee, C. -. M. AU - Nee, T. -. E. AU - Chuo, C. -. C. AU - Chu, S. N. G. PY - 2001 DA - 2001// TI - GaN electronics for high power, high temperature applications JO - Mater Sci Eng B VL - 82 UR - https://doi.org/10.1016/S0921-5107(00)00767-4 DO - 10.1016/S0921-5107(00)00767-4 ID - Pearton2001 ER - TY - JOUR AU - Zolper, J. C. AU - Shul, R. J. AU - Baca, A. G. AU - Wilson, R. G. AU - Pearton, S. AU - Stall, R. A. PY - 1996 DA - 1996// TI - Ion-implanted GaN junction field effect transistor JO - Appl Phys Lett VL - 68 UR - https://doi.org/10.1063/1.115882 DO - 10.1063/1.115882 ID - Zolper1996 ER - TY - JOUR AU - Daumiller, I. AU - Kirchner, C. AU - Kamp, M. AU - Ebeling, K. J. AU - Kohn, E. PY - 1999 DA - 1999// TI - Evaluation of the temperature stability of AlGaN/GaN heterostructure FETs JO - IEEE Electron Device Lett VL - 20 UR - https://doi.org/10.1109/55.784448 DO - 10.1109/55.784448 ID - Daumiller1999 ER - TY - JOUR AU - Goldthorpe, I. A. AU - Marshall, A. F. AU - McIntyre, P. C. PY - 2008 DA - 2008// TI - Synthesis and strain relaxation of Ge-Core/Si-shell nanowire arrays JO - Nano Lett VL - 8 UR - https://doi.org/10.1021/nl802408y DO - 10.1021/nl802408y ID - Goldthorpe2008 ER - TY - JOUR AU - Hersee, S. D. AU - Rishinaramangalam, A. K. AU - Fairchild, M. N. AU - Zhang, L. AU - Varangis, P. PY - 2011 DA - 2011// TI - Threading defect elimination in GaN nanowires JO - J Mater Res VL - 26 UR - https://doi.org/10.1557/jmr.2011.112 DO - 10.1557/jmr.2011.112 ID - Hersee2011 ER - TY - JOUR AU - Chen, C. P. AU - Ganguly, A. AU - Lu, C. Y. AU - Chen, T. Y. AU - Kuo, C. C. AU - Chen, R. S. AU - Chen, C. L. PY - 1938 DA - 1938// TI - Ultrasensitive in situ label-free DNA detection using a GaN nanowire-based extended-gate field-effect-transistor sensor JO - Anal Chem VL - 2011 ID - Chen1938 ER - TY - JOUR AU - Huang, Y. AU - Duan, X. AU - Cui, Y. AU - Lieber, C. M. PY - 2002 DA - 2002// TI - Gallium nitride nanowire nanodevices JO - Nano Lett VL - 2 UR - https://doi.org/10.1021/nl015667d DO - 10.1021/nl015667d ID - Huang2002 ER - TY - JOUR AU - Qian, X. AU - Xu, Z. PY - 2015 DA - 2015// TI - Fluorescence imaging of metal ions implicated in diseases JO - Chem Soc Rev VL - 44 UR - https://doi.org/10.1039/C4CS00292J DO - 10.1039/C4CS00292J ID - Qian2015 ER - TY - JOUR AU - Brunner, K. AU - Bockelmann, U. AU - Abstreiter, G. AU - Walther, M. AU - Böhm, G. AU - Tränkle, G. AU - Weimann, G. PY - 1992 DA - 1992// TI - Photoluminescence from a single GaAs/AlGaAs quantum dot JO - Phys Rev Lett VL - 69 UR - https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.69.3216 DO - 10.1103/PhysRevLett.69.3216 ID - Brunner1992 ER - TY - JOUR AU - Wegner, K. D. AU - Hildebrandt, N. PY - 2015 DA - 2015// TI - Quantum dots: bright and versatile in vitro and in vivo fluorescence imaging biosensors JO - Chem Soc Rev VL - 44 UR - https://doi.org/10.1039/C4CS00532E DO - 10.1039/C4CS00532E ID - Wegner2015 ER - TY - JOUR AU - Galindo, F. AU - Kabir, N. AU - Gavrilovicb, J. AU - Russell, D. A. PY - 2008 DA - 2008// TI - Spectroscopic studies of 1,2-diaminoanthraquinone (DAQ) as a fluorescent probe for the imaging of nitric oxide in living cells JO - Photochem Photobiol Sci VL - 7 UR - https://doi.org/10.1039/b707528f DO - 10.1039/b707528f ID - Galindo2008 ER - TY - JOUR AU - Yu, X. AU - Pei, N. AU - Zhou, S. AU - Zhang, X. AU - Luo, X. PY - 2019 DA - 2019// TI - Enhancing light efficiency and moisture stability of the quantum dots-light-emitting diodes by coating superhydrophobic nanosilica particles JO - IEEE Trans Electron Devices VL - 66 UR - https://doi.org/10.1109/TED.2019.2947335 DO - 10.1109/TED.2019.2947335 ID - Yu2019 ER - TY - JOUR AU - Bergveld, P. PY - 1970 DA - 1970// TI - Development of an ion-sensitive solid-state device for neurophysiological measurements JO - IEEE Trans Bio-Med Eng VL - 17 UR - https://doi.org/10.1109/TBME.1970.4502688 DO - 10.1109/TBME.1970.4502688 ID - Bergveld1970 ER - TY - JOUR AU - Milla, M. J. AU - Ulloa, J. M. AU - Guzmań, Á. PY - 2014 DA - 2014// TI - Strong influence of the humidity on the electrical properties of InGaAs surface quantum dots JO - ACS Appl Mater Interfaces VL - 6 UR - https://doi.org/10.1021/am5010442 DO - 10.1021/am5010442 ID - Milla2014 ER - TY - JOUR AU - Fukagawa, H. PY - 2018 DA - 2018// TI - Molecular design and device design to improve stabilities of organic light-emitting diodes JO - J Photopolym Sci Technol VL - 31 UR - https://doi.org/10.2494/photopolymer.31.315 DO - 10.2494/photopolymer.31.315 ID - Fukagawa2018 ER - TY - JOUR AU - Liu, Y. S. AU - Sun, Y. AU - Vernier, P. T. AU - Liang, C. H. AU - Chong, S. Y. C. AU - Gundersen, M. A. PY - 2007 DA - 2007// TI - pH-sensitive photoluminescence of CdSe/ZnSe/ZnS quantum dots in human ovarian cancer cells JO - J Phys Chem C VL - 111 UR - https://doi.org/10.1021/jp0654718 DO - 10.1021/jp0654718 ID - Liu2007 ER - TY - JOUR AU - Hölzel, S. AU - Zyuzin, M. V. AU - Wallys, J. AU - Pouokam, E. AU - Müßener, J. AU - Hille, P. AU - Diener, M. AU - Parak, W. J. AU - Eickhoff, M. PY - 2018 DA - 2018// TI - Dynamic extracellular imaging of biochemical cell activity using InGaN/GaN nanowire arrays as nanophotonic probes JO - Adv Funct Mater VL - 28 UR - https://doi.org/10.1002/adfm.201802503 DO - 10.1002/adfm.201802503 ID - Hölzel2018 ER - TY - JOUR AU - Myung, N. AU - Bae, Y. AU - Bard, A. J. PY - 2003 DA - 2003// TI - Enhancement of the photoluminescence of CdSe nanocrystals dispersed in CHCl3 by oxygen passivation of surface states JO - Nano Lett VL - 3 UR - https://doi.org/10.1021/nl034165s DO - 10.1021/nl034165s ID - Myung2003 ER - TY - JOUR AU - Jing, P. AU - Zheng, J. AU - Ikezawa, M. AU - Liu, X. AU - Lv, S. AU - Kong, X. AU - Zhao, J. AU - Masumoto, Y. PY - 2009 DA - 2009// TI - Temperature-dependent photoluminescence of CdSe-core CdS/CdZnS/ZnS-multishell quantum dots JO - J Phys Chem C VL - 113 UR - https://doi.org/10.1021/jp902080p DO - 10.1021/jp902080p ID - Jing2009 ER - TY - JOUR AU - Dabbousi, B. O. AU - Rodriguez-Viejo, J. AU - Mikulec, F. V. AU - Heine, J. R. AU - Mattoussi, H. AU - Ober, R. AU - Jensen, K. F. AU - Bawendi, M. G. PY - 1997 DA - 1997// TI - (CdSe)ZnS core−shell quantum dots: synthesis and characterization of a size series of highly luminescent nanocrystallites JO - J Phys Chem B VL - 101 UR - https://doi.org/10.1021/jp971091y DO - 10.1021/jp971091y ID - Dabbousi1997 ER - TY - JOUR AU - Mohr, G. J. AU - Wolfbeis, O. S. PY - 1994 DA - 1994// TI - Optical sensors for a wide pH range based on azo dyes immobilized on a novel support JO - Anal Chim Acta VL - 292 UR - https://doi.org/10.1016/0003-2670(94)00096-4 DO - 10.1016/0003-2670(94)00096-4 ID - Mohr1994 ER - TY - JOUR AU - Susha, A. S. AU - Javier, A. M. AU - Parak, W. J. AU - Rogach, A. L. PY - 2006 DA - 2006// TI - Luminescent CdTe nanocrystals as ion probes and pH sensors in aqueous solutions JO - Colloids Surf A VL - 281 UR - https://doi.org/10.1016/j.colsurfa.2006.02.014 DO - 10.1016/j.colsurfa.2006.02.014 ID - Susha2006 ER - TY - JOUR AU - Frasco, M. F. AU - Chaniotakis, N. PY - 2009 DA - 2009// TI - Semiconductor quantum dots in chemical sensors and biosensors JO - Sensors VL - 9 UR - https://doi.org/10.3390/s90907266 DO - 10.3390/s90907266 ID - Frasco2009 ER - TY - JOUR AU - Calleja, E. AU - Sanchez-García, M. A. AU - Sánchez, F. AU - Calle, F. AU - Naranjo, F. B. AU - Muñoz, F. AU - Jahn, U. R. AU - Ploog, K. PY - 2000 DA - 2000// TI - Luminescence properties and defects in GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy JO - Phys Rev B VL - 62 UR - https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.16826 DO - 10.1103/PhysRevB.62.16826 ID - Calleja2000 ER - TY - JOUR AU - Furtmayr, F. AU - Vielemeyer, M. AU - Stutzmann, M. AU - Arbiol, J. AU - Estradé, S. AU - Peiro, F. AU - Morante, J. R. AU - Eickhoff, M. PY - 2008 DA - 2008// TI - Nucleation and growth of GaN nanorods on Si (111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy—the influence of Si- and Mg-doping JO - J Appl Phys VL - 104 UR - https://doi.org/10.1063/1.2953087 DO - 10.1063/1.2953087 ID - Furtmayr2008 ER - TY - JOUR AU - Wallys, J. AU - Jörg Teubert, J. AU - Furtmayr, F. AU - Hofmann, D. M. AU - Martin Eickhoff, M. PY - 2012 DA - 2012// TI - Bias-enhanced optical ph response of group III—nitride nanowires JO - Nano Lett VL - 12 UR - https://doi.org/10.1021/nl303021v DO - 10.1021/nl303021v ID - Wallys2012 ER - TY - JOUR AU - Kida, T. AU - Minami, Y. AU - Guan, G. AU - Nagano, G. AU - Akiyama, M. AU - Yoshida, A. PY - 2006 DA - 2006// TI - Photocatalytic activity of gallium nitride for producing hydrogen from water under light irradiation JO - J Mater Sci VL - 41 UR - https://doi.org/10.1007/s10853-005-5655-8 DO - 10.1007/s10853-005-5655-8 ID - Kida2006 ER - TY - JOUR AU - Iwaki, Y. AU - Ono, M. AU - Yamaguchi, K. AU - Kusakabe, K. AU - Fujii, K. AU - Ohkawa, K. PY - 2008 DA - 2008// TI - Nitride photocatalyst to generate hydrogen gas from water JO - Phys Status Solidi C VL - 5 UR - https://doi.org/10.1002/pssc.200778536 DO - 10.1002/pssc.200778536 ID - Iwaki2008 ER - TY - JOUR AU - Wang, D. AU - Pierre, A. AU - Kibria, M. G. AU - Cui, K. AU - Han, X. AU - Bevan, K. H. AU - Guo, H. AU - Paradis, S. AU - Hakima, A. R. AU - Mi, Z. PY - 2011 DA - 2011// TI - Wafer-level photocatalytic water splitting on GaN nanowire arrays grown by molecular beam epitaxy JO - Nano Lett VL - 11 UR - https://doi.org/10.1021/nl2006802 DO - 10.1021/nl2006802 ID - Wang2011 ER - TY - JOUR AU - Jung, H. S. AU - Hong, Y. J. AU - Li, Y. AU - Cho, J. AU - Kim, Y. -. J. AU - Yi, G. -. C. PY - 2008 DA - 2008// TI - Photocatalysis using GaN nanowires JO - ACS Nano VL - 2 UR - https://doi.org/10.1021/nn700320y DO - 10.1021/nn700320y ID - Jung2008 ER - TY - JOUR AU - Beach, J. D. AU - Collins, R. T. AU - Turner, J. A. PY - 2003 DA - 2003// TI - Band-edge potentials of n-type and p-type GaN JO - J Electrochem Soc VL - 150 UR - https://doi.org/10.1149/1.1577542 DO - 10.1149/1.1577542 ID - Beach2003 ER - TY - JOUR AU - Kocha, S. S. AU - Peterson, M. W. AU - Arent, D. J. AU - Redwing, J. M. AU - Tischler, M. A. AU - Turner, J. A. PY - 1995 DA - 1995// TI - Electrochemical investigation of the gallium nitride-aqueous electrolyte interface JO - J Electrochem Soc VL - 142 UR - https://doi.org/10.1149/1.2048511 DO - 10.1149/1.2048511 ID - Kocha1995 ER - TY - JOUR AU - Calleja, E. AU - Sánchez-García, M. A. AU - Sánchez, F. AU - Calle, F. AU - Naranjo, F. B. AU - Muñoz, F. AU - Jahn, U. R. AU - Ploog, K. PY - 2000 DA - 2000// TI - Luminescence properties and defects in GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy JO - Phys Rev B VL - 62 UR - https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.16826 DO - 10.1103/PhysRevB.62.16826 ID - Calleja2000 ER - TY - JOUR AU - Offenhausser, A. AU - Sprossler, C. AU - Matsuzawa, M. AU - Knoll, W. PY - 1997 DA - 1997// TI - Field-effect transistor array for monitoring electrical activity from mammalian neurons in culture JO - Biosens Bioelectron VL - 12 UR - https://doi.org/10.1016/S0956-5663(97)00047-X DO - 10.1016/S0956-5663(97)00047-X ID - Offenhausser1997 ER - TY - JOUR AU - Cremer, M. Z. PY - 1906 DA - 1906// TI - Origin of electromotor properties of tissues, and instructional contribution for polyphasic electrolyte chain JO - Z Biol (Munich) VL - 47 ID - Cremer1906 ER - TY - JOUR AU - Bergveld, P. PY - 2003 DA - 2003// TI - Thirty years of ISFETOLOGY: What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years JO - Sens Actuators B VL - 88 UR - https://doi.org/10.1016/S0925-4005(02)00301-5 DO - 10.1016/S0925-4005(02)00301-5 ID - Bergveld2003 ER - TY - JOUR AU - Steinhoff, G. AU - Hermann, M. AU - Schaff, W. J. AU - Eastman, L. F. AU - Stutzmann, M. AU - Eickhoff, M. PY - 2003 DA - 2003// TI - pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors JO - Appl Phys Lett VL - 83 UR - https://doi.org/10.1063/1.1589188 DO - 10.1063/1.1589188 ID - Steinhoff2003 ER - TY - JOUR AU - Song, K. -. S. AU - Zhang, G. -. J. AU - Nakamura, Y. AU - Furukawa, K. AU - Hiraki, T. AU - Yang, J. -. H. AU - Funatsu, T. AU - Ohdomari, I. AU - Kawarada, H. PY - 2006 DA - 2006// TI - Label-free DNA sensors using ultrasensitive diamond field-effect transistors in solution JO - Phys Rev E VL - 74 UR - https://doi.org/10.1103/PhysRevE.74.041919 DO - 10.1103/PhysRevE.74.041919 ID - Song2006 ER - TY - JOUR AU - Lobyshev, V. I. AU - Shikhlinskaya, R. E. AU - Ryzhikov, B. D. PY - 1999 DA - 1999// TI - Experimental evidence for intrinsic luminescence of water JO - J Mol Liq VL - 82 UR - https://doi.org/10.1016/S0167-7322(99)00043-4 DO - 10.1016/S0167-7322(99)00043-4 ID - Lobyshev1999 ER - TY - JOUR AU - Chakrapani, V. AU - Pendyala, C. AU - Kash, K. AU - Anderson, A. B. AU - Sunkara, M. K. AU - Angus, J. C. PY - 2008 DA - 2008// TI - Electrochemical pinning of the Fermi level: mediation of photoluminescence from gallium nitride and zinc oxide JO - J Am Chem Soc VL - 130 UR - https://doi.org/10.1021/ja710999r DO - 10.1021/ja710999r ID - Chakrapani2008 ER - TY - JOUR AU - Wu, K. L. AU - Chou, Y. AU - Su, C. C. AU - Yang, C. C. AU - Lee, W. I. AU - Chou, Y. C. PY - 2017 DA - 2017// TI - Controlling bottom-up rapid growth of single crystalline gallium nitride nanowires on silicon JO - Sci Rep VL - 7 UR - https://doi.org/10.1038/s41598-017-17980-0 DO - 10.1038/s41598-017-17980-0 ID - Wu2017 ER - TY - JOUR AU - Fung, C. D. AU - Cheung, P. W. AU - Ko, W. H. PY - 1986 DA - 1986// TI - A generalized theory of an electrolyte-insulator-semiconductor field-effect transistor JO - IEEE Trans Electron Devices VL - 33 UR - https://doi.org/10.1109/T-ED.1986.22429 DO - 10.1109/T-ED.1986.22429 ID - Fung1986 ER - TY - JOUR AU - Huygens, I. M. AU - Theuwis, A. AU - Gomes, W. P. AU - Strubbe, K. A. PY - 2003 DA - 2003// TI - A (Photo-)electrochemical study on n-GaN in aqueous solutions JO - Phys Status Solidi C VL - 1 UR - https://doi.org/10.1002/pssc.200390085 DO - 10.1002/pssc.200390085 ID - Huygens2003 ER - TY - JOUR AU - Huygens, I. M. AU - Theuwis, A. AU - Gomes, W. P. AU - Strubbe, K. PY - 2002 DA - 2002// TI - Photoelectrochemical reactions at the n-GaN electrode in 1 M H2SO4 and in acidic solutions containing Cl− ions JO - Phys Chem Chem Phys VL - 4 UR - https://doi.org/10.1039/b110839p DO - 10.1039/b110839p ID - Huygens2002 ER - TY - JOUR AU - Calarco, R. AU - Marso, M. AU - Richter, T. AU - Aykanat, A. I. AU - Meijers, R. AU - Hart, A. V. D. AU - Stoica, T. AU - Lüth, H. PY - 2005 DA - 2005// TI - Size-dependent photoconductivity in MBE-grown GaN-nanowires JO - Nano Lett VL - 5 UR - https://doi.org/10.1021/nl0500306 DO - 10.1021/nl0500306 ID - Calarco2005 ER - TY - JOUR AU - Orton, J. AU - Foxon, C. PY - 1998 DA - 1998// TI - Group III nitride semiconductors for short wavelength light-emitting devices JO - Rep Prog Phys VL - 61 UR - https://doi.org/10.1088/0034-4885/61/1/001 DO - 10.1088/0034-4885/61/1/001 ID - Orton1998 ER - TY - JOUR AU - Kuritzky, L. Y. AU - Speck, J. S. PY - 2015 DA - 2015// TI - Lighting for the 21st century with laser diodes based on non-basal plane orientations of GaN JO - MRS Commun VL - 5 UR - https://doi.org/10.1557/mrc.2015.53 DO - 10.1557/mrc.2015.53 ID - Kuritzky2015 ER - TY - JOUR AU - Huang, C. H. AU - Pakzad, A. AU - Lee, W. I. AU - Chou, Y. C. PY - 2019 DA - 2019// TI - Structure and strain relaxation of GaN nanorods grown on homoepitaxial surface via controlling irregular mask JO - J Phys Chem C VL - 123 UR - https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b10254 DO - 10.1021/acs.jpcc.8b10254 ID - Huang2019 ER - TY - JOUR AU - Shalish, I. AU - Shapira, Y. AU - Burstein, L. AU - Salzman, J. PY - 2001 DA - 2001// TI - Surface states and surface oxide in GaN layers JO - J Appl Phys VL - 89 UR - https://doi.org/10.1063/1.1330553 DO - 10.1063/1.1330553 ID - Shalish2001 ER - TY - JOUR AU - Zhang, X. F. AU - Zhu, J. PY - 2019 DA - 2019// TI - BODIPY parent compound: excited triplet state and singlet oxygen formation exhibit strong molecular oxygen enhancing effect JO - J Lumin VL - 212 UR - https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2019.04.050 DO - 10.1016/j.jlumin.2019.04.050 ID - Zhang2019 ER - TY - JOUR AU - Schmidbauer, S. AU - Hohenleutner, A. AU - Konig, B. PY - 2013 DA - 2013// TI - Studies on the photodegradation of red, green and blue phosphorescent OLED emitters JO - Beilstein J Org Chem VL - 9 UR - https://doi.org/10.3762/bjoc.9.245 DO - 10.3762/bjoc.9.245 ID - Schmidbauer2013 ER -